Учебное пособие для технических училищ. — М.: Высшая школа, 1984. —
176 с.: ил. — (Профессионально-техническое образование).
В книге описаны основные технологические процессы производства
полупроводниковых приборов и микросхем. Рассмотрены процессы
изготовления биполярного и МДП-транзисторов, а также интегральных
микросхем на их основе.
Пособие является программированным и содержит материал, обеспечивающий самоконтроль усвоения информации и исправление ошибок, возникающих в процессе работы учащихся. Введение.
Полупроводниковые материалы.
Основные свойства и классификация полупроводниковых материалов.
Кристаллическая структура полупроводников.
Носители заряда н электропроводность полупроводников.
Механическая обработка полупроводников.
Определение кристаллографической ориентации полупроводниковых слитков.
Разка полупроводниковых слитков на пластины.
Шлифовка полупроводниковых пластин.
Полировка полупроводниковых пластин.
Контроль качества механической обработки.
Химическая, ионная и плазмохимическая обработка поверхности полупроводниковых пластин.
Основные процессы химической обработки.
Очистка поверхности полупроводников.
Способы и технология отмывки поверхности полупроводников.
Определение чистоты поверхности полупроводников.
Химическое травление полупроводников.
Электрохимическое травление полупроводников.
Химическая и электрохимическая полировка полупроводников.
Ионно-лучевая, ионно-плазменная и плазмохимическая очистка и травление полупроводников.
Эпитаксиальное наращивание полупроводниковых слоев.
Получение эпитаксиальных слоев кремния химическим осаждением из паровой фазы.
Вакуумная и жидкостная эпитаксия.
Структура эпитаксиальных слоев.
Контроль эпитаксиальных слоев.
Легирование полупроводников.
Основные сведения о диффузии.
Способы проведения диффузии.
Воспроизводимость и контроль параметров диффузионных слоев.
Ионное легирование.
Получение тонкопленочных покрытий.
Классификация тонких пленок и методов их получения.
Вакуумно-термическое испарение.
Ионное распыление.
Ионно-плазменное распыление.
Высокочастотное плазменное и плазмохимическое распыление.
Термическое оксидирование кремния.
Анодное оксидирование.
Основные сведения о химическом осаждении из парогазовой фазы.
Способы химического осаждения из парогазовой фазы.
Электрохимическое (гальваническое) осаждение проводящих пленок.
Получение проводящих пленок контактным осаждением и каталитическим восстановлением.
Контроль тонких пленок.
Механические напряжения в тонких пленках.
Фотолитография.
Основные этапы процесса фотолитографии.
Формирование слоя фоторезиста.
Совмещение фотошаблона с подложкой и экспонирование.
Формирование рисунка рельефа в слое фоторезиста.
Формирование рисунка рельефа на подложке.
Проекционная фотолитография.
Электронолитография.
Рентгенолитография.
Изготовление фотошаблонов.
Фотошаблоны.
Изготовление оригиналов фотошаблонов.
Изготовление промежуточных фотооригиналов.
Фотохимическая обработка фотопластин.
Изготовление эталонных фотошаблонов.
Изготовление рабочих фотошаблонов.
Изготовление фотошаблонов на генераторах изображений.
Электрон но-лучевой метод изготовления фотошаблонов.
Монтаж полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Разделение пластин на кристаллы.
Крепление кристаллов в корпуса.
Присоединение проволочных выводов.
Беспроволочный монтаж.
Герметизация полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Корпуса полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Герметизация пайкой.
Герметизация электроконтактной сваркой.
Герметизация холодной сваркой.
Герметизация сваркой плавлением.
Герметизация пластмассами.
Контроль герметичности. Заключительные операции.
Изготовление полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Технологический процесс производства полупроводниковых приборов и микросхем.
Изготовление биполярных транзисторов.
Изготовление биполярных интегральных микросхем с изоляцией p-n-переходом.
Изготовление биполярных интегральных микросхем с комбинированной изоляцией (процесс "Изопланар").
