• формат djvu
  • размер 11.57 МБ
  • добавлен 04 октября 2009 г.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Пер. с англ
2-е перераб. и доп. изд. - М. Мир, 1984.
Монография написана известным американским специалистом в области полупроводниковой электроники.
Книга 1 (456 с. ) посвящена физике биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p-n переходом и барьером Шоттки).
Книга 2 (456 с. ) посвящена физике приборов на туннельном эффекте и оптоэлектронных устройств (светодиодов, лазеров, фотодетекторов и солнечных батарей).
Для научных работников и инженеров, работающих в области электроники и вычислительной техники, а также для студентов старших курсов вузов.
Смотрите также

Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов

  • формат djvu
  • размер 2.31 МБ
  • добавлен 28 мая 2009 г.
Томск, 1989. - 336 с. Один из лучших известных учебников по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перхода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; функциональные возможности п/п диодов; диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности; биполярные и полевые транзисторы; приборы с ВАХ S-типа.

Горбунов Ю.И., Козырь И.Я. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы

  • формат djvu
  • размер 1.48 МБ
  • добавлен 29 августа 2011 г.
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .3. - М.: Высшая школа, 1989. - 143 с.: ил. В книге приведены основы физики и принципы действия важнейших полупроводниковых приборов, используемых в качестве дискретных компонентов и элементов интегральных микросхем. Рассмотрены особенности и классификация интегральных микросхем. Описаны базовые элементы цифровых микросхем и принципы построения...

Кузьмин В.А., Сенаторов К.Я. Четырехслойные полупроводниковые приборы

  • формат djvu
  • размер 2.48 МБ
  • добавлен 07 июля 2010 г.
-М., Энергия, 1967. Описываются устройство, принцип действия, характеристики, параметры и некоторые применения четырехслойных полупроводниковых приборов. Дана теория статических характеристик и электрических переходных процессов при переключении приборов. Описаны экспериментальные исследования свойств приборов и методы измерения электрических характеристик и параметров. Книга предназначена для инженеров, научных работников, аспирантов и студенто...

Курносов А.И. Материалы

  • формат djvu
  • размер 859.78 КБ
  • добавлен 29 августа 2011 г.
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .2. - М.: Высшая школа, 1989. -96 с.: ил. В книге описаны электрофизические свойства и строение материалов, используемых при производстве полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Рассмотрены полупроводниковые материалы, материалы, применяемые при их механической и химической обработке, фотолитографии, диффузии, защите и герметизац...

Лекции - Полупроводниковые приборы

Статья
  • формат doc
  • размер 722.76 КБ
  • добавлен 01 апреля 2007 г.
Целью изучения дисциплины является формирование у студентов знаний о конструкциях, принципах действия, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, о физических основах функционирования полупроводниковых приборов, о режимах их работы и влиянии режимов на параметры и характеристики приборов. Материал дисциплины базируется на знаниях, полученных при изучении курсов: "физика", "ТОЭ", "ФОЭТ". Физика полупроводников. Теория p-n перехода...

Минайчев В.Е. Нанесение плёнок в вакууме

  • формат djvu
  • размер 1.06 МБ
  • добавлен 31 августа 2011 г.
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 6. - М.: Высшая школа, 1989. - 96 с.: ил. В книге описаны технологические процессы нанесения тонких пленок в вакууме в производстве полупроводниковых приборов и ИМС: термическое испарение и ионное распыление (в том числе диодное и магнетронное распыление, высокочастотный и реактивный методы ионного распыления). Рассмотрены основы построения ва...

Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы

  • формат djvu
  • размер 23.41 МБ
  • добавлен 05 марта 2010 г.
М.: Высшая школа, 1979, 279 с. В книге рассматриваются физические основы работы полупроводниковых приборов различных типов и классов. Приводятся основные параметры и характеристики приборов, а также принципы управления ими. Кратко рассмотрены конструктивное оформление полупроводниковых приборов, технология их изготовления и области применения. Даны также краткие сведения по микроэлектронике. Предназначается для учащихся радиотехнических техникумо...

Семёнов Ю.Г. Контроль качества

  • формат djvu
  • размер 989.06 КБ
  • добавлен 31 августа 2011 г.
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 10. - М.: Высшая школа, 1990. - 111 с.: ил. В книге описаны методы и технические средства контроля и измерений параметров полупроводниковых приборов и ИМС, а также различные виды их испытаний. Приведены основы статистической обработки результатов измерений и испытаний. Рассмотрены типовые измерительные схемы и компоновка высокопроизводительных...

Соклоф С. Аналоговые интегральные схемы

  • формат djvu
  • размер 4.96 МБ
  • добавлен 02 ноября 2010 г.
М., Мир, Пер. с англ. , 1988 г. , 585 стр. Приводится теория работы и технология изготовления полупроводниковых приборов (БТ, МДП, ПТШ и др. ), методика расчета, анализа характеристик и топологии схем на операционных усилителях (ОУ) и дифференцирующих каскадах. Для студентов радиотехнических и радиофизических специальностей вузов.

Тейлор П. Расчет и проектирование тиристоров

  • формат djvu
  • размер 1.79 МБ
  • добавлен 01 марта 2010 г.
Пер. с англ. М.: Энергоатомиздат, 1990. - 208 с.: иллюстрации Обобщены результаты в области дискретных силовых полупроводниковых приборов. Вопросы проектирования увязаны с существующими и перспективными процессами изготовления мощных тиристоров. Рассмотрена работа новых типов приборов: запираемых тиристоров, гибридов полевого транзистора с тиристором, МОП-транзисторов с встроенной областью пространственного заряда. Для широкого круга специалистов...