Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников

  • формат pdf
  • размер 7.62 МБ
  • добавлен 06 февраля 2012 г.
Издание 2-ое. Учебник. Москва, 1978, 616 стр. с иллюстрациями Из предисловия к первому изданию Книга предназначена для лиц, занимающихся экспериментальными исследованиями в области физики полупроводников. Основное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической решетки, законам движения электрона в идеальном и возмущенном периодических полях, кинетическому уравнению и явлениям переноса (происхождения тока). Для чтения книги требуется...

Смирнов В.И. Физико-химические основы технологии электронных средств: учебное пособие

  • формат pdf
  • размер 1.06 МБ
  • добавлен 30 января 2012 г.
Ульяновск: УлГТУ, 2005.- 112 с. ISBN 5-89146-600-0 Рассмотрены основные технологические операции производства электронных средств с точки зрения физических явлений, сопутствующих или лежащих в основе той или иной операции. Основное внимание уделено технологии полупроводниковых микросхем, которые реализуются в приповерхностном слое полупроводниковой пластины. Рассмотрены также основные операции изготовления гибридных интегральных микросхем. Пособи...

Филатов Б.Г., Шелест Д.К., Воротынцев В.Ю. Физико-химические основы технологии электронно-вычислительных средств: Лабораторный практикум

Практикум
  • формат pdf
  • размер 593.7 КБ
  • добавлен 26 января 2012 г.
СПбГУАП. СПб., 2005. 52 с.: ил. Приведены краткие теоретические сведения и методические указания к выполнению четырех лабораторных работ по курсу Физико-химические основы технологии электронно-вычислительных средств. Предназначен для студентов инженерных специальностей 200800 и 220500 всех форм обучения. - Исследование распределения удельного поверхностного сопротивления резистивной пленки. - Исследование процесса термовакуумного напыления резист...

Демьянов В.В., Сидельцев C.В. Лабораторные работы по электронике часть 2

Практикум
  • формат pdf
  • размер 3.4 МБ
  • добавлен 23 января 2012 г.
Методические указания к лабораторным работам по курсам Физические основы электроники , Физические основы промэлектроники , Информационно-измерительная техника и электроника ГУ КузГТУ 2009

Репкин Д.А. Физические основы электроники

  • формат doc
  • размер 2.42 МБ
  • добавлен 23 января 2012 г.
Учебное пособие/ Репкин Д.А. – Киров: Изд-во ВятГУ, 2007. – 158 с. В пособии содержатся основные теоретические сведения из зонной теории и теории проводимости полупроводников, физические основы работы p-n-переходов и приборов на их основе, указаны технологические особенности применения диодов, описаны конструкция и технология производства интегральных микросхем. В учебном пособии приведен ряд задач для решения на практических работах и самостояте...

Курсовая работа - Расчет усилительного каскада с общим коллектором

Курсовая работа
  • формат doc
  • размер 445 КБ
  • добавлен 15 января 2012 г.
Курсовая работа. Содержание. Введение. Теоретическая часть: Принцип действия усилителя. Схема включения. Практическая часть: Схема. Расчет элементов схем. Выбор элементов схем. Заключение. Литература.

Ружников В.А. Электронно-дырочный переход

  • формат pdf
  • размер 400.4 КБ
  • добавлен 01 января 2012 г.
Самара: ПГУТИ, 2011. – 11 с. Однородные полупроводники и однородные полупроводниковые слои находят весьма узкое применение и используются только в виде различного рода резисторов. Основные элементы интегральных микросхем и большая часть дискретных полупроводниковых приборов представляют собой неоднородные структуры. Большая часть полупроводниковых приборов работает на основе явлений, происходящих в области контакта твердых тел. На практике испол...

Ответы по ФОЭ

Шпаргалка
  • формат doc
  • размер 134.07 КБ
  • добавлен 22 декабря 2011 г.
Зачет, УГАТУ, Уфа/Россия, Андреев И.Б., 2011, Полупроводниковый диод – это: Биполярный транзистор – это: Тиристор – это: Режимы работы биполярного транзистора при усилении электрических сигналов (указать все варианты): Режимы работы биполярного транзистора в качестве электронного ключа (указать все варианты): Вакуумный диод – это: Вакуумный триод – это: Схемы включения биполярного транзистора (указать все варианты): P-n-переход- это: Емкости p-n-...

Ягубов З.Х. Физические основы электроники

  • формат doc
  • размер 1.09 МБ
  • добавлен 18 декабря 2011 г.
Учебное пособие. - З. Х. Ягубов , С. В. Горшков. Ухта: УГТУ, 2002. - 99с., ил. ISBN 5-88179-387-0 Учебное пособие предназначено для студентов специальности 180400 - «Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов» и направления бакалавра 551300 - «Электротехника, электромеханика и электротехнологии».

Ягубов З.Х. Физические основы электроники: методические указания и контрольные задания

Практикум
  • формат pdf
  • размер 8.87 МБ
  • добавлен 18 декабря 2011 г.
- З. Х. Ягубов, И. А. Тарасенко. - Ухта: УГТУ, 2001. - 22 с., ил. Методические указания и контрольные задания предназначены для выполнения контрольных работ по дисциплине "Физические основы электроники" для студентов II курса ФБО "Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов" В методических указаниях даётся задание на выполнение контрольных работ, и формулируются требования к оформлению. Приводятся примеры расч...

Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников

  • формат pdf
  • размер 4.44 МБ
  • добавлен 17 декабря 2011 г.
Москва, Издательство Наука , 1978 год - 285 стр В книге рассматривается влияние облучения (как электромагнитного, так и корпускулярного) на адсорбционные и каталитические свойства проводников. Дается сжатая сводка экспериментального материала, затем развивается теория явления, приводится сравнение теорий с экспериментов. В книге отражается результаты работ авторов и их сотрудников. Теория фотоадсорбционного и фотокаталитического эффектов строится...

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники (конспект лекций)

  • формат pdf
  • размер 7.67 МБ
  • добавлен 30 ноября 2011 г.
Томск: Изд-во Томского политехнического университета, 2009. - 128 с. Конспект лекций включает в себя следующие основные разделы: Физические основы работы полупроводниковых приборов. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Классификация и обозначения полупроводниковых приборов.

Задачи по полупроводникам

Контрольная работа
  • формат doc
  • размер 51.06 КБ
  • добавлен 14 ноября 2011 г.
Задачи по физике для специальности АУ, 3 семестр. Собственная концентрация носителей; равновесная концентрация электронов и дырок; ширина запрещенной зоны; коэффициент диффузии электронов; удельное сопротивление образца легированного акцепторной примесью; отношение собственной удельной проводимости к минимальной; время жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике;скорость поверхностной рекомбинации.

Бондаренко Б.В. Эмиссия электронов и ионов из твердого тела в вакуум

  • формат djvu
  • размер 3.1 МБ
  • добавлен 08 ноября 2011 г.
Учебное пособие.- М.: Издательство МФТИ, 1982.- 83 с. Данное учебное пособие по курсу "Основы вакуумной электроники предназначено для студентов третьего курса факультета физической и квантовой электроники МФТИ в соответствии с учебным планом их подготовки по специальности 0631 - автоматика и электроника. Все виды электронной и ионной эмиссии изложены в едином методическом стиле на современном научно-техническом уровне с привлечением необходимого...

Гудкова С.А. Исследование структуры и свойств двух и трехкомпонентных оксидов TixAL1-xOy, сформированных методом атомарно-слоевого осаждения

Дисертация
  • формат pdf
  • размер 608.31 КБ
  • добавлен 06 ноября 2011 г.
Автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук, Долгопрудный – 2011, 21с. Специальность 01.04.07 – физика конденсированного состояния Работа выполнена в государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования Московский физико-технический институт (государственный университет). Целью работы являлось создание методики создания тонких пленок двух и трехкомпонентных оксидов TixAl1-xO...

Лыньков Л.М. и др. Легированные оксиды титана и циркония в технологии формирования защитных покрытий

Статья
  • формат pdf
  • размер 617.05 КБ
  • добавлен 06 ноября 2011 г.
Статья. Опубликована в Доклады БГУИР, №3, 2004, с.73-84 Тонкие диэлектрические пленки из различных материалов нашли широкое применение в полупроводниковой электронике, в том числе и микроэлектронике. Благодаря ряду уникальных физико-химических свойств, они используются в качестве буферных покрытий, стойких к воздействиям высокой температуры плазмы, коррозионных сред, медленных нейтронов, в качестве материала твердотельных электролитов и др. Наибо...

Задачи по Основам теории цепей

Контрольная работа
  • формат doc
  • размер 1.98 МБ
  • добавлен 06 ноября 2011 г.
10 решенных задач с подробным разбором по предмету Основы теории цепей на тему: Основные законы и методы анализа электрических цепей постоянного тока. Законы Ома для неоднородного и однородного участков цепи. Законы Кирхгофа. Метод контурных токов. Метод узловых потенциалов и двух узлов. Метод наложения. Метод эквивалентного генератора. Теорема о компенсации. Электрическая мощность и передача энергии.

Лекции - Полупроводники

Статья
  • формат pdf
  • размер 5.91 МБ
  • добавлен 02 ноября 2011 г.
Лекции. Полупроводники. Содержание: полупроводники, контактные явления в полупроводниках p-n переход, p-n переход при прямом смещении, вольт-амперная характеристика p-n перехода при прямом смещении, уравнение Шокли, p-n переход при обратном смещении, пробой p-n перехода, переходные процессы в p-n переходе, полупроводниковые диоды, выпрямительные диоды, импульсные диоды, диоды Шоттки, стабилитроны, варикапы, туннельные диоды.

Sapoval B., Hermann C. Physics of Semiconductors

  • формат pdf
  • размер 64.16 МБ
  • добавлен 29 октября 2011 г.
Springer, 1995, 318 pages Based on courses given at the Ecole Polytechnique in France, this book covers not only the fundamental physics of semiconductors, but also discusses the operation of electronic and optical devices based on semiconductors. It is aimed at students with a good background in mathematics and physics, and is equally suited for graduate-level courses in condensed-matter physics as for self-study by engineers interested in a...

Mukherjee M. (ed.) Silicon Carbide - Materials, Processing and Applications in Electronic Devices

  • формат pdf
  • размер 53.14 МБ
  • добавлен 28 октября 2011 г.
InTech. 2011. 558 p. Silicon Carbide (SiC) and its polytypes, used primarily for grinding and high temperature ceramics, have been a part of human civilization for a long time. The inherent ability of SiC devices to operate with higher efficiency and lower environmental footprint than silicon-based devices at high temperatures and under high voltages pushes SiC on the verge of becoming the material of choice for high power electronics and optoel...

Левинштейн М.Е., Пожела Ю.К., Шур М.С. Эффект Ганна

  • формат djvu
  • размер 4.16 МБ
  • добавлен 24 октября 2011 г.
М.: Сов. радио. 1975г - 285с. Описаны физические основы и практическое применение эффекта Ганна - одного из наиболее перспективных с прикладной точки зрения эффектов, открытых за последнее десятилетие в физике полупроводников. Значительное внимание уделено также целому ряду новых физических явлений, связанных с эффектом Ганна, в частности объёмному лазерному эффекту, генерации ультразвука в диодах Ганна, модуляции света. Рассмотрены принципы дейс...

Сенигов П.Н., Галишников Ю.П., Беглецов Н.Н. Руководство по выполнению базовых экспериментов Электронные приборы и устройства

  • формат doc
  • размер 21.96 МБ
  • добавлен 22 октября 2011 г.
Челябинск: Изд. ЮЦрГУ, 2004. - 104 с. Описаны состав и отдельные компоненты учебного лабораторного комплекса «Электронные приборы и устройства». Представлены электрические схемы соединений и их описания, а также указания по проведению базовых экспериментов. Руководство предназначено для использования при подготовке к проведению лабораторных занятий по дисциплинам «Теоретические основы электротехники», «Электротехника и основы электроники», «Осно...

Ладыгин Е.А. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники

  • формат djvu
  • размер 3.81 МБ
  • добавлен 06 октября 2011 г.
1980 г. В книге обобщены и изложены результаты отечественных и зарубежных исследований радиационных эффектов в различных изделиях электронной техники. Рассматриваются физические механизмы радиационных повреждений, природа и свойства радиационных дефектов в материалах и изделиях электронной техники. Даются основные расчетные соотношения, большое число экспериментально полученных зависимостей изменения параметров основных классов изделий электронно...

Ю, Петер Ю, Кардона М. Основы физики полупроводников

  • формат pdf
  • размер 1.43 МБ
  • добавлен 19 сентября 2011 г.
3-е изд. М. Физматлит. 2002. 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов...

Зюганов А.Н., Свечников С.В. Инжекционно-Контактные Явления в Полупроводниках

  • формат djvu
  • размер 4.28 МБ
  • добавлен 17 сентября 2011 г.
Киев, Наукова Думка, 256 стр., 1981 г. Изложена физика инжекционно-контактные явлений в полупроводниках, а также физические основы работы контакта металл — полупроводник, р—п перехода и гетероперехода. Рассматривается физическая модель гетероперехода, из которой получаются модели р—п перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник, р—п перехода и гетероперехода с уче...

Михайлов А.В., Родионов М.Г. Физические основы электроники: интегральные микросхемы

  • формат doc
  • размер 4.08 МБ
  • добавлен 26 августа 2011 г.
Учебное пособие. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010. – 80 с. В учебном пособии рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия компонентов электронной техники, а именно: операционные усилители, цифровые интегральные микросхемы, аналого-цифровые и цифроаналоговые преобразователи. Приводятся типовые структурные схемы электронных устройств. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 200100.62 «Приборостроение» и специальн...

Михайлов А.В. и др. Физические основы электроники: активные электронные компоненты и компоненты оптоэлектроники

  • формат doc
  • размер 2.48 МБ
  • добавлен 26 августа 2011 г.
Учебное пособие. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010. – 104 с. В учебном пособии рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия активных компонентов электронной техники, а именно: биполярные и полевые транзисторы, а также элементы оптоэлектронной техники. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 200100 «Приборостроение» и специальности 200106 «Информационно-измерительная техника и технологии», очной очно-заочной и за...

Михайлов А.В. и др. Физические основы электроники: пассивные компоненты электронных устройств

  • формат doc
  • размер 10.09 МБ
  • добавлен 26 августа 2011 г.
Учебное пособие. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2010. – 92 с. В учебном пособии рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом действия пассивных проводниковых и полупроводниковых компонентов электронной техники, а именно: резисторов, электрических конденсаторов, катушек индуктивности, трансформаторов электронной аппаратуры; электропроводность полупроводников, их основные свойства и характеристики, электрические переходы, полупроводниковые...

Березин В.М. Методы формирования тонкоплёночных структур

  • формат pdf
  • размер 1.27 МБ
  • добавлен 18 августа 2011 г.
Учебное пособие. - Челябинск, ЮУрГУ, 2010. – 96 с. Рассмотрены методы формирования тонких плёнок. Описаны особенности формирования тонких плёнок термовакуумным, ионным, молекулярно-лучевой эпитаксией, химическими и электрохимическими методами. Учебное пособие предназначено для студентов физического и приборостроительного факультетов, а также может быть полезно аспирантам и специалистам, занимающимся тонкоплёночными технологиями.

Шалаев А.М., Адаменко А.А. Радиационно-стимулированное изменение электронной структуры

  • формат djvu
  • размер 2.23 МБ
  • добавлен 17 августа 2011 г.
Рассмотрены процессы взаимодействия ионизирующего излучения с ионно-электронной системой металлических твердых тел, связь радиационного дефектообразования с локальными искажениями электронных состояний, процессы радиационно-стимулированной диффузии в гетерогенных системах, электронные свойства радиационных дефектов и изменение физических свойств на поверхности металлов в результате облучения. Книга рассчитана на специалистов в области физики' рад...

Шалаев А.М. Радиационно стимулированная диффузия в металлах

  • формат djvu
  • размер 1.91 МБ
  • добавлен 16 августа 2011 г.
Появление атомной энергетики явилось стимулом развития новой отрасли физики твердого тела — физике радиационного повреждения и ее практическому применению — атомному материаловедению. Многочисленные теоретические и экспериментальные работы в области радиационного материаловедения позволяют сделать вывод, что большинство процессов, протекающих в металлах и сплавах под воздействием ионизирующего излучения, сильно зависят от изменения диффузионной п...

Шиляев П.А., Павлов Д.А. Полупроводниковые гетероструктуры: гетеропереход

  • формат pdf
  • размер 870.11 КБ
  • добавлен 07 августа 2011 г.
Учебно-методическое пособие. – Нижний Новгород: ННГУ, 2009. – 18 с. Данное учебно-методическое пособие является дополнением к курсу «Физика низкоразмерных систем», читаемом на физическом факультете ННГУ для студентов, обучающимся по направлению подготовки 210600 «Нанотехнология». В пособии рассматривается метод построения энергетической диаграммы идеального гетероперехода по правилу электронного сродства и приводится методика расчета параметров...

Игумнов В.Н. Физические основы микроэлектроники

  • формат pdf
  • размер 7.54 МБ
  • добавлен 06 августа 2011 г.
Йошкар-Ола: Марийский государственный технический универ-ситет, 2010. – 272 с. Представлены базовые понятия квантовой механики, статической фи-зики, физики полупроводников и полупроводниковых приборов, контакт-ные и поверхностные явления и другие фундаментальные положения, не-обходимые при изучении курса «Физические основы микроэлектроники» и близких ему курсов. Показаны перспективы развития новых направле-ний микроэлектроники. Для студентов с...

Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках

  • формат djvu
  • размер 7.86 МБ
  • добавлен 02 августа 2011 г.
М., Мир, 1973 г., 458 стр. Монография известного американского специалиста Ж. Панкова посвящена физическим процессам взаимодействия света с полупроводниками, а также практическому использованию этих процессов в полупроводниковых лазерах, люминесцентных диодах, приемниках видимого и инфракрасного излучения. Книга снабжена большим количеством (около 400) иллюстраций — схем, графиков, чертежей, что делает ее полезной для инженерных расчетов, а та...

Плотников Г.С., Зайцев В.Б. Физические основы молекулярной электроники

  • формат pdf
  • размер 7.44 МБ
  • добавлен 20 июля 2011 г.
Учебное пособие. М.: Физический факультет МГУ, 2000 г. 164 стр., ISBN 5-211-04058-9 В учебном пособии рассмотрен широкий круг вопросов, касающихся механизмов передачи информации в молекулярных системах. Детально описаны принципы построения элементной базы устройств молекулярной электроники и технологические приемы синтеза наноструктур, используемых в таких устройствах. Для студентов старших курсов, аспирантов и научных работников физических спец...

Перевалов Т.В., Гриценко В.А. Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью

Статья
  • формат pdf
  • размер 822.34 КБ
  • добавлен 13 июля 2011 г.
Статья Опубликована в УФН. Обзоры актуальных проблем. 2010. Том 180, №6 с.587-603. Представлен обзор основных применений диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах. Рассмотрены основы метода функционала электронной плотности и его реализации в различных программных пакетах. Проанализированы результаты первопринципных расчётов электронной структуры для трёх наиболее важных и перспективных диэлектриков с высокой диэ...

Миллер Ю.Г. Физические основы надежности интегральных схем

  • формат djvu
  • размер 4.73 МБ
  • добавлен 30 июня 2011 г.
Рассмотрены вопросы теории и практики надежности интегральных схем (ИС). Обобщаются опубликованные в периодической литературе результаты физических исследований внезапных и постепенных отказов элементов гибридных тонкопленочных (ТП) ИС и полупроводниковых ИС, созданных на основе кремния. Приведены способы обеспечения и повышения надежности. Книга может быть полезной инженерам и научным работникам, занимающимся разработкой и производством ИС, а та...

Соколов Ю.Г., Николаев Я.Н., Шишков В.К. Транзисторные усилители низкой частоты

Практикум
  • формат jpg
  • размер 9.29 МБ
  • добавлен 30 июня 2011 г.
Методические указания к курсовому проектированию электронных устройств автоматики. КХТИ, для 51 групп 8 факультета - 2 курс.rn

Мозгова Г.В. Разработка стационарного метода и устройства для определения зависимостей теплопроводности и реологических характеристик неньютоновских жидкостей от скорости сдвига

Дисертация
  • формат doc
  • размер 98.88 КБ
  • добавлен 28 июня 2011 г.
Автореферат. диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. -Тамбов. 2007. Работа выполнена на кафедре «Автоматизированные системы и приборы» ГОУ ВПО «Тамбовский государственный технический универ-ситет». Научный руководитель; Мищенко Сергей Владимирович. Цель работы заключается в разработке стационарного метода и уст-ройства, обеспечивающих повышение точности измерения теплопровод-ности (за счет учета в математической модел...

Сердюк В.В. Физика солнечных элементов

  • формат djvu
  • размер 4.52 МБ
  • добавлен 25 июня 2011 г.
Учебное пособие посвящено теоретическим основам работы твердотельных фотоэлектричесих преобразователей световой энергии в электрическую.

Вакуумная СВЧ электроника: Сборник обзоров

  • формат djvu
  • размер 4.26 МБ
  • добавлен 23 июня 2011 г.
Книга содержит обзоры результатов, которая российская вакуумная СВЧ электроника может предложить мировому научно-техническому сообществу. Раздел 1: Приложения СВЧ-электроники Раздел 2: Разработки в области высокочастотной электроники Раздел 3: Исследования в области высокочастотной электроники Издательство: Нижний Новгород: Институт прикладной физики РАН Год: 2002 Страниц: 161

Левитский С.М. Радиоэлектроника

  • формат doc, docx, tif
  • размер 6.81 МБ
  • добавлен 22 июня 2011 г.
Курс лекций С. М. Левитского(заслуженного профессора АН Украины и КНУ имени Тараса Шевченка ) по радиоэлектронике. Правда вот на украинском языке. Содержание: - полупроводниковые устройства. - генераторы электрических сигналов. - усилители. - принципы радиосвязи. - элементы и узлы радиоустройств.

Иванов В.П., Пручкин В. А Физико-химические основы РЭС

Практикум
  • формат pdf
  • размер 622.54 КБ
  • добавлен 20 июня 2011 г.
Зубец В. В., Попов В. Ф. 2-е изд. Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2004. 56 с. Методическое пособие содержит указания к выполнению лабораторных работ по изучению структуры и электрических свойств материалов электронной техники, а также влияния на них внешних факторов. Лабораторные работы предназначены для студентов 2 курса дневного и вечернего отделений специальности 2008.

Лабораторная работа - Физико-химические основы технологии электронных средств. Часть 1

Лабораторная
  • формат pdf
  • размер 430.06 КБ
  • добавлен 20 июня 2011 г.
Шелохвостов В. П., Баршутин С. Н. -Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2004. Ч. 1. 32 с. Представлены лабораторные работы по основным физико-химическим процессам в технологии электронных средств: элементы, компоненты и топология интегральных средств, влияние температуры на скорость химической реакции, электролиз, химическое травление, очистка подложек, окисление кремния. Предназначены для студентов 3 и 4 курсов дневной и заочной форм обучения...

Полупроводники в современной физике. Иоффе А. 1954

  • формат djvu
  • размер 3.41 МБ
  • добавлен 16 июня 2011 г.
Полупроводники — новая область физики, получившая развитие всего лишь в последние двадцать пять лет, несмотря на то, что почти вся окружающая нас неорганическая природа состоит из полупроводящих веществ.

Иванов В.П. Физико-химические основы РЭС

Практикум
  • формат pdf
  • размер 486.07 КБ
  • добавлен 16 июня 2011 г.
Иванов В. П., Пручкин В. А., Зубец В. В., Попов В. Ф. – 3-е изд., стер. – Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2009. – 48 с. Даны методические указания и описание лабораторных работ, посвящённых исследованию различных физических характеристик полупроводниковых материалов, используемых в приборостроении. Предназначены для студентов специальности 2102010 дневной и заочной форм обучения.

Иванов В.П., Пручкин В.А. Физико-химические основы РЭС

Практикум
  • формат pdf
  • размер 657.7 КБ
  • добавлен 16 июня 2011 г.
Методическое пособие. Иванов В. П., Пручкин В. А., Зубец В. В., Попов В. Ф. - Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2001. 55 с. Методическое пособие содержит указания к выполнению лабораторных работ по изучению структуры и электрических свойств материалов электронной техники, а также влияния на них внешних факторов. Лабораторные работы предназначены для студентов 2 курса дневного и вечернего отделений специальности 2008.

Зятьков И.И., Максимов А.И., Мошников В.А. Сенсоры на основе полевых транзисторов

  • формат djvu
  • размер 1.56 МБ
  • добавлен 06 июня 2011 г.
Санкт-Петербург, издательство СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2002. - 56 с. Учебное пособие ISBN 5-7629-0474-1 Рассмотрены основные понятия и закономерности в области электродных явлений и мембранного транспорта, а также принципы работы и конструкции сенсоров на основе МДП-транзисторов. Рекомендуется студентам, обучающимся по специальности 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника" и магистрантам специализации 553122 "Физика сенсорных материалов и у...

Учебно-методический комплекс Физическая электроника для физиков

Статья
  • формат pdf
  • размер 2.04 МБ
  • добавлен 05 июня 2011 г.
«Уральский государственный университет им. А. М. Горького Физический факультет Кафедра общей и молекулярной физики, 2008, с.103 Лабораторный практикум «Физическая электроника» состоит из шести лабораторных работ: Эмиссия с термокатода в вакууме. изучение трубки Перрина. Определение знака и оценка величины удельного заряда частиц. Изучение зависимости спонтанного газового разряда в воздухе от давления. Ядерный магнитный резонанс в полистироле, гли...

Бондаренко Г.Г. и др. Оксидные пленки на поверхности металла: современное состояние исследований и проблемы практического использованияы

Статья
  • формат pdf
  • размер 1.01 МБ
  • добавлен 22 мая 2011 г.
Статья. Опубликована в Материалы VI Международной научно-технической конференции, 21 – 23 октября 2008 г. М. МИРЭА с.170-176 Одно из важнейших требований, предъявляемых к катодам газоразрядных лазеров – способность сохранять рабочие параметры при контакте эмитируюших по- верхностей с заряженными и ускоренными частицами, а также с газовой средой. Это обеспечивают защитные свойства тонкой оксидной или нитридной пленки. Особенно широко используются...

Мошников В.А., Спивак Ю.М. Атомно-силовая микроскопия для нанотехнологии и диагностики

  • формат pdf
  • размер 3.24 МБ
  • добавлен 21 мая 2011 г.
Учеб. пособие СПб.: Изд-во СПбГЭТУ ЛЭТИ, 2009, 80 с. ISBN 978-5-7629-0908-8 Рассматриваются различные методы сканирующей зондовой микроскопии и их применение в нанотехнологии и диагностике Предназначено для студентов. обучающихся по магистерским образовательным программам "Нанотехнология и диагностика", "Нано-и микросистемная техника". Гриф УМО вузов РФ по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации в к...

Марипов А.А. Физические основы электроники

  • формат djvu
  • размер 1.98 МБ
  • добавлен 07 мая 2011 г.
Политехнический университет им. И. Раззакова. для студентов технических вузов. издательство Полиграфбумресурсы, год издания 2010, 252 стр

Гусев С.А.(ред) Электрорадиоматериалы

Практикум
  • формат doc
  • размер 1.95 МБ
  • добавлен 07 мая 2011 г.
Методические указания к лабораторным работам. Изд. второе пер. и доп.; Балт. гос. техн. ун -т, СПб. , 2000, 25с. Ил. 26, табл. 18. Содержание. Исследование электрических свойств проводниковых материалов. Исследование свойств терморезисторов. Исследование свойств варисторов. Исследование свойств фоторезисторов. Исследование свойств сегнетоэлектриков. Исследование свойств ферромагнитных материалов.

Сайфутдинов Р.Х. Физические основы электроники

Практикум
  • формат doc
  • размер 1.58 МБ
  • добавлен 05 мая 2011 г.
Сборник лабораторных работ соответствует Государственным образовательным стандартам высшего профессионального образования направлений 654500 «Электротехника, электромеханика и электротехнологии», 657600 «Подвижной состав железных дорог». Сборник содержит описание пяти лабораторных работ по исследова-нию характеристик и параметров полупроводниковых приборов с помощью системы компьютерного моделирования электрических и электронных схем Electronics...

Свойства полупроводников, расчёт характеристик p-n перехода

Курсовая работа
  • формат docx
  • размер 423.15 КБ
  • добавлен 04 мая 2011 г.
Читинский Государственный Университет. Институт Технологических и Транспортных Систем. Кафедра физики и техники связи. Курсовая работа. по физическим основам электроники: Свойства полупроводников, расчет характеристик p-n перехода. Вариант №12. В работе производится расчет характеристик p-n перехода по заданным исходным данным.rn

Курсовая работа - расчете однофазного двухполупериодного выпрямителя, определение типа транзистора

Курсовая работа
  • формат docx
  • размер 264.95 КБ
  • добавлен 03 мая 2011 г.
Расчет однофазного двухполупериодного трансформатора. Основные характеристики выпрямителей. Выбор вентиля. Построение временных диаграмм и схемы выпрямления. расчет транзисторного усилителя. Транзисторы и их классификация. Выбор транзистора. Построение нагрузочной линии. Определение сопротивлений Rк и Rэ. Определение параметров входной цепи усилителя. Определение емкостей конденсаторов Ср и СЭ.rn

Билалов Б.А. (сост.) Технология материалов электронной техники: ионные процессы

Практикум
  • формат pdf
  • размер 184.55 КБ
  • добавлен 02 мая 2011 г.
Махачкала: Дагест. гос. ун-т, 2008. - 25с. (Каф. эксперим. физики). Учебно-методический комплекс. Составлен в соответствии с требованиями Государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования по специальности 200100 - Микроэлектроника и твердотельная электроника, направления подготовки - 654100 (Электроника и микроэлектроника). Дисциплина входит в цикл обшепрофессиональных специальных дисциплин и является обязательной...

Iniewski Krzysztof Radiation Effects in Semiconductors (Радиационные эффекты в полупроводниках)

  • формат pdf
  • размер 10.79 МБ
  • добавлен 29 апреля 2011 г.
CRC : 2010, ISBN: 1439826943, 431 pages Space applications, nuclear physics, military operations, medical imaging, and especially electronics (modern silicon processing) are obvious fields in which radiation damage can have serious consequences, i.e. , degradation of MOS devices and circuits. Zeroing in on vital aspects of this broad and complex topic, Radiation Effects in Semiconductors addresses the ever-growing need for a clear understanding o...

Томилин В.И. Физико-химические основы технологии электронных средств

  • формат pdf
  • размер 4.18 МБ
  • добавлен 26 апреля 2011 г.
Учебное пособие - Красноярск: СФУ, 2007 - 468с. В учебном пособии изложены современные представления о физико-химических основах технологических процессов электроники, особенности термодинамики химических и фазовых равновесий, кинетические характеристики процессов. Рассмотрены процессы зародышеобразования, роста слоев новой фазы, методы проведения термодинамического анализа. Учебное пособие предназначено бакалавров и магистров направления 210200...

Пономарев С.В., Мищенко С.В., Дивин А.Г. Теоретические и практические аспекты теплофизических измерений. Книга 2

  • формат pdf
  • размер 1.52 МБ
  • добавлен 13 апреля 2011 г.
Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2006. Кн. 2. 216 с. Во второй книге приведены сведения о разработанных в Тамбовском государственном техническом университете теплофизических методах и приборах: основанных на использовании временных и пространственных интегральных характеристик температур и тепловых потоков; предназначенных для измерения эффективных теплофизических характеристик ламинарных потоков жидкостей и для исследования зависимости те...

Пономарев С.В., Мищенко С.В., Дивин А.Г. Теоретические и практические аспекты теплофизических измерений. Книга 1

  • формат pdf
  • размер 1.48 МБ
  • добавлен 13 апреля 2011 г.
Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2006. Кн. 1. 204 с. Изложены теоретические и практические основы принципа действия и работы наиболее часто применяемых в производственной и исследовательской практике методов и приборов, предназначенных для измерения теплофизических свойств веществ. Большое внимание уделено стационарным и нестационарным методам и приборам для измерения теплопроводности, коэффициента температуропроводности и объемной теплоем...

Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов

  • формат pdf
  • размер 39.39 МБ
  • добавлен 26 марта 2011 г.
ФИЗМАТЛИТ, 2008 г. - 488 стр. Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др. ). Выведены основные тео...

Дыкман И.М., Томчук П.М. Явления переноса и флуктуации в полупроводниках

  • формат tif
  • размер 32.83 МБ
  • добавлен 20 марта 2011 г.
Монография посвящена теории явлений переноса, распространения электромагнитных волн и шумов в полупроводниках с равновесными и неравновесными носителями тока. Для специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также для студентов физических факультетов.rn

Лабораторная работа - Исследование характеристик параметров триода и Исследование характеристик индикаторных ламп

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 416.66 КБ
  • добавлен 19 марта 2011 г.
МГОУ. Вакуумная и плазменная электроника. Иванов В. В. Две оформленные лабораторные работы с расчетами, графиками, схемами и выводами. Зачет.

Grundmann M. The Physics of Semiconductors

  • формат pdf
  • размер 36.61 МБ
  • добавлен 18 марта 2011 г.
Springer, 2010. 900 p. ISBN: 3642138837 The Physics of Semiconductors provides material for a comprehensive upper-level-undergraduate and graduate course on the subject, guiding readers to the point where they can choose a special topic and begin supervised research. The textbook provides a balance between essential aspects of solid-state and semiconductor physics, on the one hand, and the principles of various semiconductor devices and their a...

Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника

  • формат djvu
  • размер 4.84 МБ
  • добавлен 15 марта 2011 г.
Москва: Наука, 1966. 564 с. Отсканированые развороты книги. Не отсканированы обложка и список литературы в конце книги. Для научных работников, аспирантов и инженеров, занятых вопросами электроники в теоретическом и прикладном планах, но может служить пособием для студентов, изучающих физическую электронику. Оглавление: Элементы электронной теории тведого тела. Объемные заряды и движение заряженных частиц в вакууме. Обзор различных видов электро...

Базир Г.И. Физические основы электроники

  • формат pdf
  • размер 980.24 КБ
  • добавлен 15 марта 2011 г.
Ульяновск: УлГТУ, 2006. - 61 с. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальности 21040665 "Сети связи и системы коммутации", 21040465 "Многоканальные телекоммуникационные системы". В пособие включены такие разделы, как переходы в полупроводниках и полупроводниковых структурах, физика полупроводниковых оптоэлектронных приборов, основы физики сверхпроводимости и криоэлектроники. Пособие представляет расширенный курс лекций,...

Елинсон М.И., Васильев Г.Ф. Автоэлектронная эмиссия

  • формат djvu
  • размер 6.05 МБ
  • добавлен 15 марта 2011 г.
Под ред. Д. В.3ернова. М.: Государственное издательство физико-математический литературы, 1958. 274 с. В книге собраны и обобщены результаты теоретических и экспериментальных работ в области звтоэлектронной эмиссии. Для инженеров и научных работников, занимающихся электроникой, а также будет полезна для студентов старших курсов и аспирантов, специализирующихся в этой области. Оглавление: Теория автоэлектронной эмиссии металлов. Экспериментальные...

Лабораторные работы - Биполярные, Полевые, Диоды, Усилители каскадов, Выпрямители

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 7.78 МБ
  • добавлен 14 марта 2011 г.
ЧГУ им. И. Н. Ульянова 2 курс Биполярные-– исследование характеристик биполярных транзисторов, включенных с общей базой (ОБ), и с общим эмиттером (ОЭ), и усилительных каскадов с ОЭ и ОК. , полевые транзисторы-Схемы для исследований полевых транзисторов. ; Полупроводниковые диоды вольт амперные характеристики; Усилители каскадов-– исследование характеристик биполярных транзисторов, включенных с общей базой (ОБ), и с общим эмиттером (ОЭ), и усил...

Устюжанинов В.Н., Фролова Т.Н. Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках

  • формат pdf
  • размер 1.06 МБ
  • добавлен 11 марта 2011 г.
Учебное пособие. - Владимир, Изд-во Владим. гос. ун-та, 2002. - 124 с. Рассматриваются нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках при воздействиях режимных (перепады токов и напряжений) и внешних (импульсные излучения оптического и гамма-рентгеновского диапазонов) факторов. На примерах решения краевых задач нестационарной электропроводности изучается методология получения расчетных оценок амплитудно-временных характеристик импульс...

Светцов В.И., Смирнов С.А. Корпускулярно-фотонные процессы и технологии

  • формат pdf
  • размер 5.35 МБ
  • добавлен 11 марта 2011 г.
Ивановский государственный химико-технологический университет. - Иваново, 2002. - 192 с. Рассмотрены физико-химические основы процессов корпускулярно-фотонных технологий, типовые установки, конкретные технологические процессы и примеры их реализации. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальностям "Материалы и компоненты твердотельной электроники" и "Химическая технология материалов и изделий электронной техники".

Schroder D.K. Semiconductor Material and Device Characterization

  • формат pdf
  • размер 12.05 МБ
  • добавлен 11 марта 2011 г.
3rd edition. Wiley-Interscience, 2006. - xv, 781 p. Contents Resistivity Carrier and Doping Density Contact Resistance and Surface Barriers Series Resistance, Channel Length and Width, and Threshold Voltage Defects Oxide and Interface Trapped Charge, Oxide Thickness Carrier Lifetimes Mobility Charge-Based and Probe Characterization Optical Characterization Chemical and Physical Characterization Reliability and Failure Analysis Edito...

Потапов А.О. Основи сучасних технологій ( Фізичні основи надвисокочастотних технологій). Конспект лекцій

  • формат doc
  • размер 14.41 МБ
  • добавлен 09 марта 2011 г.
Для студентів спеціальності 06.503. - К.: КНУТД, 2004. - 110 с. В посібнику викладені теоретичні основи надвисокочастотних технологій, які побудовані на взаємодії електромагнітного поля з речовиною. Основна увага приділена виявленню функціональних зв'язків між фізичними і технологічними параметрами. Приведені приклади практичного застосування надвисокочастотних технологій у переробній промисловості, енергетиці, зв'язку, медицині тощо. В дотатку д...

Котлярский А.И. Промышленная электроника

  • формат pdf
  • размер 22.73 МБ
  • добавлен 23 февраля 2011 г.
Москва "Недра" 1984 Учебник для вузов. Изложены теории непрерывных электронных и импульсных цепей, основы преобразовательной техники; описано использова-ние средств вычислительной техники в системах управления и применение электронных устройств в задачах автоматизации и электрификации горных работ. Во втором издании (1-е изд. — 1973) приведены сведения о микроэлектронике, импульсных устройствах, даны рекомендации по применению устройств и систем...

Маругин А.П., Меженный Е.В. Физические основы электроники часть 2

Практикум
  • формат pdf
  • размер 919.74 КБ
  • добавлен 23 февраля 2011 г.
УГГУ Екатеринбург 2010 Методические указания по дисциплине «Физические основы электроники» составлены в соответствии с программой курса и включают справочные материалы к расчетным заданиям по разделам: «Полупроводниковые приборы», «Усилитель-ные устройства» и «Импульсная техника». Расчетные задания предназначены для развития у студентов специальности 140604 – «Электропривод и автоматика промышленных установок и технологиче-ских комплексов» (ЭГП)...

Маргулин А.П., Трапезников В.Т. Элементы электронных схем

Практикум
  • формат pdf
  • размер 648.72 КБ
  • добавлен 23 февраля 2011 г.
УГГУ Екатеринбург 2003 Учебно методическое пособие к лабораторным занятиям и самостоятельной работе по дисциплине "Физические основы электроники" для студентов специальности 180400 "Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов" (ЭГП).

Маргулин А.П. Физические основы электроники

Практикум
  • формат pdf
  • размер 1.43 МБ
  • добавлен 23 февраля 2011 г.
Маругин А. П. "Физические основы электроники". Екатеринбург: изд. УГГУ, 2005 Методические указания и расчетные задания по дисциплине Физические основы электроники для студентов специальности 180400 "Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов" (ЭГП) направления 654500 "Электротехника, электромеханика и электро технологии". Методические указания устанавливают объем и порядок выполнения практических работ. Приведе...

Лекции - Физические основы электроники (ФОЭ)

Статья
  • формат doc
  • размер 11.07 МБ
  • добавлен 22 февраля 2011 г.
109стр. 2006г. Данное учебное пособие является кратким конспектом лекций и может быть использовано как дополнительная литература при изучении материалов учебников. Основы теории твердого тела. Строение твердых тел. Энергетические уровни и зоны. Собственная проводимость полупроводников. Глубокие уровни. Примесные полупроводники. Оптические и электрические свойства полупроводников. Жидко кристальные приборы для отображения информации. Физические эф...

Плотников Г.С., Зайцев В.Б. Физические основы молекулярной электроники

  • формат djvu
  • размер 2.27 МБ
  • добавлен 19 февраля 2011 г.
М.: Физический факультет МГУ, 2000. -164с. В учебном пособии рассмотрен широкий круг вопросов, касающихся механизмов передачи информации в молекулярных системах. Детально описаны принципы построения элементной базы устройств молекулярной электроники и технологические приемы синтеза наноструктур, используемых в таких устройствах. Для студентов старших курсов, аспирантов и научных работников физических специальностей. Книга может заинтересовать хим...

Бурштейн А.И. Физические основы расчета полупроводниковых термоэлектрических устройств

  • формат djvu
  • размер 1.42 МБ
  • добавлен 18 февраля 2011 г.
М. Физматлит. 1962. 136 с. Введение Стационарный тепловой поток в проводящем стрежне Термоэлектрическое охлаждение Термоэлектрический подогрев Термоэлектрические генераторы

Гольцман Б.М., Дашевский З.М., Кайданов В.И., Коломоец Н.В. Пленочные термоэлементы: физика и применение

  • формат djvu
  • размер 6.28 МБ
  • добавлен 18 февраля 2011 г.
М. Наука. 1985. 233 с. Теория явлений переноса и методы их исследования в полупроводниковых пленках Влияние технологии получения пленок термоэлектрических материалов на их свойства Исследование электро- и теплофизических свойств термоэлектрических пленок Пленочные термобатареи и их использование в метрологии

Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС / Агеев О.А., Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Конакова Р.В., Миленин В.В., Пилипенко В.А

  • формат pdf
  • размер 11.54 МБ
  • добавлен 14 февраля 2011 г.
Настоящая коллективная монография содержит теоретические и экспериментальные результаты по использованию ряда силицидов, нитридов и боридов тугоплавких металлов в технологии формирования контактов для полупроводниковых приборов и СБИС. Авторы, опираясь на собственные исследования и литературные данные, на конкретных примерах показывают перспективность использования фаз внедрения (TiNx, TiBx, ZrBx, NbNx) для создания контактов к широкозонным полуп...

Шимони К. Физическая электроника. Перевод с немецкого

  • формат pdf
  • размер 29.54 МБ
  • добавлен 14 февраля 2011 г.
М. Энергия 1977г. 608 стр Книга К. Шимони "Физическая электроника" представляет собой систематическое изложение современной физической электроники, охватывающей как основные теоретические представления, используемые в этой области физики, и описание важнейших эспериментально устновленных фактов, на которых это изложение основывается, так и приложение важнейших физических идей, выдвинутых в этой области физической науки, для объяснения принципов д...

Глазачев А.В., Петрович В.П. конспект лекций Физические Основы Электроники 2010 г

Статья
  • формат pdf
  • размер 3.72 МБ
  • добавлен 05 февраля 2011 г.
Данное учебное пособие предназначено для подготовки бакалавров по направлениям 140200 "Элкектроэнергетика" и 140600 "Электротехника, электромеханика и электротехнологии". Приоритет отдан рассмотрению полупроводниковых приборов и особое внимание отдано особенностям и режимам работы силовых приборов.

Светцов В.И., Вакуумная и плазменная электроника

  • формат pdf
  • размер 1.46 МБ
  • добавлен 01 февраля 2011 г.
Учебное пособие. Ивановский гос химико-технологический университет. Изд. ИГХТУ, 2003. 172 стр. Для студентов специальности 251000 "Химическая технология монокристаллов, материалов и изделий электронной техники" по дисциплине "Физическая электроника и электронные приборы" и 550700 "Электроника и микроэлектроника" по дисциплине "Вакуумная и плазменная электроника".

Лекции Основы физики полупроводников

Статья
  • формат doc
  • размер 423 КБ
  • добавлен 31 января 2011 г.
На 23 страницах доступным языком выложены основы физики полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Виды полупроводников. Носители заряда в полупроводнике. Концентрация зарядов в полупроводнике. Равновесная концентрация зарядов в примесном полупроводнике. Неравновесная концентрация зарядов в полупроводнике. Токи в полупроводнике. Дрейфовый ток. Диффузионный ток. Уравнение непрерывности. Электронно-дырочный переход. Электронно-дырочный пере...

Контрольная работа по ФОЭ (СибГУТИ)

Контрольная работа
  • формат doc, xls
  • размер 967.21 КБ
  • добавлен 28 января 2011 г.
Контрольная работа по ФОЭ (СибГУТИ) доц. Савиных В. Л. 4 задачи. 1,2,3 задачи - 1 вариант, 4-я задача - 1вариант Приложены файлы для построения графиков. кому надо, тот разберётся.

Лабораторная работа №1 (ФОЭ, СибГУТИ)

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 116.73 КБ
  • добавлен 28 января 2011 г.
СибГУТИ, "Физические основы электроники" 2010г. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" доц. Савиных В. Л.

Башарин А.А. Искусственные магнитодиэлектрики и метаматериалы и их применение в целях улучшения распределения полей в рабочей зоне коллиматора

Дисертация
  • формат pdf
  • размер 1.1 МБ
  • добавлен 26 января 2011 г.
Автореферат кандидатской диссертации. Специальности 01.04.13 — Электрофизика, электрофизические установки, 05.12.07 — Антенны, СВЧ устройства и их технологии. Институт теоретической и прикладной электродинамики РАН. Москва 2010 г.

Лабораторная работа - Исследование температурных свойств электронно-дырочных переходов

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 106.07 КБ
  • добавлен 26 января 2011 г.
1) изучение свойств плоскостных р-n переходов путем практического снятия и исследования их вольтамперных характеристик; 2) исследование влияния на свойства р-n перехода температуры.

Лабораторная работа - Исследование фотоэлектрических свойств полупроводников

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 71.67 КБ
  • добавлен 26 января 2011 г.
Изучение фотоэлектрической зависимости электропроводимости полупроводников методом экспериментального исследования вольтамперных и люксамперных характеристик фоторезисторов.

Ежовский Ю.К., Денисова О.В. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов

  • формат pdf
  • размер 973.23 КБ
  • добавлен 24 января 2011 г.
СПб.: СЗТУ, 2005. - 80 с. Учебное пособие по дисциплине "Физико-химические основы технологии РЭС" соответствует требованиям государственных образовательных стандартов высшего профессионального образования по направлению подготовки дипломированного специалиста 654300 - "Проектирование и технология электронных средств" (специальность 200800 - "Проектирование и технология электронных средств") и направлению подготовки бакалавра 551100 - "Проектирова...

Popov O.A. High Density Plasma Sources

  • формат pdf
  • размер 22.47 МБ
  • добавлен 21 января 2011 г.
High Density Plasma Sources - Design, Physics and Performance. (Materials Science and Process Technology Series). Popov O.A. , Editor. Park Ridge, NJ: Noyes Publications, 1997. - 465 pp. (На англ. яз. ) В книге описываются конструкции, физические основы функционирования и характеристики источников плазмы высокой плотности. Эти источники в последнее время находят все более широкое применение в различных процессах вакуумно-плазменной обработки в т...

Курсовая работа - Расчет характеристик P-n перехода

Курсовая работа
  • формат doc
  • размер 119.46 КБ
  • добавлен 17 января 2011 г.
Читинский Государственный Университет. Институт Технологических и Транспортных Систем. Кафедра физики и техники связи. В работе производится расчет характеристик p-n перехода по заданным исходным данным.

Контрольная работа - Физические основы микроэлектроники

Контрольная работа
  • формат pdf
  • размер 320.31 КБ
  • добавлен 08 января 2011 г.
РГАТА, Рыбинск, 3-й курс, Вариант 30. Задачи 1а, 7б, 11б, 20а, 23в + Ответы на теоретические вопросы. Решение задач на темы: "Основы зонной теории и статистика носителей заряда", "Неравновесные носители, процессы генерации и рекомбинации в полупроводниках", "Электропроводимость полупроводников", "Контактные явления", "Биполярный транзистор"

Лабораторная работа - Исследование Усилителя постоянного тока на базе операционного усилителя

Лабораторная
  • формат docx
  • размер 15.57 КБ
  • добавлен 07 января 2011 г.
ПГТУ, специальность АТ, преподаватель Андреев ГЯ Экспериментальное исследование усилительных схем на базе ОУ, определение параметров. Нахождение частот и напряжений. Работа без графиков.

Лабораторная работа - Исследование резистивного усилителя низкой частоты с емкостной связью в схеме с ОЭ

Лабораторная
  • формат docx
  • размер 16.88 КБ
  • добавлен 07 января 2011 г.
Пгту, специальность АТ, преподаватель Андреев ГЯ Экспериментальное исследование усилительного каскада, задание режима покоя (рабочей точки) транзистора, исследование амплитудной и амплитудно-частотной характеристик усилителя, определение параметров усилителя. Работа без графиков.

