Словарь
  • формат doc
  • размер 61.6 КБ
  • добавлен 05 декабря 2009 г.
Краткий справочник - Твердотельная электроника
Р-n переход.
Электрические модели р-n переход.
Ёмкости р-n переход.
ВАХ реальных диодов.
Стабилитрон.
Применение диодов и стабилитронов.
Биполярные VT.
Смотрите также

Воронков Э.Н. Твердотельная электроника

  • формат doc
  • размер 1.39 МБ
  • добавлен 06 февраля 2011 г.
М.: МЭИ, 2002. - 181 с. Оглавление. Основные понятия физики полупроводниковых материалов. Диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы.

Гуртов В.А. Твердотельная электроника

  • формат pdf
  • размер 8.38 МБ
  • добавлен 10 ноября 2011 г.
Учебное пособие / 2-е изд., доп. - М.: Техносфера, 2005. - 408с. В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодо...

Гуртов В.А. Твердотельная электроника

  • формат pdf
  • размер 3.06 МБ
  • добавлен 20 марта 2009 г.
В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как н...

Гуртов В.А.Твердотельная электроника

  • формат pdf
  • размер 15.56 МБ
  • добавлен 07 июля 2011 г.
М.: Техносфера, 2008. - 512 с. - ISBN: 978-5-94836-187-1 (3-е изд., доп.) В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно рассмотрены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролет...

Лабораторная работа №1

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 114.64 КБ
  • добавлен 15 января 2007 г.
ПП1. Лабораторная работа по курсу "Твердотельная электроника" для студентов специальности "Промышленная электроника". Вывод не лучший, но сдать можно :)

Лабораторная работа №2

Лабораторная
  • формат xls, doc
  • размер 128.83 КБ
  • добавлен 16 января 2007 г.
ПП2. Лабораторная работа "Исследование динамических характеристик и параметров биполярных транзисторов" для студентов специальности "Промышленная электроника"

Легостаев Н.С., Троян П.Е, Четвергов К.В. Твердотельная электроника. Учебное пособие

  • формат pdf
  • размер 3.84 МБ
  • добавлен 12 ноября 2011 г.
Томск: ТУСУР, 2007. - 566 с. Рассматриваются физические основы и математическое описание процессов, определяющих принцип действия твердотельных приборов, явления переноса в твердых телах, контактные явления в полупроводниках и структурах металл-полупроводник, металл-диэлектрик–полупроводник, изотипные и анизотипные гетеропереходы. Рассмотрены принципы действия и характеристики полупроводниковых диодов, биполярных транзисторов, тиристоров, МДП-тр...

Лысенко А.П. Биполярные транзисторы

  • формат pdf
  • размер 872.28 КБ
  • добавлен 15 октября 2009 г.
Рассматриваются процессы в различных областях транзисторной структуры, определяющие теория статический коэффициент передачи тока базы транзистора и его зависимость от режима и температуры. Для студентов и аспирантов, обучающихся по специальности 200100 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (Московский государственный институт электроники и математики (технический университет))

Москатов Е.А. Твердотельная электроника

  • формат pdf
  • размер 1.85 МБ
  • добавлен 17 декабря 2009 г.
Специальная редакция для журнала «РАДИО». Москатов Е. А. Электронная техника. Специальная редакция для журнала Радио. – Таганрог, 2004. – 121 стр. Рецензент к. т. н. Гайно Евгений Владимирович. Автор выражает благодарность уважаемому Владимиру Чуднову за ценные за- мечания при подготовке рукописи. Автор выражает благодарность своему учителю – Александру Владимировичу Кнышу.

Шкаев А.Г. Твердотельная электроника: конспект лекций

  • формат doc
  • размер 5.87 МБ
  • добавлен 08 июня 2010 г.
Шкаев, А. Г. Твердотельная электроника: конспект лекций / А. Г. Шкаев. – Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009. Зонная структура полупроводников Термины и определения Статистика электронов и дырок в полупроводниках, положение уровня Ферми Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике Концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике Определение положения уровня Ферми Проводимость полупроводников Токи в полупроводни...