Построить выходную зависимость Iк от Vбк для кремниевого n-p-n
транзистора в схеме с общей базой при Iэ=10 мА и T=300 K.
Концентрация примеси: база 6.0Е+15 1/см3, эмиттер 3.0Е+14 1/см3,
коллектор 6.5Е+14 1/см
3. Подвижность носителей заряда: n-1100 cм2/(Вс), р-300 см2/(Вс). Время жизни носителей заряда 0.200 мкс. Металлургическая ширина базы 2.0 мкм, коллектора 15 мкм, эмиттера 10 мкм. Площади переходов одинаковы и равны 6.4Е-5 см2.
Ширину нейтральной области базы считать при Vбк= 2B.
3. Подвижность носителей заряда: n-1100 cм2/(Вс), р-300 см2/(Вс). Время жизни носителей заряда 0.200 мкс. Металлургическая ширина базы 2.0 мкм, коллектора 15 мкм, эмиттера 10 мкм. Площади переходов одинаковы и равны 6.4Е-5 см2.
Ширину нейтральной области базы считать при Vбк= 2B.