Лабораторная работа - Исследование полупроводниковых триодов

Лабораторная
  • формат docx
  • размер 34.15 КБ
  • добавлен 07 января 2011 г.
ПГТУ, специальность АТ, преподаватель Андреев Г. Я. Получение опытным путем входных и выходных статических характеристик схем ОБ и ОЭ и нахождение малосигнальных параметров по полученным экспериментальным характеристикам. Работа без графиков

Сорокин А.А. Измерения в радиоэлектронике

Практикум
  • формат doc
  • размер 9.45 МБ
  • добавлен 25 декабря 2010 г.
Методические указания к лабораторным работам. БГТУ "Военмех" СПБ, 2009г. 63 стр. Стандартная обработка результатов прямых измерений с многократными наблюдениями. Цифровой мультиметр. Применение цифрового осциллографического модуля для измерений. Измерение характеристик полосового фильтра. Измерение характеристик генератора импульсной последовательности. Измерение параметров сигнала на выходе усилителя.

Расчетно-графическая работа - свойства биполярных и полевых транзисторов

Контрольная работа
  • формат doc
  • размер 116.08 КБ
  • добавлен 15 декабря 2010 г.
Задача 1: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: построить линию нагрузки; построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; рассчитать для линейного (мало ис...

Лабораторная работа - Определение эффективного времени жизни полупроводников

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 688 КБ
  • добавлен 26 ноября 2010 г.
Определение эффективного времени жизни неосновных носителей тока в базе полупроводникового прибора по закону изменения «остаточной» ЭДС при включении прямого тока через диод; Исследование температурной зависимости времени жизни.

Изотова П.А. Методические указания по лабораторным работам по ФОЭ

Практикум
  • формат doc
  • размер 176.97 КБ
  • добавлен 07 ноября 2010 г.
Казань, 2009, Даны общие указания по выполнению работ, представлены краткие теоретические сведения по каждой теме, контрольные вопросы.

Незнайко А.П. Новые типы конденсаторов

  • формат djvu
  • размер 852.62 КБ
  • добавлен 05 ноября 2010 г.
Массовая радиобиблиотека. Выпуск 728. 1970 г. 48 стр. Тираж 30000 экз. Цель этой брошюры — познакомить читателя с некоторыми новыми типами конденсаторов и с их основными характеристиками, которые необходимо знать, чтобы правильно выбрать радиоэлемент при проектировании той или иной радиоэлектронной аппаратуры. В конце брошюры приведена система сокращённых обозначений конденсаторов согласно отраслевой нормали НОЖО .000.004. Этот материал может быт...

Толмасский И.С. Высокочастотные магнитные материалы

  • формат djvu
  • размер 731.27 КБ
  • добавлен 05 ноября 2010 г.
Массовая радиобиблиотека. Выпуск 651, М., «Энергия», 1968 г. 72 стр. Тираж 70000 экз. Излагаются электромагнитные свойства высокочастотных магнитодиэлектриков и ферритов, рассматриваются методы изготовления высокочастотных сердечников и приводятся их параметры. Даются рекомендации по рациональному выбору магнитных материалов и оптимальному применению сердечников. Излагаются методы измерения электромагнитных параметров высокочастотных материалов и...

Горбачев В.В. Спицына Л.Г. Физика полупроводников и металлов

  • формат djvu
  • размер 4.58 МБ
  • добавлен 15 октября 2010 г.
Москва, "Металлургия", Цалкина Ф. Б. Гофштейн А. И. Сперанская Н. А. , 1982, 336 с. Учебник для студентов металлургических вузов по специальности "Технология материалов электронной техники"(первое издание 1976г). Может быть использовано научными работниками и инженерами, работающими в области металлургии, физики и химии полупроводников. Систематически изложены основные понятия физики полупроводников и металлов. На основе современных представлени...

Исследование характеристик сегнето - пьезоматериалов по петлям диэлектрического гистерезиса на частоте 50 Гц. (Учебно-методическое пособие)

  • формат doc
  • размер 3.42 МБ
  • добавлен 16 сентября 2010 г.
Учебно-методическое пособие предназначено для студентов факультета Высоких технологий ЮФУ. В нем рассмотрены вопросы сегнетоэлектрической поляризации. Описано явление диэлектрического гистерезиса, как основного критерия сегнетоэлектричества. Изложены особенности исследования характеристик сегнетоматериалов по петлям диэлектрического гистерезиса на частоте 50 Гц. Проведен анализ измерительной схемы с точки зрения обеспечения достоверных результато...

Чеботаренко О.Б. Учебно-методическое пособие - Исследование характеристик сегнето- пьезоматериалов по петлям деформации в сильных электрических полях инфранизкой частоты

  • формат doc
  • размер 4.8 МБ
  • добавлен 16 сентября 2010 г.
Учебно-методическое пособие «Исследование характеристик сегнето- пьезоматериалов по петлям деформации в сильных электрических полях инфранизкой частоты» предназначено для студентов, факультета Высоких технологий. В нем даны некоторые основные понятия физики сегнетоэлектричества. Описаны особенности электромеханических свойств сегнетоэлектриков. На основе литературных данных приведены результаты экспериментальных исследований характеристик сегнето...

Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников (в 2-х томах)

  • формат pdf
  • размер 47.53 МБ
  • добавлен 12 сентября 2010 г.
Эта книга написана на основе лекций, в течении ряда лет читавшихся авторами для студентов физического факультета Московского университета и факультета физической и квантовой электроники Московского физико-технического института. Книга рассчитана на лиц, владеющих материалом общефизических и математических курсов в объеме программ, принятых на физических факультетах университетов и в физико-технических институтах.

Воробьев Л.Е. Горячие электроны в полупроводниках и наноструктурах

  • формат pdf
  • размер 5.7 МБ
  • добавлен 09 сентября 2010 г.
Санкт-Петербург, Издательство СПбГТУ, 1999г. Рассмотрены основные характеристики горячих носителей заряда в полупроводниках в сильных электрических полях, функция распределения по импульсам, средняя энергия, дрейфовая скорость, время релаксации импульса и энергии, скорость потери энергии электроном при взаимодействии с решеткой и др. Проведены расчеты этих характеристик. Приведено сопоставление с экспериментом. Пособие ориентировано на образова...

Экзаменационные билеты по ФОЭ

Билеты и вопросы
  • формат doc
  • размер 112.5 КБ
  • добавлен 06 сентября 2010 г.
Содержатся экзаменационные билеты, которые предлагаются студентам специальности 140604 ЭАПУ, УрФУ, на экзамене по соответствующей дисциплине.

Курсовая работа по дисциплине Физические основы электроники

Курсовая работа
  • формат doc
  • размер 1.99 МБ
  • добавлен 06 сентября 2010 г.
«Расчёт функционального устройства судовой автоматики на операционном усилителе».

Михайлов А.В., Родионов М.Г., Горшенков А.А. Физические основы электроники: Активные электронные компоненты и компоненты оптоэлектроники: учеб. пособие

  • формат pdf
  • размер 1.22 МБ
  • добавлен 21 августа 2010 г.
Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009. – 100 с. Рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом дей-ствия активных компонентов электронной техники, а именно: биполярные и по-левые транзисторы, а также элементы оптоэлектронной техники. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 200100.62 "Приборостроение", и специальности 200106 "Информационно-измерительная техника и технологии" очной, очно-заочной и заочной форм обучения, также мо...

Михайлов А.В., Родионов М.Г. Физические основы электроники: Интегральные микросхемы: учеб. пособие

  • формат pdf
  • размер 863.82 КБ
  • добавлен 21 августа 2010 г.
Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009. – 78 с. Рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом дей-ствия компонентов электронной техники, а именно: операционные усилители; цифровые интегральные микросхемы; аналого-цифровые и цифроаналоговые преобразователи. Приводятся типовые структурные схемы электронных уст-ройств. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 200100.62 "Приборостроение", и специальности 200106 "Информационно-измер...

Михайлов А.В., Родионов М.Г., Новиков С.М. Физические основы электроники: Пассивные компоненты электронных уст-ройств: учеб. пособие

  • формат pdf
  • размер 2.04 МБ
  • добавлен 21 августа 2010 г.
Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009. – 90 с. Рассматриваются общие вопросы, связанные с физическим принципом дей-ствия пассивных проводниковых и полупроводниковых компонентов электронной техники, а именно: резисторов, электрических конденсаторов, катушек индуктив-ности, трансформаторов электронной аппаратуры; электропроводность полупро-водников, их основные свойства и характеристики, электрические переходы, по-лупроводниковые диоды различного назначения и с...

Шпоры по ФОЭ

Шпаргалка
  • формат rar
  • размер 38.32 МБ
  • добавлен 09 августа 2010 г.
УГАТУ, ФИРТ, САУ, УТС, УК,2курс,4семестр. шпора для экзамена. Электропроводность полупроводников. Собственная и примесная проводимости. Влияние температуры. Терморезисторы. Терморезисторы, фоторезисторы и магниторезисторы. Гальваномагнитные явления в полупроводниках. Магниторезисторы и датчики Холла. Контактные явления в полупроводниках. ВАХ р-n-перехода. Влияние температуры. Пробой р-n-перехода.. Виды полупроводниковых диодов. Выпрямительные...

Реферат - Акустические свойства полупроводников

Реферат
  • формат rtf, html
  • размер 31.71 КБ
  • добавлен 11 июля 2010 г.
Как устроен пьезоэлектрический полупроводник. Поглощение и усиление звука. Нелинейные эффекты при усилении звука. Усиление акустических шумов и связанные с этим явления. Звукоэлектрический эффект. Заключение.

Лекции по курсу Физические основы полупроводниковых электронных приборов

Статья
  • формат doc
  • размер 3.23 МБ
  • добавлен 09 июля 2010 г.
Курс лекций. для студентов специальности 40 02 02. «Электронные вычислительные средства». Министерство образования Республики Беларусь. Учреждение образования. Минский государственный высший радиотехнический колледж. Кафедра общетехнических дисциплин. Содержание. Электрофизические свойства полупроводников. Контактные явления в полупроводниках. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Униполярные (полевые) транзисторы. Тиристоры.

Ю Питер, Кардона Мануэль. Основы физики полупроводников

  • формат djvu
  • размер 11.48 МБ
  • добавлен 06 июля 2010 г.
Пер. с англ. И. И. Решиной. Под ред. Б. П. Захарчени. — 3-е изд. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. — 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" содержит детальное объяснение электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников и полупроводниковых наносистем. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных р...

Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках

  • формат pdf
  • размер 5.92 МБ
  • добавлен 03 июля 2010 г.
Издательство: М.: Мир. Год: 1974. Первая в мировой литературе монография, специально посвященная влиянию различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокаций, границ зерен и т. д. ) на неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Эта проблема приобрела в последние годы особую актуальность в связи с использованием в полупроводниковой технике тонких пленок, сложных структур и интегральных микросхем. В основу книги легли л...

Программа для расчета элементов ГИС

program
  • формат wmf
  • размер 325.29 КБ
  • добавлен 27 июня 2010 г.
Программа для расчета элементов ГИС. Руководство по использованию программы: Установка и запуск программы. Расчет тонкопленочных резисторов. Расчет переходных контактов. Расчет пленочных конденсаторов. Расчет теплового режима работы ИС. Литература. Программа, разработанная в данном дипломном проекте, соответствует требованиям современных операционных систем об использовании стандартных элементов пользовательского интерфейса, что значительно облег...

Шпоры по ФОЭ

pottee
  • формат rar
  • размер 51.45 МБ
  • добавлен 27 июня 2010 г.
Преподаватель - Сафинов Ш. С. Шпоры сделаны по лекциям. То есть - сканы, редактирование, размещение. Все в формате JPG. Есть вариант который резать, есть полно-размерные картинки, рассованные в папки. Вопросы: Электропроводность полупроводников. Собственная и примесная проводимоств. Влияние температуры. Терморезисторы. Терморезисторы, фоторезисторы и магниторезисторы. Гальваномагнитные явления в полупроводниках. Магниторезисторы и датчики Холла....

Кравченко А.Ф., Овсюк В.Н. Электронные Процессы в Твердотельных Системах Пониженной Размерности

  • формат djvu
  • размер 5.24 МБ
  • добавлен 17 июня 2010 г.
Новосибирск, НГУ, НГТУ, ИФП СО РАН, 2000 г. 450 стр. В монографии последовательно рассмотрены наиболее важные электронные процессы, взаимодействия и явления, происходящие в твердом теле и на гpaнице двух тел, и их модификация при переходе к низкоразмерным системам; рассмотрены физические принципы работы наноэлектронных элементов и устройств для новых информационных систем; проанализированы наиболее перспективные направления развития наноэлектрони...

Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников

  • формат djvu
  • размер 6.32 МБ
  • добавлен 14 июня 2010 г.
Книга предназначена для лиц, занимающихся экспериментальными исследованиями в области физики полупроводников. Основное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической решетки, законам движения электрона в идеальном и возмущенном периодических полях, кинетическому уравнению и явлениям переноса (происхождения тока). Для чтения книги требуется знакомство с математикой, квантовой механикой и статической физикой в объеме программ физическо...

