• формат pdf
  • размер 4.44 МБ
  • добавлен 17 декабря 2011 г.
Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников
Москва, Издательство Наука , 1978 год - 285 стр
В книге рассматривается влияние облучения (как электромагнитного, так и корпускулярного) на адсорбционные и каталитические свойства проводников. Дается сжатая сводка экспериментального материала, затем развивается теория явления, приводится сравнение теорий с экспериментов. В книге отражается результаты работ авторов и их сотрудников. Теория фотоадсорбционного и фотокаталитического эффектов строится на фундаменте современной электронной теории анализа. Книга имеет целью раскрыть механизм явления.
Смотрите также

Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников

  • формат djv
  • размер 3.17 МБ
  • добавлен 16 января 2010 г.
Москва, Издательство "Наука", 1978 год - 285 стр. В книге рассматривается влияние облучения (как электромагнитного, так и корпускулярного) на адсорбционные и каталитические свойства проводников. Дается сжатая сводка экспериментального материала, затем развивается теория явления, приводится сравнение теорий с экспериментов. В книге отражается результаты работ авторов и их сотрудников. Теория фотоадсорбционного и фотокаталитического эффектов строи...

Игумнов В.Н. Физические основы микроэлектроники

  • формат pdf
  • размер 7.54 МБ
  • добавлен 06 августа 2011 г.
Йошкар-Ола: Марийский государственный технический универ-ситет, 2010. – 272 с. Представлены базовые понятия квантовой механики, статической фи-зики, физики полупроводников и полупроводниковых приборов, контакт-ные и поверхностные явления и другие фундаментальные положения, не-обходимые при изучении курса «Физические основы микроэлектроники» и близких ему курсов. Показаны перспективы развития новых направле-ний микроэлектроники. Для студентов с...

Лабораторная работа - Исследование фотоэлектрических свойств полупроводников

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 71.67 КБ
  • добавлен 26 января 2011 г.
Изучение фотоэлектрической зависимости электропроводимости полупроводников методом экспериментального исследования вольтамперных и люксамперных характеристик фоторезисторов.

Свойства полупроводников, расчёт характеристик p-n перехода

Курсовая работа
  • формат docx
  • размер 423.15 КБ
  • добавлен 04 мая 2011 г.
Читинский Государственный Университет. Институт Технологических и Транспортных Систем. Кафедра физики и техники связи. Курсовая работа. по физическим основам электроники: Свойства полупроводников, расчет характеристик p-n перехода. Вариант №12. В работе производится расчет характеристик p-n перехода по заданным исходным данным.rn

Тырышкин И.С. Основы полупроводниковой электроники

  • формат pdf
  • размер 397.15 КБ
  • добавлен 03 января 2009 г.
Кратко изложены основные вопросы, изучаемые студентами в курсе «Физические основы электроники» Включены следующие разделы: Электрофизические свойства полупроводников оптические свойства полупроводников контактные явления типовые технологические процессы.

Физические основы электроники. Конспект лекций ПГАТИ

  • формат ppt
  • размер 3.44 МБ
  • добавлен 10 августа 2008 г.
Элементы зонной теории твёрдого тела. Модель атома и св-ва электрона Квантовые числа. Понятие об энергетических уровнях и зонах. Кристаллическая решетка. Свойства полупроводников. Собственный полупроводник. Определение равновесной концентрации зарядов в собственном полупроводнике. Функция распределения Ферми-Дирака. Вероятность распределения электронов по энерг. уровням. Уровни Ферми. Эффективные массы электрона и дырки. Примесные полупроводники....

Шалимова К.В. Физика полупроводников

  • формат djv
  • размер 5.32 МБ
  • добавлен 19 января 2010 г.
Москва, Издательство "Энергоатомиздат", 1985 год - 392 стр. В книге рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеивания носителей зарядов, генерация и рекомбинация носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства....

Шпоры по ФОЭ

pottee
  • формат jpg
  • размер 35.16 МБ
  • добавлен 28 сентября 2008 г.
Вопросы по ФОПП (ФОЭ) Электропроводность полупроводников. Полупроводниковые резисторы. Электропроводность полупроводников. Терморезисторы и фоторезисторы. Электропроводность полупроводников. Магниторезисторы и Датчики Холла. Контактные явления в полупроводниках. Влияние температуры. ВАХ p-n-перехода. Влияние температуры. ВАХ p-n-перехода. Пробой р-п-перехода. Типы полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды, их характеристики и параметры. Типы...

Ю Питер, Кардона Мануэль. Основы физики полупроводников

  • формат djvu
  • размер 11.48 МБ
  • добавлен 06 июля 2010 г.
Пер. с англ. И. И. Решиной. Под ред. Б. П. Захарчени. — 3-е изд. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. — 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" содержит детальное объяснение электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников и полупроводниковых наносистем. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных р...

Ю, Петер Ю, Кардона М. Основы физики полупроводников

  • формат pdf
  • размер 1.43 МБ
  • добавлен 19 сентября 2011 г.
3-е изд. М. Физматлит. 2002. 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов...