‘изические основы электроники (‘ќЁ)


јнсельм ј.». ¬ведение в теорию полупроводников

јнсельм ј.». ¬ведение в теорию полупроводников

  • разное
  • pdf
  • 7.62 ћЅ
  • добавлен 06.02.2012
»здание 2-ое. ”чебник. ћосква, 1978, 616 стр. с иллюстраци€ми

»з предислови€ к первому изданию
 нига предназначена дл€ лиц, занимающихс€ экспериментальными исследовани€ми в области физики полупроводников. ќсновное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической решетки, законам движени€ электрона в идеал...
—мирнов ¬.». ‘изико-химические основы технологии электронных средств: учебное пособие

—мирнов ¬.». ‘изико-химические основы технологии электронных средств: учебное пособие

  • разное
  • pdf
  • 1.06 ћЅ
  • добавлен 30.01.2012
”ль€новск: ”л√“”, 2005.- 112 с. ISBN 5-89146-600-0
–ассмотрены основные технологические операции производства электронных средств с точки зрени€ физических €влений, сопутствующих или лежащих в основе той или иной операции. ќсновное внимание уделено технологии полупроводниковых микросхем, которые реализуютс€ в приповерхностно...
‘илатов Ѕ.√., Ўелест ƒ. ., ¬оротынцев ¬.ё. ‘изико-химические основы технологии электронно-вычислительных средств: Ћабораторный практикум

‘илатов Ѕ.√., Ўелест ƒ. ., ¬оротынцев ¬.ё. ‘изико-химические основы технологии электронно-вычислительных средств: Ћабораторный практикум

  • разное
  • pdf
  • 593.7  Ѕ
  • добавлен 26.01.2012
—ѕб√”јѕ. —ѕб., 2005. 52 с.: ил.
ѕриведены краткие теоретические сведени€ и методические указани€ к выполнению четырех лабораторных работ по курсу ‘изико-химические основы технологии электронно-вычислительных средств.
ѕредназначен дл€ студентов инженерных специальностей 200800 и 220500 всех форм обучени€.
- »сследован...
–епкин ƒ.ј. ‘изические основы электроники

–епкин ƒ.ј. ‘изические основы электроники

  • разное
  • doc
  • 5.4 ћЅ
  • добавлен 23.01.2012
”чебное пособие/ –епкин ƒ.ј. Ц  иров: »зд-во ¬€т√”, 2007. Ц 158 с.
¬ пособии содержатс€ основные теоретические сведени€ из зонной теории и теории проводимости полупроводников, физические основы работы p-n-переходов и приборов на их основе, указаны технологические особенности применени€ диодов, описаны конструкци€ и технологи...
ƒемь€нов ¬.¬., —идельцев C.¬. Ћабораторные работы по электронике часть 2

ƒемь€нов ¬.¬., —идельцев C.¬. Ћабораторные работы по электронике часть 2

  • разное
  • pdf
  • 3.4 ћЅ
  • добавлен 23.01.2012
ћетодические указани€ к лабораторным работам по курсам
‘изические основы электроники ,
‘изические основы промэлектроники ,
»нформационно-измерительна€ техника и электроника
√”  уз√“” 2009
–ужников ¬.ј. Ёлектронно-дырочный переход

–ужников ¬.ј. Ёлектронно-дырочный переход

  • разное
  • pdf
  • 400.4  Ѕ
  • добавлен 01.01.2012
—амара: ѕ√”“», 2011. Ц 11 с.
ќднородные полупроводники и однородные полупроводниковые слои наход€т весьма узкое применение и используютс€ только в виде различного рода резисторов. ќсновные элементы интегральных микросхем и больша€ часть дискретных полупроводниковых приборов представл€ют собой неоднородные структуры.
Ѕол...
ягубов «.’. ‘изические основы электроники

ягубов «.’. ‘изические основы электроники

  • разное
  • doc
  • 2.39 ћЅ
  • добавлен 18.12.2011
”чебное пособие. - «. ’. ягубов , —. ¬. √оршков. ”хта: ”√“”, 2002. - 99с., ил.