Стриха В.И. Контактные явления в полупроводниках

  • формат pdf
  • размер 10.85 МБ
  • добавлен 31 мая 2010 г.
Kиев: Выща школа. Головное издательство, 1982. — 224 с. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник, p—n перехода и гетероперехода. Рассматривается физическая модель гетероперехода, из которой получаются модели р—n перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник, р—n перехода и гетероперехода с учетом всех основных эффектов, характерных для этих...

Кулаков В.М. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники

  • формат djvu
  • размер 3.71 МБ
  • добавлен 29 мая 2010 г.
Под ред. Е. А. Ладыгина. - М.: Сов. Радио, 1980. - 224 с. В книге обобщены и изложены результаты отечественных и зарубежных исследований радиационных эффектов в различных изделиях электронной техники. Рассматриваются физические механизмы радиационных повреждений, природа и свойства радиационных дефектов в материалах и изделиях электронной техники.

Лабораторная работа - Исследование цепи постоянного тока с пассивными элементами

Лабораторная
  • формат docx
  • размер 23.84 КБ
  • добавлен 29 мая 2010 г.
Цель работы: Изучить законы Кирхгофа. Рассмотреть последовательное, параллельное и смешанное соединение токоприемников, исследовать распределение токов, напряжений и мощностей в каждой цепи. 1) Последовательное соединение приемников. 1) Параллельное соединение приемников. 2) Смешанное соединение приемников.

Лабораторные работы по Электротехнике и Электронике

Лабораторная
  • формат doc, mcd
  • размер 2.75 МБ
  • добавлен 29 мая 2010 г.
ЮГУ, И. М. Вершинин, 3-4 семестр, количество лабораторных - 9. В архиве содержатся папки с номером лабораторной работы, а также исходники вычислений (Mathcad 14) и (EWB 4 - Electronics Workbench). Содержание: Расчет разветвленной цепи постоянного тока, Расчет разветвленной цепи синусоидального тока, Расчёт линейной цепи с несинусоидальной электродвижущей силой, Расчет переходных процессов в линейных цепях с сосредоточенными параметрами и постоянн...

Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков

  • формат djvu
  • размер 21.6 МБ
  • добавлен 27 мая 2010 г.
Учеб. пособие для вузов. — Киев: Вища школа. Головное изд-во, 1980. -400 с. Рассматриваются современные представления о поляризации, электропроводности, диэлектрических потерях, электрической прочности и фазовых переходах в диэлектриках. Особое внимание уделяется нелинейным свойствам диэлектриков, а также новым физическим явлениям в этих веществах. Приборы, в которых используются эти явления, находят применение в электронной технике. Автором учте...

Бобров И.И. Физические основы электроники

  • формат djvu
  • размер 3.16 МБ
  • добавлен 25 мая 2010 г.
Учеб. пособие / Пермский. гос. техн. ун-т. - Пермь, 2003. - 158 с. ISBN5-88151-173-5 Рассмотрены физические основы проводимости полупроводников, физика полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, основные свойства, характеристики и параметры распространенных полупроводниковых приборов. Кратко рассмотрены технологические вопросы получения полупроводниковых приборов и микросхем. Дано представление об уровне развития современной микроэлект...

Расчетно графическая работа - Транзистроы

rgr
  • формат doc
  • размер 1.74 МБ
  • добавлен 15 мая 2010 г.
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, и построить их зависимости от напряжения на затворе. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h – параметры и построить зависимости этих параметров от тока базы. СибГути, АЭС, 2 Курс, 2 семестр, 5 стр.

Ван дер Зил А. Шум (источники, описание, измерение)

  • формат djvu
  • размер 3.14 МБ
  • добавлен 13 апреля 2010 г.
М.: Сов. радио, 1973. - 228 с. Приведены теоретические и экспериментальные сведения об источниках шума в современных приборах: лазерах, полевых и биполярных транзисторах, диодах с барьером Шоттки. Детально рассмотрены тепловые, генерационно-рекомбинационные, дробовые, фликкерные, взрывные шумы и шумы токораспределения этих приборов. Содержание: Предисловие. 1. Введение. 2. Математические методы. 3. Описание шумов. 4. Измерения шума. 5. Тепловой ш...

Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы

  • формат djvu
  • размер 3.12 МБ
  • добавлен 27 марта 2010 г.
Минск: Наука и техника, 1986 г. , 254 с. В монографии обобщены результаты исследований советских и зарубежных ученых, полученные при изучении воздействия проникающей радиации на интегральные микросхемы и их элементы. Рассматриваются радиационные нарушения в интегральных микросхемах на основе биполярных и униполярных транзисторов, при этом учитываются как радиационные изменения свойств полупроводниковых материалов, так и процессы в отдельных...

Гаман В.И. Физика Полупроводниковых Приборов (2-е изд)

  • формат djvu
  • размер 5.74 МБ
  • добавлен 19 марта 2010 г.
2-е пер. испр. и доп. изд. - Томск, 2000. - 456 с. Очень хороший учебник по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перхода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; электронные процессы в МДП-структурах; ПЗС системы; туннельные МДП-диоды; аналоговые транзисторы; функциональные возможности п/п диодов; диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности;...

Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников

  • формат djvu
  • размер 7.29 МБ
  • добавлен 01 марта 2010 г.
1977, 678 с. Эта книга написана на основе лекций, в течении ряда лет читавшихся авторами для студентов физического факультета Московского университета и факультета физической и квантовой электроники Московского физико-технического института. Книга рассчитана на лиц, владеющих материалом общефизических и математических курсов в объеме программ, принятых на физических факультетах университетов и в физико-технических институтах.

Доценко Н.С., Соболев В.В. Долговечность элементов радиоэлектронной аппаратуры (влияние влаги)

  • формат djvu
  • размер 2.02 МБ
  • добавлен 21 февраля 2010 г.
Л.: Энергия, 1973 г. , 160 с. В книге рассматривается влияние повышенной влажности окружающей среды на долговечность элементов радиоэлектронной аппаратуры. Описаны характерные причины снижения долговечности и конструктивные методы, позволяющие уменьшить интенсивность отказов, приведен анализ типичных повреждений функциональных узлов и материалов элемента Значительное внимание уделено физическим процессам взаимодействия материалов с повышен...

Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе теллурида висмута (Bi2Te3)

  • формат djvu
  • размер 5.05 МБ
  • добавлен 09 февраля 2010 г.
Полупроводниковые термоэлектрические материалы на оенове Bi2Te3, Гольцман Б. М., Кудинов В. А., Смирнов И. А. Изд. -во «Наука», Главная редакция физико-математической литературы, 1972. В монографии подробно обсуждаются явления переноса, а также оптические и резонансные явления, которые в анизотропных материалах со сложной зонной структурой (каковыми являются Bi2Te3 и твердые растворы на его основе) имеют ряд существенных особенностей. Большое вн...

Марголин В.И., Жабрев В.А., Тупик В.А. Физические основы микроэлектроники

  • формат djvu
  • размер 3.86 МБ
  • добавлен 26 января 2010 г.
М.: Издательский центр «Академия», 2008. — 400 с. Изложены основы квантовой механики, фрактальной геометрии и фрактальной физики, нелинейной динамики. Рассмотрены физические основы основных технологических процессов микро- и наноэлектроники: получение тонкопленочных структур, создание и перенос литографического изображения, методы модификации поверхностных и объемных структур, основы и методы контроля и метрологии. Для студентов высших учебных...

Левинштейн М. Пожела Ю. Эффект Ганна

  • формат djvu
  • размер 5.56 МБ
  • добавлен 21 января 2010 г.
Издательство "Сов. радио", 1975 288 страниц Описаны физические основы и практическое применение эффекта Ганна - одного из наиболее перспективных с прикладной точки зрения эффектов. Значительное внимание уделено также целому ряду новых физических явлений, связанных с эффектом Ганна, в частности объемному лазерному эффекту, генерации ультразвука в диодах Ганна, модуляции света. Рассмотрены принципы действия, технические характеристики и возможност...

Использование МОП-транзисторов

  • формат doc
  • размер 656.5 КБ
  • добавлен 20 января 2010 г.
Курсовая работа - Использование МОП-транзисторов. СумДУ, Опанасюк О. О. , 27 страниц. Содержание: Введение. теория полупроводников. моп – Транзисторы. использование моп – Транзисторов. выводы. литература.

Роуз А. Основы теории фотопроводимости

  • формат djv
  • размер 1.2 МБ
  • добавлен 19 января 2010 г.
Москва, Издательство "Мир", 1966 год - 189 стр. Книга известного американского ученого А. Роза содержит изложение основных вопросов теории фотопроводимости твердых тел. Большое место занимает феноменологическое описание процессов рекомбинации носителей тока. Значительное внимание уделено рассмотрению явлений, ограничивающую область применения фотопроводников, таких как токи, ограниченные объемным зарядом и токовые шумы. Отдельные главы отведены...

Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах

  • формат djv
  • размер 3.18 МБ
  • добавлен 19 января 2010 г.
Москва, Издательство "Мир", 1973 год - 413 стр. Книга посвящена исследованию монополярной и двойной инжекции носителей заряда. Рассматриваемые явления имеет большое значение для понимания механизма прохождения тока через изоляторы и полупроводники, служат эффективным средством исследования электрических свойств твердых тел, и кроме того, имеют много важных технических применений, в частности в диэлектрической электронике и оптоэлектронике. Книг...

Лукьянчикова Н.Б. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах

  • формат djv
  • размер 2.86 МБ
  • добавлен 19 января 2010 г.
Москва, Издательство "Радио и связь", 1990 год - 300 стр. ISBN 5-256-00496-4 В книге рассмотрены современные методы теоретического анализа флуктуационных явлений в полупроводниках. Приведены рекомендации по их применению при исследовании шумовых характеристик различных приборов: фоторезисторов, полевых и биполярных транзисторов, фото - и светодиодов, лавинно - пролетных диодов, транзисторных элементов микросхем и т. д. Показана, какая информация...

Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках

  • формат djv
  • размер 5.42 МБ
  • добавлен 19 января 2010 г.
Данная книга посвящена изучению влияний различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокации, границ зерен и т. д. ) на неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Эта проблема приобрела в последние годы особую актуальность в связи с использованием в полупроводниковой технике тонких пленок, сложных структур и интегральных схем. В основу книги легли лекции, читавшиеся автором в ведущих технических университетов США; тек...

Шалимова К.В. Физика полупроводников

  • формат djv
  • размер 5.32 МБ
  • добавлен 19 января 2010 г.
Москва, Издательство "Энергоатомиздат", 1985 год - 392 стр. В книге рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеивания носителей зарядов, генерация и рекомбинация носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства....

Стильбанс Л.С. Физика полупроводников

  • формат djv
  • размер 3.71 МБ
  • добавлен 19 января 2010 г.
Данная книга представляет собой систематической рассмотрение основных разделов физики полупроводников: качественного и количественного описания строения полупроводниковых кристаллов, энергетического спектра и статистики электронов и фононов, теории явлений переноса, оптических и фотоэлектрических свойств и контактных явлений. Книга рассчитана на широкий круг читателей - инженеров, научных работников и студентов старших курсов технических ВУЗов.

Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников

  • формат djv
  • размер 3.17 МБ
  • добавлен 16 января 2010 г.
Москва, Издательство "Наука", 1978 год - 285 стр. В книге рассматривается влияние облучения (как электромагнитного, так и корпускулярного) на адсорбционные и каталитические свойства проводников. Дается сжатая сводка экспериментального материала, затем развивается теория явления, приводится сравнение теорий с экспериментов. В книге отражается результаты работ авторов и их сотрудников. Теория фотоадсорбционного и фотокаталитического эффектов строи...

Абакумов Б.Н., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках

  • формат djvu
  • размер 3.06 МБ
  • добавлен 16 января 2010 г.
Санкт - Петербург, Издательство "Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Контантинова РАН", 1997 год - 376 стр. ISBN 5-86763-111-7. В книге излагаются физические представления и основы теории процессов безызлучательной рекомбинации и термической ионизации электронов и дырок в полупроводниках. В частности рассмотрена феиоменологическая теория рекомбинации, теоретические модели мелких и глубоких центров, каскадная модель захвата на притяги...

Ткалич В.Л., Фролков В.Н. и др. Физические основы микроэлектроники

  • формат pdf
  • размер 1.51 МБ
  • добавлен 16 января 2010 г.
2009 г. Учебное пособие 101 стр, СПб Гос Университет информационных технологий, механики и оптики. содержит описание лабораторных работ, методические указания по их выполнению, контрольные вопросы и краткий теоретический материал. Предназначено для студентов факультета Компьютерных технологийи Управления по направлению "Проектирование и технология электронно-вычислительных средств".

