Бурштейн А.И. Физические основы расчета полупроводниковых термоэлектрических устройств

Ульяновск: УлГТУ, 2006. - 61 с. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальности 21040665 "Сети связи и системы коммутации", 21040465 "Многоканальные телекоммуникационные системы". В пособие включены такие разделы, как переходы в полупроводниках и полупроводниковых структурах, физика полупроводниковых оптоэлектронных приборов, основы физики сверхпроводимости и криоэлектроники. Пособие представляет расширенный курс лекций,...

Учеб. пособие / Пермский. гос. техн. ун-т. - Пермь, 2003. - 158 с. ISBN5-88151-173-5 Рассмотрены физические основы проводимости полупроводников, физика полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, основные свойства, характеристики и параметры распространенных полупроводниковых приборов. Кратко рассмотрены технологические вопросы получения полупроводниковых приборов и микросхем. Дано представление об уровне развития современной микроэлект...

Рассматриваются физические принципы работы полупроводни-ковых приборов: фотоэлементов, диодов, транзисторов, переключа-тельных полупроводниковых приборов. Приведены описания лабора-торных работ, позволяющих изучить основные характеристики и параметры полупроводниковых приборов.

Томск: Изд-во Томского политехнического университета, 2009. - 128 с. Конспект лекций включает в себя следующие основные разделы: Физические основы работы полупроводниковых приборов. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Классификация и обозначения полупроводниковых приборов.

М. Наука. 1985. 233 с. Теория явлений переноса и методы их исследования в полупроводниковых пленках Влияние технологии получения пленок термоэлектрических материалов на их свойства Исследование электро- и теплофизических свойств термоэлектрических пленок Пленочные термобатареи и их использование в метрологии

Йошкар-Ола: Марийский государственный технический универ-ситет, 2010. – 272 с. Представлены базовые понятия квантовой механики, статической фи-зики, физики полупроводников и полупроводниковых приборов, контакт-ные и поверхностные явления и другие фундаментальные положения, не-обходимые при изучении курса «Физические основы микроэлектроники» и близких ему курсов. Показаны перспективы развития новых направле-ний микроэлектроники. Для студентов с...

СибГУТИ, "Физические основы электроники" 2010г. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" доц. Савиных В. Л.

ФИЗМАТЛИТ, 2008 г. - 488 стр. Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др. ). Выведены основные тео...

Митрофанов О.В., Симонов Б.М., Коледов Л.А. М.: Высшая школа, 1987, 168с. Учебное пособие из серии Микроэлектроника в 9 кн. под ред. Коледов Л.А. Книга 1. В пособии рассмотрены физические процессы, определяющие функционирование изделии полупроводниковой микроэлектроники. Изложены принципы работы базовых полупроводниковых приборов. P.S. Книга снабжена прекрасными иллюстрациями, которые значительно помогают усвоению материала. Материал изложен на...

Учебное пособие. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010. – 92 с. В учебном пособии рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия пассивных проводниковых и полупроводниковых компонентов электронной техники, а именно: резисторов, электрических конденсаторов, катушек индуктивности, трансформаторов электронной аппаратуры; электропроводность полупроводников, их основные свойства и характеристики, электрические переходы, полупроводниковые...