Аншелес О.М., Татарский В.Б., Штернберг А.А. Скоростное выращивание однородных кристаллов из растворов

Отв. ред. - акад. АН СССР Буслаев Ю.А. - Дониш, 1986. - 247 с. В монографии рассматриваются методы выращивания лазерных диэлектрических кристаллов. Рассмотрение и систематизация методов ведётся с позиций, предъявляемых современной техникой к активным материалам твёрдотельных лазеров. Поэтому данную работу можно рассматривать как введение в материаловедение твёрдотельной квантовой электроники. С целью лучшей иллюстрации материала в работе приводят...

М.: Наука, 1980. - 408 с. Третий том посвящен научным и практическим вопросам образования кристаллов. В первой части систематически изложены основные представления о фундаментальных явлениях кристаллизации. Здесь рассмотрены: термодинамические движущие силы кристаллизации; структура фазовой границы между кристаллом и его паром, раствором и расплавом; образование зародышей в объемах переохлажденных фаз и на твердых поверхностях; эпитаксия; кинетик...

Л., Недра, 1983. - 200с. с илл. Эта книга позволяет почувствовать, что такое кристаллы, т. к. описывает реальный опыт получения кристаллов в лабораторных условиях. Основные представления теории роста кристаллов из растворов. Подготовка к выращиванию кристаллов. Приемы работы. Техническое оснащение лаборатории.

М.: Недра, 1965. – 156 с. В книге излагается теория и практика методов исследования и определения минералов и искусственных кристаллических продуктов с помощью поляризационного микроскопа. Оглавление: Предисловие Кристаллооптическая методика Введение Преломление света в кристаллах Поляризация света в кристаллах Поляризационный микроскоп Оптическая индикатриса Измерение углов под микроскопом. Характер погасания кристаллов разных сингоний. Погасан...

М.: Наука, 1978. -268 с. Монография посвящена разработке научных основ выращивания кристаллов из растворов. Рассмотрены теоретические основы представления о растворимости и кристаллизации. Основные технологические параметры кристаллизации связываются с морфологией и механизмом роста кристаллов.

М. Наука, 1978. 268 с. Монография посвящена разработке научных основ выращивания кристаллов из растворов. Рассмотрены теоретические основы представления о растворимости и кристаллизации. Основные технологические параметры кристаллизации связываются с морфологией и механизмом роста кристаллов.

ИЛ, 1961. -210 с. Учение о росте кристаллов значительно менее стройный и разработанный раздел науки о кристаллах, чем геометрическая кристаллография, кристаллофизика и кристаллохимия. Современные обзоры показывают, насколько разнороден и нередко противоречив тот теоретический и экспериментальный материал, который составляет его содержание. Тем не менее роль этой области знания очень велика. На ней основывается искусственное выращивание техническ...

Учеб. пособие для втузов. 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая шк. , 1984. - 376 с., ил. Симметрия кристаллов. Симметрия структуры кристаллов. Кристаллохимия. Физические свойства кристаллов. Физика реальных кристаллов. Рост кристаллов.

АН СССР. М. -Л. 1935. 176 с. Предисловие Общие сведения о кристаллах Природная форма кристаллов Закон постоянства углов Идеальная форма кристаллов Простые формы и комбинации Симметрия простых форм Строение кристаллов Параллелепипедальная система точек Закон целых чисел Симметрия строения кристаллов Связь между симметрией элементарной ячейки и симметрией строения Энантиоморфизм Двойники и закономерные сростки Закон кристаллической однородности Сим...

М.-Л.: Изд. Ан ссср, 1947. - 74 с. Оглавление. Введение. Основные свойства кристаллов. Естественные формы кристаллов. Постоянство углов кристаллических многогранников. Симметрия кристаллических многогранников. Самозарождение и рост кристаллов. Постоянство температуры плавления кристаллов. Спайность. Решетчатое строение кристаллов. Анизотропия физических свойств кристаллов. Упругость кристаллов. Двойное преломление. Пироэлектричество кристаллов....