• формат djvu
  • размер 4.35 МБ
  • добавлен 12 декабря 2010 г.
Гринфилд Дж. Транзисторы и Линейные ИС. Руководство по Анализу и Расчёту
М., Мир, 1992 г. 565 стр. В книге специалиста из США излагаются вопросы анализа и расчета транзисторных и линейных интегральных схем. Изложение ведется последовательно - от физических основ полупроводниковой электроники и принципов действия транзистора до расчета многокаскадных усилителей, усилителей мощности, источников питания, резонансных и операционных усилителей. Материал изложен чрезвычайно доступно и наглядно. В приложениях приводятся соотношения для расчета параметров и характеристик схем, а также программа на Бейсике для вычисления коэффициента усиления каскада на полевом транзисторе. Для студентов и преподавателей вузов по специальностям «Электронные приборы» и «Микроэлектроника»

Содержание:
Предисловие переводчика.
Предисловие.
Введение.
Глава. Полупроводники и диоды.
Цель обучения.
Вопросы для самопроверки.
Проводники и диэлектрики.
Полупроводники.
Электронно-дырочный переход (pn-переход).
Характеристики диода.
Ограничители и выпрямители.
Схемы фиксации уровня.
Полупроводниковые стабилитроны.
Диоды Шотки.
Фотодиоды.
Применение светодиодов и фотодетекторов.
Светодиоды.
Другие типы специальных диодов.
Заключение.
Словарь специальных терминов.
Литература.
Задачи.
Глава. Биполярный плоскостный транзистор.
Цель обучения.
Вопросы для самопроверки.
Введение.
Работа транзистора.
Включение транзистора по схеме с общей базой (ОБ).
Схема с общим эмиттером (ОЭ).
Характериографы.
Линия нагрузки.
Область отсечки.
Транзистор в режиме насыщения.
Технические характеристики транзисторов, предоставляемые изготовителями.
Заключение.
Словарь специальных терминов.
Литература.
Задачи.
Глава. Схемы смещения биполярных плоскостных транзисторов.
Цель обучения.
Вопросы для самопроверки.
Введение.
Схема с фиксированным напряжением смещения.
Схема смещения с резистором в цепи эмиттера.
Построение линии нагрузки для схемы с автоматическим смещением.
Смещение в усилителе с ОБ.
Смещение в схеме эмиттерного повторителя.
Влияние схем смещения на стабильность работы усилителя.
Заключение.
Словарь специальных терминов.
Литература.
Задачи.
Глава. Анализ усилителей в режиме малого сигнала и коэффициент усиления по переменному току.
Цель обучения.
Вопросы для самопроверки.
Введение.
Гибридные параметры транзистора.
Коэффициент усиления усилителя с ОЭ.
Усилитель с общей базой.
Эмиттерный повторитель.
Заключение.
Словарь специальных терминов.
Литература.
Задачи.
Глава. Полевые транзисторы.
Цель обучения.
Вопросы для самопроверки.
Введение.
Структура полевого транзистора с управляющим pn-переходом.
Смещение полевого транзистора с управляющим pn-переходом.
Анализ полевого транзистора с управляющим pn-переходом в режиме малого сигнала.
Истоковый повторитель.
МОП-транзисторы.
МОП-структура с V-образной канавкой (VМОП-транзистор).
Заключение.
Словарь специальных терминов.
Литература.
Задачи.
Глава. Многотранзисторные схемы.
Цель обучения.
Вопросы для самопроверки.
Введение.
Схемы с RC-связью.
Усилители с непосредственной связью.
Пары Дарлингтона.
Источники неизменяющегося постоянного тока.
