Лекции по электронике

Смоленск, 2006. – 73 с. Лекции по курсу электронные промышленные устройства (2 часть). Содержание: Фильтры. Синтез цифровых автоматов.

/ В. В. Батавин, Ю. А. Концевой, Ю. В. Федорович - М.: Радио и связь, 1985. - 264 с., ил. (Измерения в электронике). Рассмотрены физические основы методов измерений электрофизических и структурных параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев, а также освещены вопросы их практической реализации. Анализируются причины возникновения погрешностей, даются рекомендации по ограничению и устранению источников ошибок измерений. Приводят...

М., Сов. радио, 305 стр., 1981 г. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник, р—п перехода. Рассматривается физическая модель р—п перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник и р—п перехода с учетом всех основных эффектов, характерных для этих контактов. Рассматриваются эквивалентная схема и пробойные явления. Особое внимание уделяется омиче...

М.: Сов. радио, 1980. - 64 с.: ил. - (Элементы радиоэлектронной аппаратуры). Дается классификация тиристоров по принципу управления, форме вольт-амперной характеристики, среднему току, основному назначению. Рассмотрены их конструкции, основные параметры, важнейшие характеристики, их зависимость от режима работы и температуры. Показаны примеры построения некоторых тиристорных схем, применяемых в радиотехнике, преобразовательной технике и электрони...

Учебное пособие. – Челябинск: Изд. ЮУрГУ, 2001. ? Ч .1. ? 119 с. В пособии рассмотрены вопросы технологии полупроводниковых, магнитных, диэлектрических и проводниковых материалов, широко применяющихся в электронике и микроэлектронике, прогрессивные технологии производства тонкопленочных материалов и наращивания на подложку монокристаллических эпитаксиальных пленок, планарная технология производства интегральных схем, методы создания p?n- переходо...

Соппа И. В. Лекции по Цифровой электронике Дальневосточный государственный университет. Институт физики и информационных технологий. Факультет информационных технологий. Сборник лекций содержит следующие разделы: Основы теории построения логических схем: Булевы функции; карты Карно. Основы построения логических схем: Импульсные сигналы; РТЛ, ДТЛ, ТТЛ, КМОП-логика. Основные узлы цифровых устройств: RS, T, D и JK-триггеры; дешифраторы; сумматоры;...

Издательство Вильнюс МОКСЛАС, 1985. 112 страниц. Проблема повышения быстродействия и производительности технических средств обработки цифровой информации - одна из наиболее актуальных в современной электронике. Решение этой проблемы в основном зависит от повышения быстродействия и степени интеграции элементной базы цифровой электроники, и в частности - повышения быстродействия транзисторов. Книга посвящена рассмотрению физических принципов работ...

Вашему вниманию предоставляется справочник по отечественным и зарубежным полупроводниковым приборам: транзисторам, тиристорам, диодам, оптоэлектронным приборам, включающий около трех тысяч элементов. В справочнике приведены электрические параметры, предельные эксплуатационные данные, габаритные размеры и другие характеристики полупроводниковых приборов. Одним из главных достоинств справочника является наличие информации о производителях и продавц...

М.: ЮРАЙТ Высшее образование, 2009 год. 463 стр. Рассмотрены базовые полупроводниковые приборы современной микроэлектроники и физические процессы, обеспечивающие их работу. Анализируются статические, частотные и импульсные характеристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Рассмотрены предельные параметры современных приборов микроэлектроники (SOI MIS, HEMT, HBT). Для кажд...

Книга немецких специалистов на английском языке, посвящённая созданию и использованию Si/Ge гетероструктур в современной полупроводниковой электронике. Рассмотрены вопросы связанные с технологией получения Si/Ge структур (МЛЭ, ХОГФ), квантовая теория полупроводников, применения Si/Ge в гетеробиполярных транзисторах (HBT), гетерополевых транзисторах (HFET), оптоэлектронных приборах и в интегральных логических схемах (КМОП, БКМОП).