Методическое пособие по дисциплине «Основы САПР в
микроэлектронике». — Минск: БГУИР, 2007. — 43 с.
В пособии приведены общие сведения о программном комплексе SUPREM
III для компьютерного моделирования и проектирования технологии
изготовления интегральных микросхем. Описываются физические модели
технологических операций микроэлектроники, используемые в
программном комплексе SUPREM III, и порядок работы в среде модуля
GUI-SUPREM III. Содержится подробное описание директив на
выполнение моделирования и представлен пример моделирования
технологии формирования структуры биполярного n-p-n
транзистора. Модуль GUI-SUPREM III может использоваться в локальной
компьютерной сети, а также в глобальной сети Интернет в составе
специализированного программно-аппаратного комплекса.
Для студентов специальностей «Микро- и наноэлектронные технологии и системы», «Квантовые информационные системы» дневной, заочной и дистанционной форм обучения. Физико-математические модели технологических операций микроэлектроники, в программе SUPREM III.
Модели ионной имплантации.
Модели диффузии легирующих примесей.
Модель окисления.
Модель эпитаксии.
Модели осаждения и травления.
Расчет электрических характеристик моделируемой приборной структуры.
Описание программного модуля GUI-SUPREM III.
Основные характеристики модуля GUI-SUPREM III.
Работа в среде модуля GUI-SUPREM III.
Формирование входного файла с заданием на моделирование.
Задание параметров исходной подложки и расчетной сетки.
Задание параметров директивы на моделирование процесса ионной имплантации.
Задание параметров директивы на моделирование процесса диффузии примесей.
Задание параметров на моделирование процесса осаждения.
Задание параметров на моделирование процесса травления.
Задание параметров на моделирование процесса эпитаксии.
Директивы программы SUPREM III.
Контрольные вопросы.
Литература.
Приложение. Пример моделирования технологии формирования структуры биполярного n-p-n транзистора и его электрических характеристик с использованием модуля GUI-SUPREM III.
Для студентов специальностей «Микро- и наноэлектронные технологии и системы», «Квантовые информационные системы» дневной, заочной и дистанционной форм обучения. Физико-математические модели технологических операций микроэлектроники, в программе SUPREM III.
Модели ионной имплантации.
Модели диффузии легирующих примесей.
Модель окисления.
Модель эпитаксии.
Модели осаждения и травления.
Расчет электрических характеристик моделируемой приборной структуры.
Описание программного модуля GUI-SUPREM III.
Основные характеристики модуля GUI-SUPREM III.
Работа в среде модуля GUI-SUPREM III.
Формирование входного файла с заданием на моделирование.
Задание параметров исходной подложки и расчетной сетки.
Задание параметров директивы на моделирование процесса ионной имплантации.
Задание параметров директивы на моделирование процесса диффузии примесей.
Задание параметров на моделирование процесса осаждения.
Задание параметров на моделирование процесса травления.
Задание параметров на моделирование процесса эпитаксии.
Директивы программы SUPREM III.
Контрольные вопросы.
Литература.
Приложение. Пример моделирования технологии формирования структуры биполярного n-p-n транзистора и его электрических характеристик с использованием модуля GUI-SUPREM III.