Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (кафедра
микро- и наноэлектроники), Москва, проф. Зебрев Г.И., 2011., 47
слайдов
Дисциплина «Микро- и наноэлектроника»
Кремниевая КМОП технология
Кремниевый МОП транзистор - основа современной электроники
Почему кремний?
Почему МОП транзистор?
МОП транзистор - классический прибор
Почему КМОП технология?
Барьер как необходимое условие цифровой электроники
Альтернативные материалы для электроники
Графен: Почему это интересно с практической точки зрения?
Цикл графеновой лихорадки
Предельные размеры графеновых структур
Свойства графена
Необычные физические свойства носителей в графене
Энергетический спектр графена
Эффект поля в графене
Туннельная генерация и рекомбинация в графеновом P-N переходе
Электрические проблемы с графеном
Графеновые наноленты
Двухслойный графен
Проблема энергетической щели в графене на специальных подложках
Возможность создания барьеров за счет "родных" изоляторов
Цифровая электроника
Аналоговая электроника
Высокочастотная (ВЧ) электроника
Графен для высокочастотной электроники
Радиационный отклик графеновых структур
Основные задачи моделирования полевых транзисторов на основе графена
Зонные диаграммы раздела графена с изолятором
Поверхностные состояния в графеновых структурах
Перезаряжаемые дефекты (ПС) на границе раздела графен-изолятор
Плотности носителей в графене как функции напряжения на затворе
Затворные емкостные характеристики графена с изолятором
Квантовая емкость в графене
Экспериментальные данные по квантовой емкости графена с изолятором
Метод извлечения плотности ПС по емкостным характеристикам
Зависимости квантовой емкости от уровня Ферми для 2-х экспериментальных групп и наш пересчет
Экспериментальные данные по квантовой емкости графена с изолятором
Моделирование сопротивление как функции затворного напряжения
Малосигнальные характеристики высокочастотных графеновых транзисторов
Выходная проводимость и крутизна ГПТ как функция VG и VD для разных ПС
Емкостные характеристики затвор-исток и затвор-сток как функция Vds
Частота отсечки при разных плотностях ПС
Несобственная проводимость в точке нейтральности
Генерация носителей в собственном графене
Будущее за монослойной электроникой?
Кремниевый МОП транзистор - основа современной электроники
Почему кремний?
Почему МОП транзистор?
МОП транзистор - классический прибор
Почему КМОП технология?
Барьер как необходимое условие цифровой электроники
Альтернативные материалы для электроники
Графен: Почему это интересно с практической точки зрения?
Цикл графеновой лихорадки
Предельные размеры графеновых структур
Свойства графена
Необычные физические свойства носителей в графене
Энергетический спектр графена
Эффект поля в графене
Туннельная генерация и рекомбинация в графеновом P-N переходе
Электрические проблемы с графеном
Графеновые наноленты
Двухслойный графен
Проблема энергетической щели в графене на специальных подложках
Возможность создания барьеров за счет "родных" изоляторов
Цифровая электроника
Аналоговая электроника
Высокочастотная (ВЧ) электроника
Графен для высокочастотной электроники
Радиационный отклик графеновых структур
Основные задачи моделирования полевых транзисторов на основе графена
Зонные диаграммы раздела графена с изолятором
Поверхностные состояния в графеновых структурах
Перезаряжаемые дефекты (ПС) на границе раздела графен-изолятор
Плотности носителей в графене как функции напряжения на затворе
Затворные емкостные характеристики графена с изолятором
Квантовая емкость в графене
Экспериментальные данные по квантовой емкости графена с изолятором
Метод извлечения плотности ПС по емкостным характеристикам
Зависимости квантовой емкости от уровня Ферми для 2-х экспериментальных групп и наш пересчет
Экспериментальные данные по квантовой емкости графена с изолятором
Моделирование сопротивление как функции затворного напряжения
Малосигнальные характеристики высокочастотных графеновых транзисторов
Выходная проводимость и крутизна ГПТ как функция VG и VD для разных ПС
Емкостные характеристики затвор-исток и затвор-сток как функция Vds
Частота отсечки при разных плотностях ПС
Несобственная проводимость в точке нейтральности
Генерация носителей в собственном графене
Будущее за монослойной электроникой?