Компараторы.
Дифференциальный усилитель.
Каскодный усилитель.
Заключение.
Словарь специальных терминов.
Литература.
Задачи.
Глава. Амплитудно-частотные характеристики усилителей.
Цель обучения.
Вопросы для самопроверки.
Влияние емкостей.
Амплитудно-частотная характеристика усилителя на биполярном транзисторе в области низких частот.
Амплитудно-частотная характеристика усилителя на биполярном транзисторе в области высоких частот.
Работа биполярного транзистора в области высоких частот.
Амплитудно-частотная характеристика полевого транзистора с управляющим pn-переходом.
АЧХ многокаскадного усилителя.
Переходная характеристика усилителей.
Частотная коррекция пробника осциллографа.
Ограничения АЧХ осциллографов.
Заключение.
Словарь специальных терминов.
Литература.
Задачи.
Глава. Обратная связь в усилителях.
Цель обучения.
Вопросы для самопроверки.
Основные понятия обратной связи.
Реальные схемы с обратной связью по напряжению.
Обратная связь по току.
Новое в анализе обратной связи.
Обратная связь и АЧХ.
Более строгий анализ схем с обратной связью.
Заключение.
Словарь специальных терминов.
Литература.
Задачи.
Глава. Усилители мощности.
Цель обучения.
Вопросы для самопроверки.
Введение.
Рассеиваемая мощность и мощные транзисторы.
Тепловое сопротивление и радиаторы.
Усилители мощности, работающие в режиме класса A.
Усилители класса B.
Искажения и смещение в усилителях класса B.
Усилители на комплементарных транзисторах.
Интегральные усилители мощности.
Заключение.
Словарь специальных терминов.
Литература.
Задачи.
Глава. Источники питания.
Цель обучения.
Вопросы для самопроверки.
Введение.
Выпрямители.
Емкостный фильтр.
Другие типы фильтров и удвоитель напряжения.
Стабилизаторы напряжения.
Транзисторные стабилизаторы напряжения.
Стабилизаторы напряжения на ИС.
Импульсный стабилизатор.
Заключение.
Словарь специальных терминов.
Литература.
Задачи.
Глава. Резонансные усилители и генераторы.
Цель обучения.
Вопросы для самопроверки.
Резонансные усилители.
Усилители с большей избирательностью.
Некоторые сведения из теории генераторов.
Высокочастотные генераторы синусоидальных колебаний.
Генераторы с фазосдвигающей цепью обратной связи.
Цифровые генераторы.
Заключение.
Словарь специальных терминов.
Литература.
Задачи.
Глава. Операционные усилители.
Цель обучения.
Вопросы для самопроверки.
Введение.
Характеристики ОУ.
Интеграторы и дифференциаторы.
Применение ОУ.
Заключение.
Словарь специальных терминов.
Литература.
Задачи.
Приложение А. Характеристики транзисторов 2N3903 и 2N3904.
Приложение В. Вывод точных уравнений гибридных параметров транзистора.
Приложение С. Программа для вычисления коэффициента усиления полевого транзистора с управляющим pn-переходом при емкостной связи с нагрузкой.
Приложение D. Вывод уравнений для дифференциального усилителя.
Приложение Е. АЧХ усилителя с развязывающим конденсатором в цепи эмиттера.
Приложение F. Вывод уравнений для схемы с обратной связью Приложение G. Последовательная и параллельная эквивалентные схемы катушки индуктивности.
Приложение Н. Вывод уравнений для параллельного резонансного контура.
Ответы на некоторые задачи.
Предметно-именной указатель.
Смотрите также