ISBN 5-88179-387-0

”чебное пособие предназначено дл€ студентов специальности 180400 - ЂЁлектропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексовї и направлени€ бакалавра 551300 - ЂЁлектротехника, электромеханика ...
ягубов «.’. ‘изические основы электроники: методические указани€ и контрольные задани€

ягубов «.’. ‘изические основы электроники: методические указани€ и контрольные задани€

  • разное
  • pdf
  • 8.87 ћЅ
  • добавлен 18.12.2011
- «. ’. ягубов, ». ј. “арасенко. - ”хта: ”√“”, 2001. - 22 с., ил.

ћетодические указани€ и контрольные задани€ предназначены дл€ выполнени€ контрольных работ по дисциплине "‘изические основы электроники" дл€ студентов II курса ‘Ѕќ "Ёлектропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов"

¬...
Ѕару ¬.√., ¬олькенштейн ‘.‘. ¬ли€ние облучени€ на поверхностные свойства полупроводников

Ѕару ¬.√., ¬олькенштейн ‘.‘. ¬ли€ние облучени€ на поверхностные свойства полупроводников

  • разное
  • pdf
  • 4.44 ћЅ
  • добавлен 17.12.2011
ћосква, »здательство Ќаука , 1978 год - 285 стр
¬ книге рассматриваетс€ вли€ние облучени€ (как электромагнитного, так и корпускул€рного) на адсорбционные и каталитические свойства проводников. ƒаетс€ сжата€ сводка экспериментального материала, затем развиваетс€ теори€ €влени€, приводитс€ сравнение теорий с экспериментов. ¬ к...
√лазачев ј.¬., ѕетрович ¬.ѕ. ‘изические основы электроники (конспект лекций)

√лазачев ј.¬., ѕетрович ¬.ѕ. ‘изические основы электроники (конспект лекций)

  • разное
  • pdf
  • 7.67 ћЅ
  • добавлен 30.11.2011
“омск: »зд-во “омского политехнического университета, 2009. - 128 с.
 онспект лекций включает в себ€ следующие основные разделы:
‘изические основы работы полупроводниковых приборов.
ѕолупроводниковые диоды.
Ѕипол€рные транзисторы.
ѕолевые транзисторы.
“иристоры.
ќптоэлектронные полупроводниковые прибо...
Ѕондаренко Ѕ.¬. Ёмисси€ электронов и ионов из твердого тела в вакуум

Ѕондаренко Ѕ.¬. Ёмисси€ электронов и ионов из твердого тела в вакуум

  • разное
  • djvu
  • 3.1 ћЅ
  • добавлен 08.11.2011
”чебное пособие.- ћ.: »здательство ћ‘“», 1982.- 83 с.

ƒанное учебное пособие по курсу "ќсновы вакуумной электроники предназначено дл€ студентов третьего курса факультета физической и квантовой электроники ћ‘“» в соответствии с учебным планом их подготовки по специальности 0631 - автоматика и электроника. ¬се виды электр...
√удкова —.ј. »сследование структуры и свойств двух и трехкомпонентных оксидов TixAL1-xOy, сформированных методом атомарно-слоевого осаждени€

√удкова —.ј. »сследование структуры и свойств двух и трехкомпонентных оксидов TixAL1-xOy, сформированных методом атомарно-слоевого осаждени€

  • разное
  • pdf
  • 608.31  Ѕ
  • добавлен 06.11.2011
јвтореферат диссертации на соискание учЄной степени кандидата физико-математических наук, ƒолгопрудный Ц 2011, 21с.
—пециальность 01.04.07 Ц физика конденсированного состо€ни€
–абота выполнена в государственном образовательном учреждении высшего профессионального образовани€ ћосковский физико-технический институт ...
Ћыньков Ћ.ћ. и др. Ћегированные оксиды титана и циркони€ в технологии формировани€ защитных покрытий

