75
Свойство ванны образовывать на катоде ровный по толщине слой
покрытия определяют как рассеивающую способность. Она тем лучше,
чем выше поляризация при осаждении. Поэтому ванны с комплексообра-
зователями (например, цианистые ванны) имеют лучшую рассеивающую
способность, чем кислые, так как металлоосаждение в них протекает при
повышенной поляризации.
Важнейшей характеристикой гальванического покрытия является его
структура. Ее определяют:
процессы кристаллизации;
структура металла основы:
тип электролита и параметры процесса (концентрация, плотность то-
ка, температура, перемешивание ванны);
выделение водорода или кислорода;
осаждение металлических, неметаллических, органических коллоид-
ных веществ (блескообразователи).
Типичным для гальванических покрытий является вертикальный
рост кристаллов в виде столбиков, причем в ряде случаев они принимают
кристаллическую
ориентацию подложки. Такая волокнистая структура
(текстура роста) нежелательна, так как она может ухудшить механиче-
ские свойства покрытия.
В РЭА от гальванических покрытий требуется высокая чистота,
беспористость, пластичность и равномерная толщина. Для этого
непрерывно разрабатываются новые электролиты и процессы. В целях
получения специальных физических и химических свойств покрытий
осаждению сплавов придается
особое значение. Практическое
применение находят сплавы Сu - Sn, Sn - Ni, Sn - Pb, Сu - Zn, Ni - Co, Fe -
Си, Ag - Ni, а также сплавы золота. Гальванически осажденные сплавы, в
отличие от оплавленных, термодинамически не уравновешены и
обнаруживают другие свойства, например пониженную коррозионную
стойкость. В современной технологии изготовления ПП известны процессы так
называемой прямой металлизации, когда осаждение гальванического
слоя идет непосредственно
на первичный слой, например, Pd, осажден-
ного на поверхность диэлектрика, минуя стадию химической металлиза-
ции. Тем не менее, основные реакции, используемые при такой техноло-
гии принципиально не отличаются от описанных выше.
6.13. ТРАВЛЕНИЕ В ПРОИЗВОДСТВЕ ПП
Важнейшей технологической операцией в производстве электронных
элементов и функциональных узлов является травление. Под этим пони-
мают химическое разрушение материала под действием газообразных
или жидких травителей. Продукты реакции в общем случае удаляются
благодаря подвижности травителя. Травление применяется для:
создания определенного рисунка металлических слоев, расположен-
ных на нетравящем диэлектрике (например, для получения рисунка
ПП
при субтрактивном методе);