Ружников В.А. Электронно-дырочный переход

формат pdf
размер 400.4 КБ
добавлен 01 января 2012 г.

Самара: ПГУТИ, 2011. – 11 с.
Однородные полупроводники и однородные полупроводниковые слои находят весьма узкое применение и используются только в виде различного рода резисторов. Основные элементы интегральных микросхем и большая часть дискретных полупроводниковых приборов представляют собой неоднородные структуры.
Большая часть полупроводниковых приборов работает на основе явлений, происходящих в области контакта твердых тел. На практике используются контакты: полупроводник – полупроводник, полупроводник – металл, металл – диэлектрик – полупроводник.
Переход между двумя областями полупроводника с разнотипной проводимостью называется электронно-дырочным переходом или р-n-переходом.

Смотрите также

Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии

формат pdf
размер 20.97 МБ
добавлен 02 октября 2009 г.

Пер. с англ. - М. Мир, 1985. - 496 с. 22,0 Мб. В книге американских специалистов изложены физические принципы основных технологических процессов современной (на 1985 год) микроэлектроники, включая субмикронную литографию, сухое травление, лазерный и электронно-лучевой отжиг. рассмотрены перспективы совершенствования технологии и фундаментальные ограничения на дальнейшее развитие микроэлектроники. Для специалистов в области электронной техники,...

Гаман В.И. Физика Полупроводниковых Приборов (2-е изд)

формат djvu
размер 5.74 МБ
добавлен 19 марта 2010 г.

2-е пер. испр. и доп. изд. - Томск, 2000. - 456 с. Очень хороший учебник по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перхода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; электронные процессы в МДП-структурах; ПЗС системы; туннельные МДП-диоды; аналоговые транзисторы; функциональные возможности п/п диодов; диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности;...

Лекции - Полупроводники

Статья

формат pdf
размер 5.91 МБ
добавлен 02 ноября 2011 г.

Лекции. Полупроводники. Содержание: полупроводники, контактные явления в полупроводниках p-n переход, p-n переход при прямом смещении, вольт-амперная характеристика p-n перехода при прямом смещении, уравнение Шокли, p-n переход при обратном смещении, пробой p-n перехода, переходные процессы в p-n переходе, полупроводниковые диоды, выпрямительные диоды, импульсные диоды, диоды Шоттки, стабилитроны, варикапы, туннельные диоды.

Лекции - Физические основы электроники (ФОЭ)

Статья

формат doc
размер 11.07 МБ
добавлен 22 февраля 2011 г.

109стр. 2006г. Данное учебное пособие является кратким конспектом лекций и может быть использовано как дополнительная литература при изучении материалов учебников. Основы теории твердого тела. Строение твердых тел. Энергетические уровни и зоны. Собственная проводимость полупроводников. Глубокие уровни. Примесные полупроводники. Оптические и электрические свойства полупроводников. Жидко кристальные приборы для отображения информации. Физические эф...

Лекции Основы физики полупроводников

Статья

формат doc
размер 423 КБ
добавлен 31 января 2011 г.

На 23 страницах доступным языком выложены основы физики полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Виды полупроводников. Носители заряда в полупроводнике. Концентрация зарядов в полупроводнике. Равновесная концентрация зарядов в примесном полупроводнике. Неравновесная концентрация зарядов в полупроводнике. Токи в полупроводнике. Дрейфовый ток. Диффузионный ток. Уравнение непрерывности. Электронно-дырочный переход. Электронно-дырочный пере...

Лекции по ФОЭ

Статья

формат doc
размер 997.82 КБ
добавлен 17 сентября 2006 г.

Общие сведения об электронных приборах. Классификация. Режимы, характеристики и параметры электронных приборов Модели электронных приборов. Электрофизические свойства полупроводников. Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника. Метод расчета концентраций. Условие электрической нейтральности. Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках. Положение уровня Ферми в полупроводниках. Распределение н...

Ответы на билеты по ФОЭ, преподаватель Лобанов Ю.В

pottee

формат doc
размер 3.82 МБ
добавлен 21 июня 2009 г.

Ответы написанные по лекциям. для студентов групп МКС, РРиТ, СПР, ССК Электроника, ее основные области исследования; вакуумная, твердотельная, квантовая электроника, особенности физических процессов. Структура кристаллов. Типы кристаллических решеток. Классификация твердых тел по степени электропроводности Энергетические уровни и зоны твердого тела. Соотношение неопределенностей Гейзенберга. Разрешенные и запрещенные зоны. Потенциальная кинет...

Ответы по ФОЭ

Шпаргалка

формат doc
размер 134.07 КБ
добавлен 22 декабря 2011 г.

Зачет, УГАТУ, Уфа/Россия, Андреев И.Б., 2011, Полупроводниковый диод – это: Биполярный транзистор – это: Тиристор – это: Режимы работы биполярного транзистора при усилении электрических сигналов (указать все варианты): Режимы работы биполярного транзистора в качестве электронного ключа (указать все варианты): Вакуумный диод – это: Вакуумный триод – это: Схемы включения биполярного транзистора (указать все варианты): P-n-переход- это: Емкости p-n-...

Савиных В.Л. Физические основы электроники

формат doc
размер 685.88 КБ
добавлен 26 августа 2009 г.

Учебное пособие. Новосибирск: СГУТиИ, 2003г. -76с Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов Содержание. Введение. Основы теории электропроводности полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Полупроводники с собственной проводимостью. Полупроводники с электронной проводимостью. Полупроводники с дырочной проводимостью. Токи в полупроводни...

Филатов Б.Г., Шелест Д.К., Воротынцев В.Ю. Физико-химические основы технологии электронно-вычислительных средств: Лабораторный практикум

Практикум

формат pdf
размер 593.7 КБ
добавлен 26 января 2012 г.

СПбГУАП. СПб., 2005. 52 с.: ил. Приведены краткие теоретические сведения и методические указания к выполнению четырех лабораторных работ по курсу Физико-химические основы технологии электронно-вычислительных средств. Предназначен для студентов инженерных специальностей 200800 и 220500 всех форм обучения. - Исследование распределения удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки. - Исследование процесса термовакуумного напыления резист...