1983
Сборник объединяет работы участников II Всесоюзной конференции "Эллипсометрия - метод исследования физико-химических процессов на поверхности твердых тел", которая проходила 29 июня-1 июля 1981 г. в Новосибирске. Освещается широкий круг вопросов, таких как математическая обработка результатов эллипсометрических измерений, определение оптических характеристик материалов, применение эллипсометрии в физико-химических исследованиях, в полупроводниковой и оптической технологии, создание новых типов эллипсометров п автоматизированных эллипсометрических систем, способных давать уникальную информацию о состоянии поверхности и структуре тонких пленок.
Книга представляет интерес для ученых и инженеров-технологов, работающих в области физики и физической химии поверхности, полупроводниковой микроэлектроники и оптики тонких пленок
Содержание
A. В. Ржаное, К. К. Свиташев. Эллипсометрические методы исследования поверхности и тонких пленок
I. Теория эллипсометрического метода. Методы математической обработки результатов эллипсометрических измерений
М. И. Абаев. Метод эллипсометрического анализа неоднородных и многослойных структур
B. А. Антонов, О. С. Дронъ, В. И. Пшеницин. Эллипсометрия неоднородных поверхностных слоев н пленок
A. М. Бродский, М. И. Урбах. Зависимость эллипсометрических параметров от микроскопических свойств поверхности
Э. В. Касаткин. Комплекс новых программ для обработки результатов эллипсометрических измерений
B. Л. Кузьмин, А. В. Михайлов. Об определении физико-химических характеристик поверхностных слоев на основе результатов эллипсометрического эксперимента
М. С. Финарев. Решение обратной эллипсометрической задачи на микро-ЭВМ
В. А. Яковлев. Учет малых несовершенств оптических элементов в эллипсометрии анизотропных поверхностей
II. Определение оптических характеристик материалов методом эллипсометрии
Г. А. Бабонас, А. А. Реза. Исследование пьезогирационных констант кристаллов эллипсометрическим методом
A. Г. Пахомов, В. Я. Посыльный, А. Ф. Константинова. Применение эллипсометрии для исследования кристаллов
B. С. Стащук, В. И. Шкурат. Эллипсометрическпе исследования влияния слоя окисла на оптическпе характеристики некоторых переходных металлов
В. С. Стащук. Эллипсометрическпе исследования электронной структуры сплавов Fe-Со
И. А. Шайкевич, Л. В. Поперенко. Исследование структуры фундаментальной полосы поглощения никеля и сплава Ni0,91 Мn 0,09 в ближней УФ области спектра эллипсометрическим методом
III. Эллипсометрия в физико-химических исследованиях
В. А. Шепелин. Применение эллипсометрического метода в коррозионно-электрохимических исследованиях
Ю. Б. Алгазин. Эллипсометрическая модель адсорбционно-десорбционных процессов для системы кремний - кислород
Р. Б. Вендере, Р. П. Калныня, И. А. Фелтынъ, И. Р. Фрейвалде, И. Э. Эглитис, И. А. Эйманис. Эллппсометрический анализ переходной области Si-Si
Л. Н. Великодный, В. А. Шепелин, Э. В. Касаткин. Эллипсометрия рутениевого электрода
3. М. Зорин, М. Н. Чураееа. Построение оптической модели отражающей системы при эллппсометрическом исследовании физико-химических процессов
С. И. Кольцов, В. К. Громов, В. Б. Алесковский. Исследование методом иммерсионной эллипсометрии системы монокристаллический кремний - сверхтонкий слой оксида титана, синтезированный методом молекулярного наслаивания
В. К. Громов, С. И. Кольцов. Аномальное поведение эллипсометрических параметров системы подложка - титанкпслородный слой, наблюдаемое в процессе синтеза слоя методом молекулярного наслаивания на поверхности диэлектриков, полупроводников, металлов
Л. В. Костина, Е. Г. Кузнецова, В. М. Новаковский, Я. М. Колотыркин. Эллипсометрическое исследование фотостимулированного роста анодных пленок на пассивном титане
3. И. Кудрявцева, А. Г. Пшеничников, Л. А. Буркалъцева, Н. А. Жучкова, П. А. Шумилова. Исследование адсорбции кислорода и водорода на компактном никеле сочетанием эллипсометрического и электрохимического методов
