Задачи по полупроводникам

Минск, Наука и техника, 1975 г. 464 стр. В книге с единой точки зрения излагается теория поглощения и усиления света, спонтанной и стимулированной рекомбинации в полупроводниках. Особое внимание уделено взаимодействию вещества с мощными потоками излучения, которые приводят к появлению эффектов насыщения. Впервые в монографической литературе по полупроводникам рассмотрен ряд принципиальных вопросов теории люминесценции: изложена методика вычислени...

10 решенных задач с подробным разбором по предмету Основы теории цепей на тему: Основные законы и методы анализа электрических цепей постоянного тока. Законы Ома для неоднородного и однородного участков цепи. Законы Кирхгофа. Метод контурных токов. Метод узловых потенциалов и двух узлов. Метод наложения. Метод эквивалентного генератора. Теорема о компенсации. Электрическая мощность и передача энергии.

РГАТА, Рыбинск, 3-й курс, Вариант 30. Задачи 1а, 7б, 11б, 20а, 23в + Ответы на теоретические вопросы. Решение задач на темы: "Основы зонной теории и статистика носителей заряда", "Неравновесные носители, процессы генерации и рекомбинации в полупроводниках", "Электропроводимость полупроводников", "Контактные явления", "Биполярный транзистор"

Контрольная работа по ФОЭ (СибГУТИ) доц. Савиных В. Л. 4 задачи. 1,2,3 задачи - 1 вариант, 4-я задача - 1вариант Приложены файлы для построения графиков. кому надо, тот разберётся.

Программа для расчета элементов ГИС. Руководство по использованию программы: Установка и запуск программы. Расчет тонкопленочных резисторов. Расчет переходных контактов. Расчет пленочных конденсаторов. Расчет теплового режима работы ИС. Литература. Программа, разработанная в данном дипломном проекте, соответствует требованиям современных операционных систем об использовании стандартных элементов пользовательского интерфейса, что значительно облег...

Перевод с испанского С. И. Баскакова. Под редакцией проф. В. А. Терехва. Издательство "Высшая школа" 1991. 352 страницы. В книге детально, на высоком физико-математическом уровне рассматриваются вопросы функционирования основных полупроводниковых приборов - дискретных и в интегральном исполнении (диодов, биполярных и полевых транзисторов), а также физические основы интегральной технологии. Весь материал разбит на порции, включающие теоретически...

Настоящая коллективная монография содержит теоретические и экспериментальные результаты по использованию ряда силицидов, нитридов и боридов тугоплавких металлов в технологии формирования контактов для полупроводниковых приборов и СБИС. Авторы, опираясь на собственные исследования и литературные данные, на конкретных примерах показывают перспективность использования фаз внедрения (TiNx, TiBx, ZrBx, NbNx) для создания контактов к широкозонным полуп...

Пер. с англ. И. И. Решиной. Под ред. Б. П. Захарчени. — 3-е изд. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. — 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" содержит детальное объяснение электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников и полупроводниковых наносистем. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных р...

3-е изд. М. Физматлит. 2002. 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов...