Общие сведения об электронных приборах.
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов.
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника
Неравновесное состояние полупроводника.
Электрические переходы в полупроводниковых приборах.
Электрические переходы.
Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.
Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии.
Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода.
Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода.
Параметры и модель р-n-перехода в динамическом режиме.
Частотные свойства p-n-перехода.
Импульсные свойства р-n-перехода.
Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы.
Разновидности полупроводниковых диодов.
Классификация.
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны и стабисторы.
Универсальные и импульсные диоды.
Варикапы.
Туннельные и обращенные диоды.
Шумы полупроводниковых диодов.
Биполярные транзисторы.
Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла).
Статические характеристики биполярных транзисторов.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде.
Нелинейная и линейная динамические модели биполярного транзистора.
Частотные свойства биполярного транзистора.
Переходные процессы в биполярном транзисторе и простейшем ключе на его основе.
Шумы биполярных транзисторов.
Тиристоры.
Транзисторная модель диодного тиристора (динистора).
Вольт-амперная характеристика динистора.
Тринистор.
Симметричные тиристоры (симисторы).
Переходные процессы и динамические параметры.
Полевые транзисторы.
Общие сведения.
Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом.
Полевой транзистор с управляющим переходом типа металл - полупроводник.
Идеализированная структура металл-диэлектрик - полупроводник.
Полевой транзистор с изолированным затвором.
Электрические модели полевых транзисторов.
Шумы полевых транзисторов.
Конструктивно-технологические особенности интегральных схем.
Классификация изделий микроэлектроники. Термины и определения.
Типовые технологические процессы и операции создания полупроводниковых ИС.
Способы электрической изоляции элементов полупроводниковых ИС.
Основы аналоговых интегральных схем.
Усилительные каскады ИС.
Повторители напряжения.
Усилительный дифференциальный каскад.
Источники стабильного тока.
Каскады сдвига потенциальных уровней.
Операционный усилитель.
Повышение степени интеграции и направление функциональной электроники.
Проблемы повышения степени интеграции.
Матричные БИС.
Функциональная электроника -перспективное направление в микроэлектронике.
Элементы функциональной электроники на поверхностных акустических волнах.
Элементы функциональной электроники на цилиндрических магнитных доменах.
Устройство и принцип действия прибора с зарядовой связью.
Электронные приборы для отображения информации и фотоэлектрические приборы.
Электронно-лучевые приборы.
Электросветовые приборы.
Оптоэлектронные индикаторы.
Фотоэлектрические приборы.
Лампы бегущей волны.
Общие сведения.
Замедляющие системы.
Конструкция и принцип действия ЛБВ.
Элементы линейной теории ЛБВ.
Характеристики и параметры ЛБВ.
Тенденции развития электровакуумных приборов с длительным взаимодействием и их применение в технике связи.
Лавинно-пролетные диоды.
Взаимодействие носителей заряда с кристаллической решеткой в сильном электрическом поле.
Статический режим работы ЛПД. Лавинный пробой p+-n-перехода.
Принцип действия генератора на ЛПД.
Элементы нелинейной теории ЛПД.
Конструкции, параметры и применение генераторов на ЛПД.
СВЧ-усилители и умножители частоты на ЛПД.
Физические основы квантовой электроники.
Квантовые переходы и вероятности излучательных переходов.
Ширина спектральной линии.
Возможность усиления электромагнитного поля в квантовых системах.
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов.
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника
Неравновесное состояние полупроводника.
Электрические переходы в полупроводниковых приборах.
Электрические переходы.
Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.
Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии.
Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода.
Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода.
Параметры и модель р-n-перехода в динамическом режиме.
Частотные свойства p-n-перехода.
Импульсные свойства р-n-перехода.
Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы.
Разновидности полупроводниковых диодов.
Классификация.
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны и стабисторы.
Универсальные и импульсные диоды.
Варикапы.
Туннельные и обращенные диоды.
Шумы полупроводниковых диодов.
Биполярные транзисторы.
Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла).
Статические характеристики биполярных транзисторов.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме.
Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде.
Нелинейная и линейная динамические модели биполярного транзистора.
Частотные свойства биполярного транзистора.
Переходные процессы в биполярном транзисторе и простейшем ключе на его основе.
Шумы биполярных транзисторов.
Тиристоры.
Транзисторная модель диодного тиристора (динистора).
Вольт-амперная характеристика динистора.
Тринистор.
Симметричные тиристоры (симисторы).
Переходные процессы и динамические параметры.
Полевые транзисторы.
Общие сведения.
Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом.
Полевой транзистор с управляющим переходом типа металл - полупроводник.
Идеализированная структура металл-диэлектрик - полупроводник.
Полевой транзистор с изолированным затвором.
Электрические модели полевых транзисторов.
Шумы полевых транзисторов.
Конструктивно-технологические особенности интегральных схем.
Классификация изделий микроэлектроники. Термины и определения.
Типовые технологические процессы и операции создания полупроводниковых ИС.
Способы электрической изоляции элементов полупроводниковых ИС.
Основы аналоговых интегральных схем.
Усилительные каскады ИС.
Повторители напряжения.
Усилительный дифференциальный каскад.
Источники стабильного тока.
Каскады сдвига потенциальных уровней.
Операционный усилитель.
Повышение степени интеграции и направление функциональной электроники.
Проблемы повышения степени интеграции.
Матричные БИС.
Функциональная электроника -перспективное направление в микроэлектронике.
Элементы функциональной электроники на поверхностных акустических волнах.
Элементы функциональной электроники на цилиндрических магнитных доменах.
Устройство и принцип действия прибора с зарядовой связью.
Электронные приборы для отображения информации и фотоэлектрические приборы.
Электронно-лучевые приборы.
Электросветовые приборы.
Оптоэлектронные индикаторы.
Фотоэлектрические приборы.
Лампы бегущей волны.
Общие сведения.
Замедляющие системы.
Конструкция и принцип действия ЛБВ.
Элементы линейной теории ЛБВ.
Характеристики и параметры ЛБВ.
Тенденции развития электровакуумных приборов с длительным взаимодействием и их применение в технике связи.
Лавинно-пролетные диоды.
Взаимодействие носителей заряда с кристаллической решеткой в сильном электрическом поле.
Статический режим работы ЛПД. Лавинный пробой p+-n-перехода.
Принцип действия генератора на ЛПД.
Элементы нелинейной теории ЛПД.
Конструкции, параметры и применение генераторов на ЛПД.
СВЧ-усилители и умножители частоты на ЛПД.
Физические основы квантовой электроники.
Квантовые переходы и вероятности излучательных переходов.
Ширина спектральной линии.
Возможность усиления электромагнитного поля в квантовых системах.