IV. Эллипсометрия диэлектрических, металлических и полупроводниковых пленок. Применение эллипсометрии в полупроводниковой и оптической технологии
Б. М. Аюпов, Н. П. Сысоева, А. А. Титов. Изучение системы антимонид индия-анодная окисная пленка оптическими методами
Р. Б. Бендере, Р. П. Калныня, И. А. Фелтынъ, И. д. Эглитис, И. А. Эйманис. Эллипсометрические характеристики поверхности кремния после обработки в хлорсодержащей ВЧ плазме
Д. И. Биленко, Б. А. Дворкин, В. П. Полянская, С. Н. Краснобаев. Эллипсометрия диэлектрических слоев в процессе их формирования
Д. И. Биленко, Б. А. Дворкин. Эллипсометрический контроль неоднородных диэлектрических слоев
В. А. Одарич, В. А. Рубан. Эллипсометрические исследования поверхностных слоев, полученных диффузией примесей в гранатовых структурах
Ю. М. Ширшов, А. В. Набок, А. М. Доценко. Исследование профиля показателя преломления неоднородных диэлектрических слоев методом послойного травления
V. Экспериментальные методы и аппаратура для эллипсометрических измерений
Ю. А. Блюмкина. Современные проблемы и перспективы развития автоматизации эллипсометрических измерений
С. А. Алексеев, И. Г. Бронштейн, В. Т. Прокопенко, В. С. Рондарев. Автоматический эллипсометр с использованием СО2-лазера
Ю. А. Блюмкина, А. В. Архипенко. Прецизионная эллипсометрическая методика для псследования аморфных прозрачных материалов
В. С. Бернухов, В. Л. Селезнева. О возможности реализации суперахроматического фазосдвигающего устройства
В. П. Власов, Ю. А. Концевой, Е. Н. Кудрявцев, Р. Р. Резвый, М. С. Финарев. Оптимизация конструкции и параметров эллгшсометров для микроэлектроники
Е. И. Воронцова, В. К. Григорьев, В. И. Петровский. Возможности фотометрического метода для автоматизации ИК-эллипсометра
Г. А. Егорова, Э. С- Лонский, Е. В. Потапов, А. В. Раков, Т. В. Садовая. Определение линейных размеров элементов дифракционных решеток из зависимостей эллипсометрических параметров от порядка дифракции при различных углах падения
Г. А. Егорова, Э. С. Лонский, Е. В. Потапов, А. В. Раков, Т. В. Садовая. Эллипсометрия нулевого порядка для определения параметров дифракционных решеток на структуре SiО2-Si
А. С. Мардежов, А. И. Семененко, Т. Хасанов. Температурная зависимость параметров компенсатора
A. И. Пенъковский. Эллипсометрические методы измерения оптических постоянных сред при НПВО
Д. Д. Пилипко, И. П. Пугач. Прецизионный интерференционный эллипсометр
B. А. Конев, Н. П. Пунько, Б. Б. Севрук, В. В. Филиппов. Определение диэлектрических постоянных анизотропных слоев методом радиоволновой эллипсометрии на прохождение
Н. П. Пунько, В. А. Конев. К вопросу применения метода радиоволновой эллипсометрии для контроля качества диэлектрических пленок
C. П. Свиташева. О возможности комбинации методов эллипсометрии и спектроинтерферометрии на примере системы Si-SiО
A. С. Тибилов, Е. С. Кулик. Импульсный эллипсометр с электрооптической модуляцией
B. А. Трофимов. Интерференционная эллипсометрия
Ю. И. Урывский. А. А. Чуриков. Обзорная широколучевая эллипсометрия. Аппаратура. Методика измерений
И. А. Шайкевич, П. И. Дрозд, Л. В. Поперенко. Универсальная эллипсометрическая установка на основе ненулевого метода измерений
А. М. Шутов, В. В. Казанцев, А. К. Казаков. Сканирующий эллипсометр
Сборник объединяет работы участников II Всесоюзной конференции "Эллипсометрия - метод исследования физико-химических процессов на поверхности твердых тел", которая проходила 29 июня-1 июля 1981 г. в Новосибирске. Освещается широкий круг вопросов, таких как математическая обработка результатов эллипсометрических измерений, определение оптических характеристик материалов, применение эллипсометрии в физико-химических исследованиях, в полупроводниковой и оптической технологии, создание новых типов эллипсометров п автоматизированных эллипсометрических систем, способных давать уникальную информацию о состоянии поверхности и структуре тонких пленок.
