прессование, спекание с выжиганием связки, размол, вторичное спекание,
вжигание электродов. В результате получается высококачественная керамика с
высокой нелинейностью, величина которой составляет 50-70. Нелинейность
варисторов на основе оксидных полупроводников связана не со свойствами
кристаллитов (мелкие монокристаллы, не имеющие ясно выраженной огранки), а
со свойствами межкристаллитных прослоек и потенциальных барьеров на
поверхности кристаллитов. Однако варисторы на основе оксида цинка менее
стабильны при работе и хранении, в них относительно легче получить большую
нелинейность ВАХ, чем в варисторах из карбида кремния. Конструктивное
оформление варисторов может быть различным в зависимости от назначения и
необходимых параметров – диски, таблетки, стержни, бусинковые или пленочные.
Нелинейность ВАХ варисторов обусловлена явлениями на точечных
контактах между кристаллами карбида кремния.
Рис.11. ВАХ варисторов: синие - на основе ZnO, красные - на основе SiC.
При малых напряжениях на варисторе может происходить туннелирование
электронов через тонкие потенциальные барьеры, существующие на поверхности
кристаллов (SiO). При больших напряжениях на варисторе и, соответственно, при
больших токах, проходящих через него, плотность тока в точечных контактах
становится большой. Все напряжение, проложенное к варистору, падает на
точечных контактах. Поэтому удельная мощность (мощность в единице объема),
выделяющаяся в точечных контактах, достигает таких значений, которые нельзя не
учитывать. Разогрев точечных контактов приводит к уменьшению их
сопротивления и к нелинейности ВАХ.
Сопротивление точечных контактов определяется сопротивлением
растекания, т.е. сопротивлением малых активных областей полупроводника под