• формат pdf
  • размер 2.21 МБ
  • добавлен 05 сентября 2012 г.
Балашов А.Г., Крупкина Т.Ю., Лосев В.В., Старосельский В.И. Наноэлектронные устройства и их модели
Учебное пособие. - Москва, МИЭТ, 2010. - 98 с.
Основные параметры МДП транзистора
Структуры наноразмерных МДПТ
Масштабирование МДП-транзисторов
Влияние параметров транзисторов на характеристики ИМС
Основные параметры идеализированного транзистора
Ограничение скорости носителей в канале
Модуляция длины канала
Коэффициент усиления
Подвижность носителей в канале
Подпороговый ток
Эффекты малых размеров
Модель МДПТ в SPICE
Учет технологических факторов разброса
Моделирование в TCAD как часть «проектирования для производства»
Использование метода Монте – Карло
Литература
Похожие разделы