Изготовление МДП-транзисторов.
Изготовление МПД-интегральных микросхем.
Изготовление гибридных интегральных микросхем.
Ответы и пояснения.
Литература.
Пособие является программированным и содержит материал, обеспечивающий самоконтроль усвоения информации и исправление ошибок, возникающих в процессе работы учащихся. Введение.
Полупроводниковые материалы.
Основные свойства и классификация полупроводниковых материалов.
Кристаллическая структура полупроводников.
Носители заряда н электропроводность полупроводников.
Механическая обработка полупроводников.
Определение кристаллографической ориентации полупроводниковых слитков.
Разка полупроводниковых слитков на пластины.
Шлифовка полупроводниковых пластин.
Полировка полупроводниковых пластин.
Контроль качества механической обработки.
Химическая, ионная и плазмохимическая обработка поверхности полупроводниковых пластин.
Основные процессы химической обработки.
Очистка поверхности полупроводников.
Способы и технология отмывки поверхности полупроводников.
Определение чистоты поверхности полупроводников.
Химическое травление полупроводников.
Электрохимическое травление полупроводников.
Химическая и электрохимическая полировка полупроводников.
Ионно-лучевая, ионно-плазменная и плазмохимическая очистка и травление полупроводников.
Эпитаксиальное наращивание полупроводниковых слоев.
Получение эпитаксиальных слоев кремния химическим осаждением из паровой фазы.
Вакуумная и жидкостная эпитаксия.
Структура эпитаксиальных слоев.
Контроль эпитаксиальных слоев.
Легирование полупроводников.
Основные сведения о диффузии.
Способы проведения диффузии.
Воспроизводимость и контроль параметров диффузионных слоев.
Ионное легирование.
Получение тонкопленочных покрытий.
Классификация тонких пленок и методов их получения.
Вакуумно-термическое испарение.
Ионное распыление.
Ионно-плазменное распыление.
Высокочастотное плазменное и плазмохимическое распыление.
Термическое оксидирование кремния.
Анодное оксидирование.
Основные сведения о химическом осаждении из парогазовой фазы.
Способы химического осаждения из парогазовой фазы.
Электрохимическое (гальваническое) осаждение проводящих пленок.
Получение проводящих пленок контактным осаждением и каталитическим восстановлением.
Контроль тонких пленок.
Механические напряжения в тонких пленках.
Фотолитография.
Основные этапы процесса фотолитографии.
Формирование слоя фоторезиста.
Совмещение фотошаблона с подложкой и экспонирование.
Формирование рисунка рельефа в слое фоторезиста.
Формирование рисунка рельефа на подложке.
Проекционная фотолитография.
Электронолитография.
Рентгенолитография.
Изготовление фотошаблонов.
Фотошаблоны.
Изготовление оригиналов фотошаблонов.
Изготовление промежуточных фотооригиналов.
Фотохимическая обработка фотопластин.
Изготовление эталонных фотошаблонов.
Изготовление рабочих фотошаблонов.
Изготовление фотошаблонов на генераторах изображений.
Электрон но-лучевой метод изготовления фотошаблонов.
Монтаж полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Разделение пластин на кристаллы.
Крепление кристаллов в корпуса.
Присоединение проволочных выводов.
Беспроволочный монтаж.
Герметизация полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Корпуса полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Герметизация пайкой.
Герметизация электроконтактной сваркой.
Герметизация холодной сваркой.
Герметизация сваркой плавлением.
Герметизация пластмассами.
Контроль герметичности. Заключительные операции.
Изготовление полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Технологический процесс производства полупроводниковых приборов и микросхем.
Изготовление биполярных транзисторов.
Изготовление биполярных интегральных микросхем с изоляцией p-n-переходом.
Изготовление биполярных интегральных микросхем с комбинированной изоляцией (процесс "Изопланар").
Изготовление МДП-транзисторов.
Изготовление МПД-интегральных микросхем.
Изготовление гибридных интегральных микросхем.
Ответы и пояснения.
Литература.