М.: Высшая школа, 1979, 279 с.
В книге рассматриваются физические основы работы полупроводниковых
приборов различных типов и классов. Приводятся основные параметры и
характеристики приборов, а также принципы управления ими. Кратко
рассмотрены конструктивное оформление полупроводниковых приборов,
технология их изготовления и области применения. Даны также краткие
сведения по микроэлектронике.
Предназначается для учащихся радиотехнических техникумов.
Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы
Смотрите также
Борисов В.Л. Лекции по электронным приборам
Радиофизический факультет СПбГПУ, 2 курс, 3 семестр. 178 стр. Полупроводниковые приборы. Физические основы электронных приборов. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды Транзисторы. Биполярный транзистор Полевые транзисторы. Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Лавинно-пролетный диод. Тиристоры. Диод Ганна. Светоизлучающие и фотоприемные приборы. Полупроводниковый лазер. Светоизлучающий диод. Фоторез...
Гаврилов Р.А., Скворцов А.М. Основы физики полупроводников
Настоящее учебное пособие написано в соответствии с утвержденной программой курса "Полупроводники и полупроводниковые приборы" для специальных средних технических учебных заведений. В книге рассказано о строении атомов и на этой основе дано описание строения твердых тел. Рассмотрены физические явления, происходящие в полупроводниках, и процессы, приводящие к возникновению тока в полупроводниковых кристаллах. Приведены физические процессы, происхо...
Зарядовые явления в структурах металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) в составе IGBT
Магистерская выпускная работа "Зарядовые явления в МДП-структурах в составе IGBT". МЭИ ТУ, 2007г., Кафедра "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", направление "Силовые полупроводниковые приборы". Работа содержит 102 стр. Идеальная МДП-структура. Приповерхностная область пространственного заряда. Ёмкость ОПЗ. Характеристики идеальной МДП-структуры. Реальная Si-SiO2 – МОП-структура. Дефекты в термических плёнках SiO2 на кремнии. Собственн...
Колосницын В.С., Стешенко П.П., Шульгов В.В. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы
Минск, Амалфея, 2002, 272 с. Учебное пособие написано в соответствии с учебной программой курса «Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы». Рассматриваются основы физики полупроводников, принципы действия и особенности полупроводниковых приборов, общие вопросы терминологии ИМС. Дано описание материалов, из которых изготовлены элементы микросхем и конструкций транзисторов. Для учащихся ПТУ приборостроения, электротехники и электроники.
Лекции - Полупроводниковые приборы
Целью изучения дисциплины является формирование у студентов знаний о конструкциях, принципах действия, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, о физических основах функционирования полупроводниковых приборов, о режимах их работы и влиянии режимов на параметры и характеристики приборов. Материал дисциплины базируется на знаниях, полученных при изучении курсов: "физика", "ТОЭ", "ФОЭТ". Физика полупроводников. Теория p-n перехода...
Москатов Е.А. Справочник по полупроводниковым приборам
Таганрог, – 219 с., ил. Перед Вами справочник, в который сведены наиболее широко распространённые и наиболее часто используемые на территории России и СНГ полупроводниковые приборы. Он не претендует на всеобъемлющее изложение информации, но полезен как подручный материал, в котором легко быстро найти нужную информацию. Справочник может быть весьма полезен инженерно-техническим работникам, радиолюбителям, техникам, студентам технических колледже...
Николаевский И.Ф. Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Выпуск 15
Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Сб. статей под ред. И. Ф. Николаевского, вып. 15. М., «Связь», 1975. 216 с. с ил. В сборник включены статьи, посвященные практическому использованию транзисторов в широкополосных и дифференциальных линейных усилителях, эмиттерных повторителях, генераторах и усилителях радиопередатчиков и в стабилизированных источниках питания. Ряд статей содержит материалы по применению тиристоров и однопереходн...
Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов
Учебник для вузов по специальности "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы". - 2-е издание, переработанное и дополненное - Москва: - Высшая школа, 1987. - 239 с. В книге изложены основы методов измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов, рассматриваются вопросы их практической реализации; даны условия и границы применения методов измерения; проведён анализ причин возникновения погрешностей
Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники
М.: ЮРАЙТ Высшее образование, 2009 год. 463 стр. Рассмотрены базовые полупроводниковые приборы современной микроэлектроники и физические процессы, обеспечивающие их работу. Анализируются статические, частотные и импульсные характеристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Рассмотрены предельные параметры современных приборов микроэлектроники (SOI MIS, HEMT, HBT). Для кажд...
Черепанов В.П. Аналоги отечественных и зарубежных диодов и тиристоров. Справочник
Издательство: КУбК-а (Москва). Год издания: 1997. ISBN: 5-85554-156-8. Страниц: 224. Справочник построен в виде таблицы, в которой приведены типо-номиналы отечественных диодов и тиристоров в соответствии с действующим рубрикатором на полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги с указанием различных фирм изготовителей США, Японии и Западной Европы. Для удобства работы книга разделена на две части. В первой части приведены зарубежные аналоги...