Попов В.Ф. Физические основы микроэлектроники

  • формат pdf
  • размер 1.05 МБ
  • добавлен 29 декабря 2009 г.
Учебно-методическое пособие по курсу "Физические основы микроэлектроники» написано в полном соответствии с Программой Министерства образования РФ и представляет собой краткое введение в теорию широкого круга явлений, с которыми приходится непосредственно иметь дело конструктору и технологу радиоэлектронной аппаратуры. Его цель – помочь понять физическую сущность тепловых и электрических свойств твердых тел, контактных и поверхностных явлений в п...

Митрофанов О.В., Симонов Б.М. и др. Физические основы функционирования изделий микроэлектроники

  • формат djvu
  • размер 7.99 МБ
  • добавлен 25 декабря 2009 г.
Митрофанов О.В., Симонов Б.М., Коледов Л.А. М.: Высшая школа, 1987, 168с. Учебное пособие из серии Микроэлектроника в 9 кн. под ред. Коледов Л.А. Книга 1. В пособии рассмотрены физические процессы, определяющие функционирование изделии полупроводниковой микроэлектроники. Изложены принципы работы базовых полупроводниковых приборов. P.S. Книга снабжена прекрасными иллюстрациями, которые значительно помогают усвоению материала. Материал изложен на...

Разработка генератора сигналов специальной формы

  • формат pdf, doc
  • размер 586.34 КБ
  • добавлен 17 декабря 2009 г.
БГТУ им Шухова, 4 курс, Кафедра Электротехники.

Солимар Л., Уолш Д. Лекции по электрическим свойствам материалов

  • формат djvu
  • размер 4.89 МБ
  • добавлен 13 декабря 2009 г.
Издательство М: Мир, 1991 504 страницы Книга авторов из Великобритании представляет собой тщательно обработанный текст лекций по физическим основам твердотельной электроники, читаемых на инженерном отделении Оксфордского университета (перевод с 4-го издания). Методически продуманно излагаются принципы построения полупроводниковых приборов, основы оптоэлектроники, квантовой электроники, вопросы применения магнитных явлений и сверхпроводимости (вк...

Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы

  • формат pdf
  • размер 13.04 МБ
  • добавлен 12 декабря 2009 г.
Перевод с англ. / Под ред. Ю. В. Гуляева - М.: Советское радио, 1979г. , 232 стр. Дается классификация и обсуждаются теоретические модели гетеропереходов. Описаны современные методы получения гетероструктур и их электрические и оптоэлектронные свойства. Много внимания уделяется методам измерения электрических параметров, характеризующих гетероструктуру. Рассмотрены области применения гетеропереходов: преобразователи световой энергии в электрическ...

Вавилов В.С., Киселев В.Н., Мукашев Б.Ф. Дефекты в кремнии и на его поверхности

  • формат djvu
  • размер 3.01 МБ
  • добавлен 10 декабря 2009 г.
М. , 1990 г. Не очень старая редкая монография, посвящённая механизмам образования дефектов в объёме и на поверхности кремния. Крайне полезна физикам-технологам и специалистам в полупроводниковой микроэлектронике.

Маделунг О. Физика твердого тела. Локализованные состояния

  • формат djvu
  • размер 2.47 МБ
  • добавлен 09 декабря 2009 г.
М: Наука. Главная редакция физико-математической литературы. 1985 184 страницы Предлаглемая вниманию читателей книга представляет coбой часть III монографии известного Физика О. Маделунга «Физика твердого тела». В отличие от первых двух частей (изданных Главной редакцией физ. -мат. литературы в одной книге в 1980 г. ). Содержание которых не выходит за рамки традиционного круга вопросов (явления в идеальной бесконечной решетке), предметом части I...

Маделунг О. Теория твердого тела

  • формат djvu
  • размер 3.53 МБ
  • добавлен 09 декабря 2009 г.
М: Наука. Главная редакция физико-математической литературы. 1980 416 страниц В книге, состоящей из двух частей, с единой точки зрения рассмотрены электронные, фононные и оптические свойства твердых тел — металлов и проводников. Первая часть посвящена теории элементарных возбуждений в твердых телах: квазиэлектронов, плазмонов, фононов, млгнонов и экситонов. Вторая часть посвящена взаимодействиям элементарных возбуждений: электрон-фононному, элект...

Росадо Л. (Rosado L.) Физическая электроника и микроэлектроника

  • формат djvu
  • размер 4.8 МБ
  • добавлен 05 декабря 2009 г.
Перевод с испанского С. И. Баскакова. Под редакцией проф. В. А. Терехва. Издательство "Высшая школа" 1991. 352 страницы. В книге детально, на высоком физико-математическом уровне рассматриваются вопросы функционирования основных полупроводниковых приборов - дискретных и в интегральном исполнении (диодов, биполярных и полевых транзисторов), а также физические основы интегральной технологии. Весь материал разбит на порции, включающие теоретически...

Грибковский В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках

  • формат djvu
  • размер 5.36 МБ
  • добавлен 19 ноября 2009 г.
Минск, Наука и техника, 1975 г. 464 стр. В книге с единой точки зрения излагается теория поглощения и усиления света, спонтанной и стимулированной рекомбинации в полупроводниках. Особое внимание уделено взаимодействию вещества с мощными потоками излучения, которые приводят к появлению эффектов насыщения. Впервые в монографической литературе по полупроводникам рассмотрен ряд принципиальных вопросов теории люминесценции: изложена методика вычислени...

Толмачёв В.В. Квантовая физика полупроводников

  • формат djvu
  • размер 1.23 МБ
  • добавлен 22 октября 2009 г.
Учебное пособие. Москва. 2000 г. – 51 стр. Модель Кронига-Пенни. Термодинамические равновесные концентрации электронов и дырок в чистом и примесных полупроводниках. Теория контактного PN-перехода.

Лекция - Проводниковые и резистивные материалы (физические основы) (Материалы и элементы электротехники)

Статья
  • формат doc
  • размер 359.5 КБ
  • добавлен 21 октября 2009 г.
Проводниками электрического тока могут служить твердые тела, жидко-сти, а при соответствующих условиях и газы. К твердым проводникам относят металлы, металлические сплавы и неко-торые модификации углерода. Металлы – это пластичные вещества с характерным для них блеском, ко-торые хорошо проводят электрический ток и теплоту. Среди материалов элек-тронной техники металлы занимают одно из важнейших мест.

Лекция - Сложные полупроводники (Материалы и элементы электротехники)

Статья
  • формат doc
  • размер 117.04 КБ
  • добавлен 21 октября 2009 г.
Полупроводниковые соединения AIVBIV, Методы выращивания монокристаллов SiC, Применение SiC, Полупроводниковые соединения AIIIBV, Получение соединений AIIIBV, Применение полупроводников AIIIBV, Полупроводниковые соединения AIIBV, Стеклообразные и аморфные полупроводники, Получение гидрогенизированного кремния и его применение.

Лекция - Термины и определения (Материалы и элементы электротехники)

Статья
  • формат doc
  • размер 4.73 КБ
  • добавлен 21 октября 2009 г.
Название курса Материалы и элементы электронной техники, само говорит о предмете изучения – материалы и элементы электронной техники. Что такое материал, как понятие, как предмет изучения? Как взаимосвязаны такие понятия, как химический элемент, вещество, сырьё, изделие (компонент).

Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии

  • формат pdf
  • размер 20.97 МБ
  • добавлен 02 октября 2009 г.
Пер. с англ. - М. Мир, 1985. - 496 с. 22,0 Мб. В книге американских специалистов изложены физические принципы основных технологических процессов современной (на 1985 год) микроэлектроники, включая субмикронную литографию, сухое травление, лазерный и электронно-лучевой отжиг. рассмотрены перспективы совершенствования технологии и фундаментальные ограничения на дальнейшее развитие микроэлектроники. Для специалистов в области электронной техники,...

Савиных В.Л. Физические основы электроники

  • формат doc
  • размер 685.88 КБ
  • добавлен 26 августа 2009 г.
Учебное пособие. Новосибирск: СГУТиИ, 2003г. -76с Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов Содержание. Введение. Основы теории электропроводности полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Полупроводники с собственной проводимостью. Полупроводники с электронной проводимостью. Полупроводники с дырочной проводимостью. Токи в полупроводни...

Курсовая работа - ФОЭ.Электрический расчет цифровой схемы. Разработка топологии ИМС

Курсовая работа
  • формат doc
  • размер 164.98 КБ
  • добавлен 24 августа 2009 г.
План работы Введение I. Электрический расчет цифровой схемы: - оценить потенциалы в точках; - рассчитать все токи и указать их направления; - рассчитать мощности, которые рассеиваются на резисторах, и мощности потребляемые всей схемой. II. Разработка топологии ИМС: - выбор материала для пленочных резисторов; - расчет размеров для резисторов; - выбор материала для проводников и контактных площадок; - расчет площади, занимаемой активными и...

Реферат - Магниторезистивный эффект - магниторезисторы

Реферат
  • формат docx
  • размер 634.74 КБ
  • добавлен 29 июня 2009 г.
В данном реферате представлена информация о магниторезистивном эффекте, пояснена сущность и модель магнетосопротивления. Также приведены основные характеристики вышеуказанного физического эффекта. В работе описаны материалы, которые применяются для изготовления приборов, использующих магниторезистивный эффект, устройство магниторезисторов, принцип их работы, их параметры, характеристики, классификация, а также область их применения и перспективы...

Слэтер Дж. Диэлектрики, полупроводники, металлы

  • формат djvu
  • размер 8.99 МБ
  • добавлен 28 июня 2009 г.
Диэлектрики, полупроводники, металлы. Дж. Слэтер — М.: Мир, 1969, с. 648. Предлагаемая вниманию читателей книга, посвященная основам физики твердого тела, входит в серию книг автора «Квантовая теория молекул и твердых тел». (Ранее, в 1963 г., был издан перевод первой книги этой серии «Электронная структура молекул». ) Автор книги, крупный американский физик-теоретик, специалист в области физики твердого тела, квантовой химии, электроники, известе...

Ответы на билеты по ФОЭ, преподаватель Лобанов Ю.В

pottee
  • формат doc
  • размер 3.82 МБ
  • добавлен 21 июня 2009 г.
Ответы написанные по лекциям. для студентов групп МКС, РРиТ, СПР, ССК Электроника, ее основные области исследования; вакуумная, твердотельная, квантовая электроника, особенности физических процессов. Структура кристаллов. Типы кристаллических решеток. Классификация твердых тел по степени электропроводности Энергетические уровни и зоны твердого тела. Соотношение неопределенностей Гейзенберга. Разрешенные и запрещенные зоны. Потенциальная кинет...

Лихачев В.Л. Электротехника Справочник. Том 1

  • формат djvu
  • размер 6.27 МБ
  • добавлен 16 июня 2009 г.
Единицы физических величин, основные сведения по теории электротехники: з-н Ома, последовательное и параллельное соединение, работа, мощность, электромагнетизм, переменный ток, трехфазный ток, обозначения в схемах, электроизмерительные приборы, электронагреватели, электрическое освещение. Солон-Пресс 2007г. 553стр

Плотников В.П. Физика проводников и диэлектриков. Учебное пособие

  • формат pdf
  • размер 769.71 КБ
  • добавлен 11 июня 2009 г.
Учебное пособие написано на основе курса лекций, читаемых автором в Тамбовском государственном техническом университете. В сжатой форме, но с привлечением математического аппарата физики твердого тела в объеме, достаточном для понимания описываемых физических процес- сов, анализируются взаимосвязи электрофизических свойств материалов с особенностями их внутреннего строения. Предназначено для студентов электротехнических и электроэнергетических сп...

Левитський С.М. Фізична електроніка: Підручник

  • формат pdf
  • размер 6.65 МБ
  • добавлен 07 июня 2009 г.
К.: Видавничо-поліграфічний центр "Київський університет", 2005 - 153 с. Розглядаються питання, пов'язані з рухом заряджених частинок в електричних і магнітних полях у вакуумі, питання емісійної електроніки, елементарних процесів у газовому середовищі, фізики плазми та газового розряду. У кінці кожного розділу наведено контрольні запитання та задачі. Для студентів фізичних і фізико-математичних факультетів університетів та вищих технічних навчал...

Лабораторные работы по ФОЭ

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 338.91 КБ
  • добавлен 22 мая 2009 г.
Полупроводниковые диоды. стабилитроны. однополупериодные и двухполупериодные выпрямители. исследование биполярного транзистора.