Книга представляет интерес для ученых и инженеров-технологов, работающих в области физики и физической химии поверхности, полупроводниковой микроэлектроники и оптики тонких пленок
Содержание
A. В. Ржаное, К. К. Свиташев. Эллипсометрические методы исследования поверхности и тонких пленок
I. Теория эллипсометрического метода. Методы математической обработки результатов эллипсометрических измерений
М. И. Абаев. Метод эллипсометрического анализа неоднородных и многослойных структур
B. А. Антонов, О. С. Дронъ, В. И. Пшеницин. Эллипсометрия неоднородных поверхностных слоев н пленок
A. М. Бродский, М. И. Урбах. Зависимость эллипсометрических параметров от микроскопических свойств поверхности
Э. В. Касаткин. Комплекс новых программ для обработки результатов эллипсометрических измерений
B. Л. Кузьмин, А. В. Михайлов. Об определении физико-химических характеристик поверхностных слоев на основе результатов эллипсометрического эксперимента
М. С. Финарев. Решение обратной эллипсометрической задачи на микро-ЭВМ
В. А. Яковлев. Учет малых несовершенств оптических элементов в эллипсометрии анизотропных поверхностей
II. Определение оптических характеристик материалов методом эллипсометрии
Г. А. Бабонас, А. А. Реза. Исследование пьезогирационных констант кристаллов эллипсометрическим методом
A. Г. Пахомов, В. Я. Посыльный, А. Ф. Константинова. Применение эллипсометрии для исследования кристаллов
B. С. Стащук, В. И. Шкурат. Эллипсометрическпе исследования влияния слоя окисла на оптическпе характеристики некоторых переходных металлов
В. С. Стащук. Эллипсометрическпе исследования электронной структуры сплавов Fe-Со
И. А. Шайкевич, Л. В. Поперенко. Исследование структуры фундаментальной полосы поглощения никеля и сплава Ni0,91 Мn 0,09 в ближней УФ области спектра эллипсометрическим методом
III. Эллипсометрия в физико-химических исследованиях
В. А. Шепелин. Применение эллипсометрического метода в коррозионно-электрохимических исследованиях
Ю. Б. Алгазин. Эллипсометрическая модель адсорбционно-десорбционных процессов для системы кремний - кислород
Р. Б. Вендере, Р. П. Калныня, И. А. Фелтынъ, И. Р. Фрейвалде, И. Э. Эглитис, И. А. Эйманис. Эллппсометрический анализ переходной области Si-Si
Л. Н. Великодный, В. А. Шепелин, Э. В. Касаткин. Эллипсометрия рутениевого электрода
3. М. Зорин, М. Н. Чураееа. Построение оптической модели отражающей системы при эллппсометрическом исследовании физико-химических процессов
С. И. Кольцов, В. К. Громов, В. Б. Алесковский. Исследование методом иммерсионной эллипсометрии системы монокристаллический кремний - сверхтонкий слой оксида титана, синтезированный методом молекулярного наслаивания
В. К. Громов, С. И. Кольцов. Аномальное поведение эллипсометрических параметров системы подложка - титанкпслородный слой, наблюдаемое в процессе синтеза слоя методом молекулярного наслаивания на поверхности диэлектриков, полупроводников, металлов
Л. В. Костина, Е. Г. Кузнецова, В. М. Новаковский, Я. М. Колотыркин. Эллипсометрическое исследование фотостимулированного роста анодных пленок на пассивном титане
3. И. Кудрявцева, А. Г. Пшеничников, Л. А. Буркалъцева, Н. А. Жучкова, П. А. Шумилова. Исследование адсорбции кислорода и водорода на компактном никеле сочетанием эллипсометрического и электрохимического методов
