Учебное пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся
по направлению подготовки 210100 «Электроника и микроэлектроника».
— М.: МИЭМ, 2009. — 97 с.
Данное пособие предназначено для студентов, обучающихся по
направлению подготовки дипломированных специалистов 654100 –
«Электроника и микроэлектроника» и ориентировано на дисциплину государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования «Твердотельная электроника». В пособии рассматриваются вопросы физики p-n-перехода, понимание которой совершенно необходимо при анализе работы подавляющего большинства объектов микро- и нано-электроники. Введение
Равновесное состояние p-n-перехода
Образование двойного заряженного слоя в p-n-переходе
Равновесная контактная разность потенциалов
Равновесная энергетическая диаграмма p-n перехода
Равновесная толщина области объемного заряда
Изменение области объемного заряда под действием внешнего смещения. Барьерная или зарядовая емкость p-n перехода
Распределение неосновных носителей вблизи области объемного заряда. Явление инжекции и экстракции
Диффузионная емкость p-n-перехода
Состояние термодинамического равновесия р-п-перехода
Стационарное состояние p-n-перехода при обратном смещении
Стационарное состояние p-n-перехода при прямом смещении
Диффузионная емкость. Понятие уровня инжекции
Прохождение тока через p-n-переход
Эстафета тока в p-n-переходе
Вольтамперная характеристика тонкого p-n-перехода
Влияние генерации и рекомбинации в области объемного заряда перехода на его ВАХ
Влияние сопротивления базовой области p-n-перехода на его ВАХ
Влияние температуры на обратный ток диода
Влияние температуры на прямую ветвь ВАХ диода
Импульсные и частотные характеристики
Поведение p-n перехода на малом переменном сигнале
Диффузионная емкость p-n перехода
Переходные процессы в p-n-переходе
Переходные процессы при подаче прямого смещения
Переходные процессы при переключении диода с прямого смещения на обратное
Пробой p-n-перехода
Тепловой пробой p-n-перехода
Лавинный пробой p-n-перехода
Туннельный пробой p-n-перехода
Библиографический список
Используемые обозначения
Свойства полупроводников
Фундаментальные физические постоянные
«Электроника и микроэлектроника» и ориентировано на дисциплину государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования «Твердотельная электроника». В пособии рассматриваются вопросы физики p-n-перехода, понимание которой совершенно необходимо при анализе работы подавляющего большинства объектов микро- и нано-электроники. Введение
Равновесное состояние p-n-перехода
Образование двойного заряженного слоя в p-n-переходе
Равновесная контактная разность потенциалов
Равновесная энергетическая диаграмма p-n перехода
Равновесная толщина области объемного заряда
Изменение области объемного заряда под действием внешнего смещения. Барьерная или зарядовая емкость p-n перехода
Распределение неосновных носителей вблизи области объемного заряда. Явление инжекции и экстракции
Диффузионная емкость p-n-перехода
Состояние термодинамического равновесия р-п-перехода
Стационарное состояние p-n-перехода при обратном смещении
Стационарное состояние p-n-перехода при прямом смещении
Диффузионная емкость. Понятие уровня инжекции
Прохождение тока через p-n-переход
Эстафета тока в p-n-переходе
Вольтамперная характеристика тонкого p-n-перехода
Влияние генерации и рекомбинации в области объемного заряда перехода на его ВАХ
Влияние сопротивления базовой области p-n-перехода на его ВАХ
Влияние температуры на обратный ток диода
Влияние температуры на прямую ветвь ВАХ диода
Импульсные и частотные характеристики
Поведение p-n перехода на малом переменном сигнале
Диффузионная емкость p-n перехода
Переходные процессы в p-n-переходе
Переходные процессы при подаче прямого смещения
Переходные процессы при переключении диода с прямого смещения на обратное
Пробой p-n-перехода
Тепловой пробой p-n-перехода
Лавинный пробой p-n-перехода
Туннельный пробой p-n-перехода
Библиографический список
Используемые обозначения
Свойства полупроводников
Фундаментальные физические постоянные