Учеб. пособие. – СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ". – 2005. – 84 с. –
ISBN 5-7629-0684-2
ч/б скан 600 dpi, OCR. Рассмотрены физико-химические аспекты технологии материалов электронной техники, детально изложены некоторые разделы термодинамики химических и фазовых равновесий, которые служат основой технологии получения материалов и структур электронной техники с заданными составом и свойствами.
Предназначено для проведения занятий и выполнения курсовой работы по дисциплине: "Физико-химические основы технологии материалов и изделий электронной техники" для студентов 3 и 4 курсов, обучающихся по специальностям 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника", 071400 "Физическая электроника", 200300 "Электронные приборы и устройства" и 201900 "Микросистемная техника", по направлению 654100 "Электроника и микроэлектроника", а также для магистрантов, аспирантов и научных сотрудников, работающих в области твердотельной электроники. Оглавление
Введение
Основные положения и особенности химической термодинамики
Физико-химическое управление свойствами полупроводниковых фаз переменного состава
Модели точечных дефектов в соединениях АВ
Квазихимическое описание процессов образования и ионизации точечных дефектов с учетом равновесия твердая фаза - пар
Решение системы уравнений, связывающих константы равновесия квазихимических реакций
Расчет граничных значений давлений пара компонентов
Расчет и построение зависимостей концентрации точечных дефектов и носителей заряда от давления пара и температуры
Р-Т-х-диаграммы состояния и их применение для определения термодинамических условий получения фазы АВ с заданными свойствами
Применение Р-Т-х-диаграммы для определения энергии активации квазихимических процессов
Определение природы доминирующих дефектов в некоторых соединениях АВ
Термодинамический анализ условий получения полупроводниковых материалов с заданными типом и концентрацией носителей заряда из газовой фазы
Термодинамический анализ физико-химического процесса
Термодинамический анализ равновесия собственных точечных дефектов и носителей заряда в полупроводниковых фазах переменного состава
Анализ процессов окисления полупроводниковых соединений методом построения диаграмм парциальных давлений
Метод диаграмм парциальных давлений и его возможности
Порядок построения диаграммы парциальных давлений (ДПД) в системе А-В-О
Построение диаграмм парциальных давлений в системе Sn-Te-O для различных температур
Фазовые равновесия в гетерогенных системах
Общие условия фазового равновесия в гетерогенных системах
Фазовые равновесия в однокомпонентных системах
Фазовые равновесия в многокомпонентных системах
Термодинамическое обоснование основных типов диаграмм состояния
Диаграмма состояния с неограниченной растворимостью компонентов в жидкой и твердой фазах
Диаграммы состояния с ограниченной растворимостью компонентов
Диаграммы состояния с химическим соединением
Заключение
Список литературы
ч/б скан 600 dpi, OCR. Рассмотрены физико-химические аспекты технологии материалов электронной техники, детально изложены некоторые разделы термодинамики химических и фазовых равновесий, которые служат основой технологии получения материалов и структур электронной техники с заданными составом и свойствами.
Предназначено для проведения занятий и выполнения курсовой работы по дисциплине: "Физико-химические основы технологии материалов и изделий электронной техники" для студентов 3 и 4 курсов, обучающихся по специальностям 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника", 071400 "Физическая электроника", 200300 "Электронные приборы и устройства" и 201900 "Микросистемная техника", по направлению 654100 "Электроника и микроэлектроника", а также для магистрантов, аспирантов и научных сотрудников, работающих в области твердотельной электроники. Оглавление
Введение
Основные положения и особенности химической термодинамики
Физико-химическое управление свойствами полупроводниковых фаз переменного состава
Модели точечных дефектов в соединениях АВ
Квазихимическое описание процессов образования и ионизации точечных дефектов с учетом равновесия твердая фаза - пар
Решение системы уравнений, связывающих константы равновесия квазихимических реакций
Расчет граничных значений давлений пара компонентов
Расчет и построение зависимостей концентрации точечных дефектов и носителей заряда от давления пара и температуры
Р-Т-х-диаграммы состояния и их применение для определения термодинамических условий получения фазы АВ с заданными свойствами
Применение Р-Т-х-диаграммы для определения энергии активации квазихимических процессов
Определение природы доминирующих дефектов в некоторых соединениях АВ
Термодинамический анализ условий получения полупроводниковых материалов с заданными типом и концентрацией носителей заряда из газовой фазы
Термодинамический анализ физико-химического процесса
Термодинамический анализ равновесия собственных точечных дефектов и носителей заряда в полупроводниковых фазах переменного состава
Анализ процессов окисления полупроводниковых соединений методом построения диаграмм парциальных давлений
Метод диаграмм парциальных давлений и его возможности
Порядок построения диаграммы парциальных давлений (ДПД) в системе А-В-О
Построение диаграмм парциальных давлений в системе Sn-Te-O для различных температур
Фазовые равновесия в гетерогенных системах
Общие условия фазового равновесия в гетерогенных системах
Фазовые равновесия в однокомпонентных системах
Фазовые равновесия в многокомпонентных системах
Термодинамическое обоснование основных типов диаграмм состояния
Диаграмма состояния с неограниченной растворимостью компонентов в жидкой и твердой фазах
Диаграммы состояния с ограниченной растворимостью компонентов
Диаграммы состояния с химическим соединением
Заключение
Список литературы