Бессарабов Б.Ф., Федюк В.Д., Федюк Д.В. Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения. Справочник

  • формат djvu
  • размер 14.38 МБ
  • добавлен 24 октября 2011 г.
Бессарабов Б.Ф., Федюк В.Д., Федюк Д.В. Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения. Справочник. Воронеж: ИПФ "Воронеж", 1994г. ISBN5-89981-030-0 В справочнике приведены электрические параметры, предельные эксплуатационные данные, габаритные размеры и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых диодов, тиристоров, транзисторов и микросхем, применяемых в бытовой радиоаппаратуре и радиолюбительской практике. Приведены...

Борисов В.Л. Лекции по электронным приборам

  • формат djvu
  • размер 9.61 МБ
  • добавлен 03 декабря 2010 г.
Радиофизический факультет СПбГПУ, 2 курс, 3 семестр. 178 стр. Полупроводниковые приборы. Физические основы электронных приборов. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды Транзисторы. Биполярный транзистор Полевые транзисторы. Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Лавинно-пролетный диод. Тиристоры. Диод Ганна. Светоизлучающие и фотоприемные приборы. Полупроводниковый лазер. Светоизлучающий диод. Фоторез...

Лекции - Полупроводниковые приборы

Статья
  • формат doc
  • размер 722.76 КБ
  • добавлен 01 апреля 2007 г.
Целью изучения дисциплины является формирование у студентов знаний о конструкциях, принципах действия, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, о физических основах функционирования полупроводниковых приборов, о режимах их работы и влиянии режимов на параметры и характеристики приборов. Материал дисциплины базируется на знаниях, полученных при изучении курсов: "физика", "ТОЭ", "ФОЭТ". Физика полупроводников. Теория p-n перехода...

Москатов Е.А. Электронная техника. Начало. 3-е изд

  • формат djvu
  • размер 2.88 МБ
  • добавлен 29 июня 2010 г.
Таганрог, 2010 г. - 204 с. В книгу входят сведения о полупроводниках, о созданных на их основе современных компонентах, например, плазменных панелях, дисплеях на углеродных нанотрубках, ионисторах, биполярных транзисторах с изолированными затворами, запираемых тиристорах и прочих. Материал содержит ответы на некоторые вопросы электронной техники, его отличает компактное изложение - в каждой теме дана минимально необходимая информация. Простым язы...

Реферат - Биполярные транзисторы

Реферат
  • формат rtf, doc, docx
  • размер 416.79 КБ
  • добавлен 30 марта 2009 г.
Содержание. Введение. Электронно-дырочный p- n- переход. Классификация биполярных транзисторов. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения биполярных транзисторов. Полевые транзисторы. Принцип действия и устройство полевого транзистора. Схемы включения полевых транзисторов. Усиление тока. Частотные свойства транзисторов. Шумовые характеристики транзисторов. Система обозначений биполярных и полевых транзисторов. Заключе...

Реферат - Структуры интегральных схем

Реферат
  • формат doc
  • размер 287.85 КБ
  • добавлен 15 ноября 2010 г.
Введение. Классификация интегральных микросхем. Структуры интегральных схем. Конструкции активных элементов полупроводниковых микросхем. Транзисторы типа n–p–n. Транзисторы типа p–n–p. Многоэмиттерные транзисторы (МЭТ). Многоколлекторные транзисторы (МКТ). Составные транзисторы. Интегральные диоды и стабилитроны. Диод Шотки и транзистор с диодом Шотки. Конструкции активных элементов полупроводниковых микросхем. МНОП–транзисторы. МОАП–транзисторы....

Ржевкин. Пособие для студентов по полупроводниковым приборам

  • формат doc
  • размер 1.92 МБ
  • добавлен 03 января 2009 г.
Описан полный курс по ПП. Все описано подробно и понятно. Включает главы: Механизмы проводимости твердых тел; Контактные явления; биполярные и полевые транзисторы. Приведено много диаграмм и описаний.

Светцов В.И., Холодков И.В. Физическая Электроника и Электронные Приборы

  • формат pdf
  • размер 11.07 МБ
  • добавлен 07 июля 2010 г.
М., ИГХТУ им. Менделеева, 2008 г. , 500 стр. В монографии рассмотрены практически все разделы современной электроники: физические основы электроники, микроэлектроники и наноэлектроники, вакуумная и эмиссионная электроника (автоэмиссионные катоды, фотокатоды, ФЭУ, ЭОП, ЭЛТ и т. д. ), газоразрядная электроника (клистроны, ЛОВ, индикаторы, разрядники, газовые лазеры и т. д. ), твердотельная электроника (диоды, биполярные транзисторы, полевые транзис...

Тихомиров В.А. Курс лекции по Основам информационной электроники

  • формат doc
  • размер 63.69 КБ
  • добавлен 16 января 2010 г.
Нижний Новгород, 2004, НГТУ. 62 стр. Содержание. Введение. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Интегральные микросхемы. Цифровые интегральные микросхемы. Элементы оптоэлектроники. Практические занятия.

Электроника и микроэлектроника

  • формат pdf
  • размер 87.71 МБ
  • добавлен 26 февраля 2011 г.
Учебное пособие для вузов. 2-е изд., исправленное. Чебоксары: Изд-во Чуваш, ун-та, 2001. 378 с. Рассматриваются структура, энергетические зоны и электропроводность полупроводников, технологические процессы выращивания монокристаллов кремния, теория p-n-перехода и методы его изготовления, основные типы полупроводниковых приборов, элементы полупроводниковых и гибридных интегральных схем, усилительные каскады, интегральные логические элементы. Огл...