IV. Эллипсометрия диэлектрических, металлических и полупроводниковых пленок. Применение эллипсометрии в полупроводниковой и оптической технологии
Б. М. Аюпов, Н. П. Сысоева, А. А. Титов. Изучение системы антимонид индия-анодная окисная пленка оптическими методами
Р. Б. Бендере, Р. П. Калныня, И. А. Фелтынъ, И. д. Эглитис, И. А. Эйманис. Эллипсометрические характеристики поверхности кремния после обработки в хлорсодержащей ВЧ плазме
Д. И. Биленко, Б. А. Дворкин, В. П. Полянская, С. Н. Краснобаев. Эллипсометрия диэлектрических слоев в процессе их формирования
Д. И. Биленко, Б. А. Дворкин. Эллипсометрический контроль неоднородных диэлектрических слоев
В. А. Одарич, В. А. Рубан. Эллипсометрические исследования поверхностных слоев, полученных диффузией примесей в гранатовых структурах
Ю. М. Ширшов, А. В. Набок, А. М. Доценко. Исследование профиля показателя преломления неоднородных диэлектрических слоев методом послойного травления
V. Экспериментальные методы и аппаратура для эллипсометрических измерений
Ю. А. Блюмкина. Современные проблемы и перспективы развития автоматизации эллипсометрических измерений
С. А. Алексеев, И. Г. Бронштейн, В. Т. Прокопенко, В. С. Рондарев. Автоматический эллипсометр с использованием СО2-лазера
Ю. А. Блюмкина, А. В. Архипенко. Прецизионная эллипсометрическая методика для псследования аморфных прозрачных материалов
В. С. Бернухов, В. Л. Селезнева. О возможности реализации суперахроматического фазосдвигающего устройства
В. П. Власов, Ю. А. Концевой, Е. Н. Кудрявцев, Р. Р. Резвый, М. С. Финарев. Оптимизация конструкции и параметров эллгшсометров для микроэлектроники
Е. И. Воронцова, В. К. Григорьев, В. И. Петровский. Возможности фотометрического метода для автоматизации ИК-эллипсометра
Г. А. Егорова, Э. С- Лонский, Е. В. Потапов, А. В. Раков, Т. В. Садовая. Определение линейных размеров элементов дифракционных решеток из зависимостей эллипсометрических параметров от порядка дифракции при различных углах падения
Г. А. Егорова, Э. С. Лонский, Е. В. Потапов, А. В. Раков, Т. В. Садовая. Эллипсометрия нулевого порядка для определения параметров дифракционных решеток на структуре SiО2-Si
А. С. Мардежов, А. И. Семененко, Т. Хасанов. Температурная зависимость параметров компенсатора
A. И. Пенъковский. Эллипсометрические методы измерения оптических постоянных сред при НПВО
Д. Д. Пилипко, И. П. Пугач. Прецизионный интерференционный эллипсометр
B. А. Конев, Н. П. Пунько, Б. Б. Севрук, В. В. Филиппов. Определение диэлектрических постоянных анизотропных слоев методом радиоволновой эллипсометрии на прохождение
Н. П. Пунько, В. А. Конев. К вопросу применения метода радиоволновой эллипсометрии для контроля качества диэлектрических пленок
C. П. Свиташева. О возможности комбинации методов эллипсометрии и спектроинтерферометрии на примере системы Si-SiО
A. С. Тибилов, Е. С. Кулик. Импульсный эллипсометр с электрооптической модуляцией
B. А. Трофимов. Интерференционная эллипсометрия
Ю. И. Урывский. А. А. Чуриков. Обзорная широколучевая эллипсометрия. Аппаратура. Методика измерений
И. А. Шайкевич, П. И. Дрозд, Л. В. Поперенко. Универсальная эллипсометрическая установка на основе ненулевого метода измерений
А. М. Шутов, В. В. Казанцев, А. К. Казаков. Сканирующий эллипсометр