Лабораторная работа - Описание конструкции элементов полупроводниковых ИМС с эскизами поперечных сечений

Лабораторная

формат doc
размер 65.19 КБ
добавлен 14 мая 2011 г.

ВлГУ 2011, специальность: вычислительная техника, дисциплина: конструкторско технологическое обеспечение производства ЭВМ
цели:
1. Изучить свойства и конструкцию исходных пластин (заготовок) для изготовления полупроводниковых ИМС.
2. Изучить конструкцию семи типов полупроводниковых ИМС по заданному варианту.
3. Изучить конструкцию и зарисовать эскизы топологии трех активных и одного пассивного элементов полупроводниковых ИМС по заданному варианту.
4. Произвести оптические измерения топологических размеров элементов и нанести их на эскизы топологии.

Смотрите также

Ван дер Зил. Шум: Источники, измерения, описание

формат djvu
размер 1.92 МБ
добавлен 18 мая 2010 г.

Ван дер Зил А. Шум. Источники, измерения, описание. (пер. с англ. ) - Москва Сов. радио, 1973 - 228 стр. В книге приводятся теоретические и экспериментальные сведения об источниках шума в в полупроводниковых приборах. Содержание: Введение. Математические методы. Описание шумов. Измерение шума. Тепловой шум и шум генерации-рекомбинации. Дробовой шум, шум токораспределения и фликкер-шум. Шум в конкретных устройствах. Смесители. Приложение.

Горбунов Ю.И., Козырь И.Я. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы

формат djvu
размер 1.48 МБ
добавлен 29 августа 2011 г.

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .3. - М.: Высшая школа, 1989. - 143 с.: ил. В книге приведены основы физики и принципы действия важнейших полупроводниковых приборов, используемых в качестве дискретных компонентов и элементов интегральных микросхем. Рассмотрены особенности и классификация интегральных микросхем. Описаны базовые элементы цифровых микросхем и принципы построения...

Гременок В.Ф., Тиванов М.С., Залесский В.Б. Солнечные элементы на основе полупроводниковых материалов

формат pdf
размер 6.38 МБ
добавлен 01 сентября 2011 г.

Минск. БГУ. 2007. 222 с. В коллективной монографии представлены наиболее важные результаты достижений последних лет по основным проблемам полупроводниковой гелиоэнергетики. В издании изложены не только теоретические аспекты той или иной проблемы, но и описаны технологии получения и конструкции по-лупроводниковых солнечных элементов и действующих модулей, а также показаны перспективы внедрения фотопреобразователй в практику. Книга будет полезна с...

Курносов А.И. Материалы

формат djvu
размер 859.78 КБ
добавлен 29 августа 2011 г.

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .2. - М.: Высшая школа, 1989. -96 с.: ил. В книге описаны электрофизические свойства и строение материалов, используемых при производстве полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Рассмотрены полупроводниковые материалы, материалы, применяемые при их механической и химической обработке, фотолитографии, диффузии, защите и герметизац...

Курносов А.И., Юдин В.В. Технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

формат djvu
размер 3.83 МБ
добавлен 01 июня 2009 г.

3-е издание, переработанное, дополненное. издательство "Высшая школа", 1986. - 368 с. В книге рассмотрены основы технологического процесса производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. В з-е издание вошли главы радиоционной обработке материалов и приборов, новейшие на то время конструкции корпусов интегральных микросхем, а также полупроводниковым материалам.

Курсовая работа - Полупроводниковые диоды

Курсовая работа

формат doc
размер 625 КБ
добавлен 28 сентября 2011 г.

Содержание. Введение. Назначение и область применения. Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия. Конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации. Эффекты...

Маллер Р., Кейминс Т. Элементы Интегральных Схем

формат djvu
размер 9.27 МБ
добавлен 16 июня 2010 г.

М., Мир, 1989 г. , 630 стр. Монография известных американских специалистов, которые в популярной форме излагают азы физики, рассматривают технологии формирования кремниевых ИС. В книге рассмотрены также принципы их действия, поднимаются проблемы расчета, создания конструкции, приведены прочие математические модели, которые применяют в целях проектирования самих элементов и цифровых (аналоговых) ИС на их базисе. В книге сделан акцент на математиче...

Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы

формат djvu
размер 8.67 МБ
добавлен 19 марта 2010 г.

2001 г. 5-е переработанное и иправленное издание известной книги по полупроводниковым приборам. Приведены физические свойства, конструкции, характеристики и режимы работы полупроводниковых приборов. Рассмотрены особенности применения приборов. Изложены физические основы построения моделей приборов.

Реферат - Структуры интегральных схем

Реферат

формат doc
размер 287.85 КБ
добавлен 15 ноября 2010 г.

Введение. Классификация интегральных микросхем. Структуры интегральных схем. Конструкции активных элементов полупроводниковых микросхем. Транзисторы типа n–p–n. Транзисторы типа p–n–p. Многоэмиттерные транзисторы (МЭТ). Многоколлекторные транзисторы (МКТ). Составные транзисторы. Интегральные диоды и стабилитроны. Диод Шотки и транзистор с диодом Шотки. Конструкции активных элементов полупроводниковых микросхем. МНОП–транзисторы. МОАП–транзисторы....

Червяков Г.Г., Прохоров С.Г., Шиндор О.В. Электронные приборы

формат pdf
размер 2.42 МБ
добавлен 06 августа 2011 г.

Казань: Казан. гос. техн. ун-т, 2009. - 270 с. Учебное пособие по факультативной дисциплине "Электронные приборы" предназначено для подготовки дипломированного специалиста по специальности 200101 "Приборостроение". Приведены основы физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Рассмотрены физические процессы, протекающие в полупроводниковых приборах, используемых в соврем...