Лабораторная работа - Технологический процесс изготовления КМДП транзисторов

Лабораторная

формат doc
размер 225.99 КБ
добавлен 14 мая 2011 г.

ВлГУ 2011, специальность: вычислительная техника, 4 курс
Цели:
Изучить последовательность операций изготовления интегральных микросхем на МДП транзисторах.
Изучить технологические операции изготовления МДП ИМС.
Ознакомиться с технологией КМДП ИМС на различных стадиях технологического процесса.
Ознакомиться с материалами, применяемыми при изготовлении МДП ИМС.
Произвести оптические измерения конструктивных параметров МДП структур.

Смотрите также

Бергельсон И.Г., Минц В.И. Транзисторы биполярные

формат djvu, txt
размер 1.28 МБ
добавлен 30 сентября 2011 г.

М., «Сов. радио», 1976г - 56 с. с ил. Кратко описаны конструктивные принципы биполярных транзисторов, их электрические и эксплуатационные характеристики и параметры. Приводятся способы включения транзисторов, проверки их годности при эксплуатации и хранении, а также способы предотвращения воздействия разрядов статического электричества. Брошюра рассчитана на широкий круг читатслей, связанных с применением и эксплуатацией транзисторов в радиоэл...

Завражнов Ю.В., Каганова И.И., Мазель Е.З., Миркин А.И. Мощные высокочастотные транзисторы

формат djvu, txt
размер 2.53 МБ
добавлен 25 августа 2011 г.

Под ред. Е.З.Мазеля. - М.: Радио и связь, 1985. - 176 с., ил. Рассматриваются особенности работы мощных высокочастотных транзисторов в линейном режиме. Излагаются вопросы конструирования, технологии транзисторов и методы измерения их параметров. Приводятся области применения таких транзисторов. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и применением мощных высокочастотных транзисторов.

Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Пер. с англ

формат djvu
размер 11.57 МБ
добавлен 04 октября 2009 г.

2-е перераб. и доп. изд. - М. Мир, 1984. Монография написана известным американским специалистом в области полупроводниковой электроники. Книга 1 (456 с. ) посвящена физике биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p-n переходом и барьером Шоттки). Книга 2 (456 с. ) посвящена физике приборов на туннельном эффекте и оптоэлектронных устройств (светодиодов, лазеров, фотодетекто...

Матвиенко В.А. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы

формат pdf
размер 457.28 КБ
добавлен 08 сентября 2009 г.

Методические указания к четырём лабораторным работам "Характеристики и параметры полупроводниковых диодов", "Характеристики и параметры биполярных транзисторов", "Характеристики и параметры полевых транзисторов с управляющин p-n-переходом", "Операционный усилитель" для специальностей 230101 , 230102.

Овсянников Н.И. Кремниевые биполярные транзисторы: Справочное пособие

формат djvu
размер 4.81 МБ
добавлен 17 июля 2010 г.

Минск: "Вышейшая школа", 1989 г. , 302 с. Помещены сведения об электрических параметрах, предельно допустимых режимах и корпусном исполнении кремниевых биполярных транзисторов, выпускаемых в СССР и ведущими зарубежными фирмами. Описывается более 8000 транзисторов.

Пауль Р. (Paul R.) Транзисторы. Физические основы и свойства

формат djvu
размер 8.28 МБ
добавлен 05 декабря 2009 г.

Перевод с немецкого В. С. Заседа. Под редакцией И. А. Палекова. Издательство "Совесткое Радио" - 1973 МОСКВА. 505 страниц. Более подробно, чем уже в изданных книгах, рассматриваются принципы действия и параметры биполярных транзисторов, а также физика происходящих в них процессов. БОльшое влияние уделяется методам изготовления транзисторов. Подробно излагается планарная технология. Рассматриваются комбинированные мощные высокочастотные транзисто...

Реферат - Биполярные транзисторы

Реферат

формат rtf, doc, docx
размер 416.79 КБ
добавлен 30 марта 2009 г.

Содержание. Введение. Электронно-дырочный p- n- переход. Классификация биполярных транзисторов. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения биполярных транзисторов. Полевые транзисторы. Принцип действия и устройство полевого транзистора. Схемы включения полевых транзисторов. Усиление тока. Частотные свойства транзисторов. Шумовые характеристики транзисторов. Система обозначений биполярных и полевых транзисторов. Заключе...

Тейлор П. Расчет и проектирование тиристоров

формат djvu
размер 1.79 МБ
добавлен 01 марта 2010 г.

Пер. с англ. М.: Энергоатомиздат, 1990. - 208 с.: иллюстрации Обобщены результаты в области дискретных силовых полупроводниковых приборов. Вопросы проектирования увязаны с существующими и перспективными процессами изготовления мощных тиристоров. Рассмотрена работа новых типов приборов: запираемых тиристоров, гибридов полевого транзистора с тиристором, МОП-транзисторов с встроенной областью пространственного заряда. Для широкого круга специалистов...

Трутко А.Ф. Методы расчета транзисторов

формат pdf
размер 4.92 МБ
добавлен 17 мая 2010 г.

М.: Энергия, 1971. - Изд. 2-е, перераб. и доп. Оглавление. Глава первая. Основные физические параметры полупроводников и соотношения полупроводниковой электроники. Глава вторая. Расчет р-п переходов. Глава третья. Эквивалентные схемы и характеристические параметры транзисторов. Глава четвертая. Расчет бездрейфовых транзисторов. Глава пятая. Расчет дрейфовых транзисторов. Глава шестая. Конструкции корпусов транзисторов. Глава седьмая. Примеры расч...

Sze, Ng. Physics of Semiconductor Devices

формат pdf
размер 34.86 МБ
добавлен 19 марта 2010 г.

3-е перераб. и доп. изд. на английском языке - Wiley, 2007. (3-ed) (2007) Монография написана известными американскими специалистами в области полупроводниковой электроники. В книге изложена физика биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p-n переходом и барьером Шоттки), физика приборов на туннельном эффекте и оптоэлектронных устройств (светодиодов, лазеров, фотодетекторов...