М.: Атомиздат, 1968. — 347 с.
В книге дается обзор современного состояния экспериментальных и
теоретических исследований катодного распыления.
Рассмотрены вопросы практического использования этого явления в науке и технике. Указаны методы борьбы с распылением, когда оно вызывает нежелательные последствия.
Монография может оказать помощь инженерно-техническим и научным работникам электронной, электровакуумной, оптической и полупроводниковой промышленности.
В ней затрагиваются вопросы, которые могут заинтересовать инженеров-физиков, специалистов в области физики плазмы и твердого тела, металлофизиков и химиков, а также студентов. 300 dpi, ч/б+серый, постранично, распознано.. Предисловие.
Введение. Краткий исторический обзор.
Методы исследования
Катод в тлеющем разряде.
Зонд Ленгмюра в плазме низкого давления.
Мишень, распыляемая пучком ионов.
Распыление осколками деления ядер.
Ионный микропроектор.
Методы измерения коэффициента и скорости распыления.
Требования, предъявляемые при проведении количественных исследований распыления.
Характеристики эмиттированных частиц
Природа эмиттированных частиц.
Скорость эмиттированных частиц.
Угловое распределение эмиттированных атомов.
бина выхода эмиттированных атомов.
Влияние различных факторов на коэффициент распыления поликристаллов
Энергия ионов.
Импульс (скорость) ионов.
Угол падения ионов.
Атомный номер иона и атомов мишени.
Состояние поверхности и плотности тока ионов.
Давление газа и температура образца.
Распыление сплавов.
Краткие выводы.
Распыление монокристаллов
Методика исследований.
Эмиссия атомов из монокристаллов в направлениях плотной упаковки.
Зависимость направлений вылета атомов от типа решетки, плоскости среза н температуры монокристалла и от энергии, угла падения и массы иона.
Угловое распределение атомов в отдельных пятнах Венера.
Зависимость коэффициента распыления от ориентации граней кристаллов, кристаллографических направлений, плотности атомов на поверхности, энергии и массы иона.
Зависимость коэффициента распыления монокристаллов от угла падения иона.
Спектр скоростей и средняя кинетическая энергия атомов, эмиттированных вдоль основных кристаллографических направлений.
Механическая модель распыления Моргулиса.
Краткие выводы.
Взаимодействие ионов с твердыми веществами
Введение.
Типы соударений и потенциал взаимодействия между двумя ~ атомами.
Геометрическая фокусировка соударений атомов в направлениях <110) и (100) в гранецентрированных кубических кристаллических решетках.
Линзовая фокусировка столкновений атомов с замещением в направлениях < 100) и < 111 ) в гранецентрированных и объемноцентрированных кубических кристаллических решетках.
Внедрение ионов в металлы.
Поверхностные явления, создаваемые распылением.
Теория катодного распыления
Введение.
Теория распыления для пороговой области энергий.
Теория распыления для области абсолютно упругих соударений.
Теория распыления для области резерфордовских и экранированных кулоновских соударений атомов.
Теория распыления монокристаллов.
Термические теории распыления.
Краткие выводы.
Применение катодного распыления
Создание атомночистых поверхностей и удаление тонких слоев металлов.
Получение тонких пленок и их свойства.
Ионное травление.
Метод препарирования и электронной микроскопии.
Сорбционно-ионные насосы.
Химические реакции, сопровождающие распыление.
Борьба с электрическими пробоями.
Источники ионов, использующие катодное распыление.
Улучшение характеристик полупроводниковых приборов.
Другие области применения катодного распыления.
Катодное распыление в науке и технике
Основные методы борьбы с распылением.
Распыление оксидных катодов.
Распыление торированных и пленочных катодов.
Распыление автоэлектронных эмиттеров.
Распыление фотокатодов.
Распыление в экспериментальных термоядерных установках.
Распыление в ускорителях заряженных частиц.
Распыление в ионных ракетных двигателях.
Распыление метеоритов и поверхности Луны.
