движение
вызывает
деформацию,
и,
следовательно,
деформация
должна
контролироваться
теми
же
процессами,
которые
опреде
ляют
перемешение
дислокаций-i
В
теории
термически
активируе
мой
пластической
деформации-эти
процессы
рассматриваются
с
позиций
преодоления
дислокационными
отрезками
различных
препятствий
под
действием
приложенного
напряжения,
терми
ческого
возбуждения
(активации)
или
обоих
этих
факторов
од
новременна
•
.'
Такой
подход
с
успехом
используется
для
анализа
пластической
деформации
при
любой
температуре.
При
движении
дислокаций
в
кристалле
им
приходится
пре
одолевать
близко-
и
дальнодействуюшие
поля
упругих
напряже
ний
от
препятствий
(рис.
47).
Путем
термической
активации
могут
преодолеваться
только
близкодействуюшие
препятствия.
Для
это
го
необходимо,
чтобы
относительно
небольшое
количество
ато
мов
в
области
дислокаций
у
препятствия
в
результате
тепловых
флуктуаций
приобрело
энергию,
достаточную
для
преодоления
этого
препятствия
при
напряжении,
меньшем
того,
которое
тре
буется
для
его
преодоления
всей
дислокацией.
Таким
образом,
напряжение,
необходимое
для
перемешения
дислокаций,
скла
дывается
из
двух
составляюших
-
атермического
l
G
и
термически
активируемого
напряжения
1/1
= l
G
+
1).
t
t
o
t,
+
O~------~--~~~+-------------~-
Рис.
47.
Поле
внyrренних
напряжений
(1),
преодолеваемых
дислокаuией
при
движении
через
кристалл
(1,
-
длина
волны
поля
напряжений
дальнего
порядка):
1
и
2 -
поля
напряжений
ближнего
и
дальнего
порядка
соответственно
95