Лабораторная работа - Изучение полупроводниковых структур с двумя взаимодействующими переходами

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 422.47 КБ
  • добавлен 11 мая 2009 г.
Лабораторная работа по физическим основам электроники- Изучение полупроводниковых структур с двумя взаимодействующими переходами УГАТУ, АП курс - 2. для специальностей МКС, РТ, СПР.2009 год

Лекции по ФОЭ

Статья
  • формат doc
  • размер 476.65 КБ
  • добавлен 02 мая 2009 г.
ПГТУ Пермь 2003 г. Рассмотрены вопросы, связанные с физическими основами и процессами, происходящими в полупроводниковых материалах, а также на границе двух сред – полупроводник-полупроводник, полупроводник-металл, полупроводник-диэлектрик. Описаны физические процессы, связанные с фотоэффектом и эффектом электрического поля в полупроводнике. Достаточно подробно рассмотрены вопросы элементной базы электроники и микроэлектроники, связанные с описан...

Лункин А.Н., Тутов Е.А. Физика твердотельных структур

  • формат pdf
  • размер 940.58 КБ
  • добавлен 28 апреля 2009 г.
Учебное пособие для вузов. - Воронеж: ВГУ, 2007. В книге рассмотрены свойства ЭДП, физические принципы работы терморезисторов, фоторезисторов, фотодиодов и туннельных диодов

Лекции по основам информационной электроники

Статья
  • формат doc
  • размер 1.87 МБ
  • добавлен 22 апреля 2009 г.
Лекции составленны преподавателем, и даны студентам, чтобы не тратить время на писанину. Все в Worde. Аккуратно, с картинками, а главное на доступном языке. Подойдет как для неэлектронщиков, так и для основного изучения по специальности. Полупроводниковые диоды. Принцип работы диода. Вольт-амперная характеристика диода (ВАХ). Выпрямительные диоды. Высокочастотные диоды. Импульсные диоды. Стабилитроны и стабисторы. Биполярные транзисторы. Общие пр...

Василенко І.І., Широков В.В. Василенко Ю.І. Конструкційні та електротехнічні матеріали

  • формат djvu
  • размер 2.85 МБ
  • добавлен 21 апреля 2009 г.
Львів: "Магнолія 2006", 2008. - 242 с. Викладенно фізичні основи елетроматеріалознавства та загальні відомості про основні класи електротехнічних матеріалів - діалектриків, провідників, напівпровідників, магнітних матеріалів та їх властивості.

Ионкин П.А. Основы инженерной электрофизики. Часть 2

  • формат djvu
  • размер 6.25 МБ
  • добавлен 04 апреля 2009 г.
Ионкин П. А. (ред) - Основы инженерной электрофизики. ч.2 (1972) Формат djvu, размер чуть более 1 Мб, более 300 стр. Учебник по электрофизике для вузов. Издание поможет студенту не только усвоить и оперативно повторить учебный материал перед сдачей зачета и экзамена, но и качественно подготовиться к семинарским занятиям, на- писать курсовую и дипломную работу. Содержание учебно-методического комплекса полностью соответствует требованиям государст...

Бурлаков Р.Б., Блинов В.И. Физика полупроводниковых приборов

  • формат doc
  • размер 1.8 МБ
  • добавлен 01 апреля 2009 г.
Рассматриваются физические принципы работы полупроводни-ковых приборов: фотоэлементов, диодов, транзисторов, переключа-тельных полупроводниковых приборов. Приведены описания лабора-торных работ, позволяющих изучить основные характеристики и параметры полупроводниковых приборов.

Бобыль А.В., Карманенко С.Ф. Физико-химические основы технологии полупроводников

  • формат pdf
  • размер 1.41 МБ
  • добавлен 28 марта 2009 г.
Учеб. пособие. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2005. 113стр. Пособие соответствует государственому образовательному стандарту по дисциплине "Физико-химические основы технологии полупроводников" для студентов, обучающихся по программе бакалавров по направлению 550100 - "Техническая физика" Предназначено для студентов физико-технического факультета.

Лобанов Ю.В. Лабораторный практикум по ФОЭ

  • формат jpg
  • размер 36.04 МБ
  • добавлен 19 марта 2009 г.
Лабораторный практикум предназначен для студентов, обучающихся по специальностям "Многоканальные телекоммуникационные системы", "Радиосвязь, радиовещание и телевидение", "Средства связи с подвижными объектами", "Электромеханика"rn

Перевезенцев С.В., Сухова В.Ф. Физические основы электроники. Часть 1

Практикум
  • формат doc
  • размер 1.24 МБ
  • добавлен 06 марта 2009 г.
Методическое пособие к вып. лаб. работ по курсу "Физические основы электроники ". ВГАВТ, Н.Новгород, 2002. В методическом пособии изложены общие вопросы из курса "Физические основы электроники" и приведена методика выполнения лабораторных работ. Содержание: Краткие теоретические сведения Лабораторная работа №1. Изучение контрольно-измерительной аппаратуры. Лабораторная работа №2. Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики p-n пер...

Билеты по ФОЭ

Билеты и вопросы
  • формат txt
  • размер 3.9 КБ
  • добавлен 03 января 2009 г.
2009. Идеальные кристаллы. Кристаллическая решетка Бравэ. Обозначение плоскостей и направлений кристалла. Индексы Миллера Реальные кристаллы. Структура реальных кристаллов. Дефекты кристаллической решеткиrn

Тырышкин И.С. Основы полупроводниковой электроники

  • формат pdf
  • размер 397.15 КБ
  • добавлен 03 января 2009 г.
Кратко изложены основные вопросы, изучаемые студентами в курсе «Физические основы электроники» Включены следующие разделы: Электрофизические свойства полупроводников оптические свойства полупроводников контактные явления типовые технологические процессы.

Шпоры по ФОЭ

pottee
  • формат jpg
  • размер 35.16 МБ
  • добавлен 28 сентября 2008 г.
Вопросы по ФОПП (ФОЭ) Электропроводность полупроводников. Полупроводниковые резисторы. Электропроводность полупроводников. Терморезисторы и фоторезисторы. Электропроводность полупроводников. Магниторезисторы и Датчики Холла. Контактные явления в полупроводниках. Влияние температуры. ВАХ p-n-перехода. Влияние температуры. ВАХ p-n-перехода. Пробой р-п-перехода. Типы полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды, их характеристики и параметры. Типы...

Лекции по ФОЭ

Статья
  • формат doc
  • размер 383.66 КБ
  • добавлен 28 сентября 2008 г.
Темы: Электропроводность полупроводников. Р-п переходы.Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Обратная связь. Операционные усилители. Применение операционных усилителей. и пр.// Лекции в формате .doc иллюстрированные.

Физические основы электроники. Конспект лекций ПГАТИ

  • формат ppt
  • размер 3.44 МБ
  • добавлен 10 августа 2008 г.
Элементы зонной теории твёрдого тела. Модель атома и св-ва электрона Квантовые числа. Понятие об энергетических уровнях и зонах. Кристаллическая решетка. Свойства полупроводников. Собственный полупроводник. Определение равновесной концентрации зарядов в собственном полупроводнике. Функция распределения Ферми-Дирака. Вероятность распределения электронов по энерг. уровням. Уровни Ферми. Эффективные массы электрона и дырки. Примесные полупроводники....

Расчетно-графическая работа - p-n переход

rgr
  • формат doc
  • размер 1.85 МБ
  • добавлен 28 июня 2008 г.
Материал из Википедии — свободной энциклопедии Материал из учебного пособия «Физика твердого тела» Епифанов Г.И. Задача: 6й вариант

Вопросы по ФОЭ

Билеты и вопросы
  • формат doc
  • размер 5.52 КБ
  • добавлен 21 июня 2008 г.
Вопросы к экзамену по курсу «Физические основы электроника» (для специальностей ЭМ и ЭЛА)

Курсовая работа - Разработка интегрального цифрового устройства

Курсовая работа
  • формат doc
  • размер 122.36 КБ
  • добавлен 13 июня 2008 г.

Лабораторная работа №2

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 98 КБ
  • добавлен 28 декабря 2007 г.
Физические основы полупроводников и диэлектриков.

Лабораторная работа №1

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 39.07 КБ
  • добавлен 27 декабря 2007 г.
Физические основы полупроводников и диэлектриков.

Лабораторные работы (теория)

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 102.5 КБ
  • добавлен 24 июня 2007 г.
Здесь почти вся теория, которую Шарфштейн А.Х. требует для защиты лабораторок.Нет перехода Шотки.

Расчетно-графическая работа (5 вариант)

rgr
  • формат doc
  • размер 162.69 КБ
  • добавлен 23 мая 2007 г.
Расчетная часть. Дан металлический шар. Он окружен оболочкой из диэлектрика, верхняя поверхность - сфера, всё остальное пространство – вакуум. Построить зависимости и проанализировать их особенности в областях и в пограничной точке. Построить картины вектора E и D в трех областях. Построить зависимость плотности распределения энергии в зависимости от Х для трех областей. Изменить радиус R так, чтобы количество энергии, заключенной во всем слое...

Контрольная работа №2

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 109.31 КБ
  • добавлен 27 января 2007 г.
Электронные ключи на биполярных транзисторах .

Контрольная работа №1

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 170.21 КБ
  • добавлен 27 января 2007 г.
Энергетические зоны. Свободные носители зарядов: электроны и дырки.

Физические основы микроэлектроники (ФОМ)

  • формат pdf
  • размер 1.01 МБ
  • добавлен 19 января 2007 г.
Электроника и микроэлектроника, схемотехника. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые структуры. Электронные усилители и генераторы. Импульсная техника.

Лабораторная работа №5

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 219.76 КБ
  • добавлен 17 января 2007 г.
Лабораторная работа "Моделирование электрических полей в электронных устройствах" по дисциплине ФОЭ. Пожалуй, самая тяжелая из всех на курсе. С отличным выводом.

Расчетно-графическая работа - Лазеры, Сверхпроводимость

rgr
  • формат doc
  • размер 3.17 МБ
  • добавлен 17 января 2007 г.
Две самостоятельные работы студента (СРС) по дисциплине "Физические основы электроники". В виде рефератов. Сданы на "отлично"

Расчетно-графические работы (3 варианта)

rgr
  • формат doc
  • размер 496.67 КБ
  • добавлен 16 января 2007 г.
Расчетно-графические работы по ФОЭ. Дана заряженная сфера. 3 варианта, с разными исходными данными. Сдаются обычно вместе с СРС.

Расчетно-графическая работа - Исследование биполярных транзисторов

rgr
  • формат doc
  • размер 158 КБ
  • добавлен 19 декабря 2006 г.
Исследование биполярных транзисторов в схеме c общим эмиттером. Изучение статических вольтамперных характеристик и определение параметров биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером.

Расчетно-графическая работа - Исследование стабилитронов

rgr
  • формат doc
  • размер 104 КБ
  • добавлен 19 декабря 2006 г.
Определение параметров стабилитронов КС147А и Д814Б по рабочим ветвям вольтамперных характеристик (ВАХ).

Шпоры по ФОЭ

pottee
  • формат doc
  • размер 539.83 КБ
  • добавлен 29 сентября 2006 г.
Атом. Корпускулярно-волновые свойства материи. Постулат Бора. Соотношение неопределённостей. Квантовые числа. Рентгеновские лучи. Закон Мозли. Рентгеноспектральный анализ. Рентгеноструктурный анализ. Понятие о квантовой механике. Классическая квантовая статистика. Распределение Больцмана. Опыт М. Борна по определению длины свободного пробега. Формула Сёзерленда. Длина свободного пробега электрона. Рассеивание электронного пучка. Квантовая статис...

Шпоры по ФОЭ

pottee
  • формат doc
  • размер 77.35 КБ
  • добавлен 28 сентября 2006 г.
Резисторы. Классификация. Основные параметры постоянных резисторов. Частотные свойства резисторов. Собственные шумы резисторов. Особенности работы резисторы в импульсивных режимах. Резисторы общего назначения Резисторы интегральных схем. Резисторы постоянные проволочные. Металлофольговые резисторы. Переменные резисторы. Конструкции переменных резисторов, их особенности. Конденсаторы. Классификация конденсаторов. Конденсаторы с неорганическим диэл...

Лекции по ФОЭ

Статья
  • формат doc
  • размер 997.82 КБ
  • добавлен 17 сентября 2006 г.
Общие сведения об электронных приборах. Классификация. Режимы, характеристики и параметры электронных приборов Модели электронных приборов. Электрофизические свойства полупроводников. Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника. Метод расчета концентраций. Условие электрической нейтральности. Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках. Положение уровня Ферми в полупроводниках. Распределение н...