Устранение ионной бомбардировки.
Литература
Предметный указатель
Рассмотрены вопросы практического использования этого явления в науке и технике. Указаны методы борьбы с распылением, когда оно вызывает нежелательные последствия.
Монография может оказать помощь инженерно-техническим и научным работникам электронной, электровакуумной, оптической и полупроводниковой промышленности.
В ней затрагиваются вопросы, которые могут заинтересовать инженеров-физиков, специалистов в области физики плазмы и твердого тела, металлофизиков и химиков, а также студентов. 300 dpi, ч/б+серый, постранично, распознано.. Предисловие.
Введение. Краткий исторический обзор.
Методы исследования
Катод в тлеющем разряде.
Зонд Ленгмюра в плазме низкого давления.
Мишень, распыляемая пучком ионов.
Распыление осколками деления ядер.
Ионный микропроектор.
Методы измерения коэффициента и скорости распыления.
Требования, предъявляемые при проведении количественных исследований распыления.
Характеристики эмиттированных частиц
Природа эмиттированных частиц.
Скорость эмиттированных частиц.
Угловое распределение эмиттированных атомов.
бина выхода эмиттированных атомов.
Влияние различных факторов на коэффициент распыления поликристаллов
Энергия ионов.
Импульс (скорость) ионов.
Угол падения ионов.
Атомный номер иона и атомов мишени.
Состояние поверхности и плотности тока ионов.
Давление газа и температура образца.
Распыление сплавов.
Краткие выводы.
Распыление монокристаллов
Методика исследований.
Эмиссия атомов из монокристаллов в направлениях плотной упаковки.
Зависимость направлений вылета атомов от типа решетки, плоскости среза н температуры монокристалла и от энергии, угла падения и массы иона.
Угловое распределение атомов в отдельных пятнах Венера.
Зависимость коэффициента распыления от ориентации граней кристаллов, кристаллографических направлений, плотности атомов на поверхности, энергии и массы иона.
Зависимость коэффициента распыления монокристаллов от угла падения иона.
Спектр скоростей и средняя кинетическая энергия атомов, эмиттированных вдоль основных кристаллографических направлений.
Механическая модель распыления Моргулиса.
Краткие выводы.
Взаимодействие ионов с твердыми веществами
Введение.
Типы соударений и потенциал взаимодействия между двумя ~ атомами.
Геометрическая фокусировка соударений атомов в направлениях <110) и (100) в гранецентрированных кубических кристаллических решетках.
Линзовая фокусировка столкновений атомов с замещением в направлениях < 100) и < 111 ) в гранецентрированных и объемноцентрированных кубических кристаллических решетках.
Внедрение ионов в металлы.
Поверхностные явления, создаваемые распылением.
Теория катодного распыления
Введение.
Теория распыления для пороговой области энергий.
Теория распыления для области абсолютно упругих соударений.
Теория распыления для области резерфордовских и экранированных кулоновских соударений атомов.
Теория распыления монокристаллов.
Термические теории распыления.
Краткие выводы.
Применение катодного распыления
Создание атомночистых поверхностей и удаление тонких слоев металлов.
Получение тонких пленок и их свойства.
Ионное травление.
Метод препарирования и электронной микроскопии.
Сорбционно-ионные насосы.
Химические реакции, сопровождающие распыление.
Борьба с электрическими пробоями.
Источники ионов, использующие катодное распыление.
Улучшение характеристик полупроводниковых приборов.
Другие области применения катодного распыления.
Катодное распыление в науке и технике
Основные методы борьбы с распылением.
Распыление оксидных катодов.
Распыление торированных и пленочных катодов.
Распыление автоэлектронных эмиттеров.
Распыление фотокатодов.
Распыление в экспериментальных термоядерных установках.
Распыление в ускорителях заряженных частиц.
Распыление в ионных ракетных двигателях.
Распыление метеоритов и поверхности Луны.
Устранение ионной бомбардировки.
Литература
Предметный указатель