Ћыньков Ћ.ћ. и др. Ћегированные оксиды титана и циркони€ в технологии формировани€ защитных покрытий

  • разное
  • pdf
  • 617.05  Ѕ
  • добавлен 06.11.2011
—тать€. ќпубликована в ƒоклады Ѕ√”»–, є3, 2004, с.73-84
“онкие диэлектрические пленки из различных материалов нашли широкое применение в полупроводниковой электронике, в том числе и микроэлектронике. Ѕлагодар€ р€ду уникальных физико-химических свойств, они используютс€ в качестве буферных покрытий, стойких к воздейств...
Sapoval B., Hermann C. Physics of Semiconductors

Sapoval B., Hermann C. Physics of Semiconductors

  • разное
  • pdf
  • 64.16 ћЅ
  • добавлен 29.10.2011
Springer, 1995, 318 pages

Based on courses given at the Ecole Polytechnique in France, this book covers not only the fundamental physics of semiconductors, but also discusses the operation of electronic and optical devices based on semiconductors. It is aimed at students with a good background in mathematics and physi...
Mukherjee M. (ed.) Silicon Carbide - Materials, Processing and Applications in Electronic Devices

Mukherjee M. (ed.) Silicon Carbide - Materials, Processing and Applications in Electronic Devices

  • разное
  • pdf
  • 53.14 ћЅ
  • добавлен 28.10.2011
InTech. 2011. 558 p.

Silicon Carbide (SiC) and its polytypes, used primarily for grinding and high temperature ceramics, have been a part of human civilization for a long time. The inherent ability of SiC devices to operate with higher efficiency and lower environmental footprint than silicon-based devices at high tempe...
Ћевинштейн ћ.≈., ѕожела ё. ., Ўур ћ.—. Ёффект √анна

Ћевинштейн ћ.≈., ѕожела ё. ., Ўур ћ.—. Ёффект √анна

  • разное
  • djvu
  • 4.16 ћЅ
  • добавлен 24.10.2011
ћ.: —ов. радио. 1975г - 285с.
ќписаны физические основы и практическое применение эффекта √анна - одного из наиболее перспективных с прикладной точки зрени€ эффектов, открытых за последнее дес€тилетие в физике полупроводников. «начительное внимание уделено также целому р€ду
новых физических €влений, св€занных с эффектом ...
Ќет изображени€

—енигов ѕ.Ќ., √алишников ё.ѕ., Ѕеглецов Ќ.Ќ. –уководство по выполнению базовых экспериментов Ёлектронные приборы и устройства

  • разное
  • doc
  • 30.47 ћЅ
  • добавлен 22.10.2011
„ел€бинск: »зд. ё÷р√”, 2004. - 104 с.

ќписаны состав и отдельные компоненты учебного лабораторного комплекса ЂЁлектронные приборы и устройстваї. ѕредставлены электрические схемы соединений и их описани€, а также указани€ по проведению базовых экспериментов.
–уководство предназначено дл€ использовани€ при подготовке ...
Ћадыгин ≈.ј. ƒействие проникающей радиации на издели€ электронной техники

Ћадыгин ≈.ј. ƒействие проникающей радиации на издели€ электронной техники

  • разное
  • djvu
  • 3.81 ћЅ
  • добавлен 06.10.2011
1980 г.
¬ книге обобщены и изложены результаты отечественных и зарубежных исследований радиационных эффектов в различных издели€х электронной техники. –ассматриваютс€ физические механизмы радиационных повреждений, природа и свойства радиационных дефектов в материалах и издели€х электронной техники. ƒаютс€ основные расчетные ...
ё, ѕетер ё,  ардона ћ. ќсновы физики полупроводников

ё, ѕетер ё,  ардона ћ. ќсновы физики полупроводников

  • разное
  • pdf
  • 40.33 ћЅ
  • добавлен 19.09.2011
3-е изд. ћ. ‘изматлит. 2002. 560 с.

Ќасто€щее, уже третье издание "ќснов физики полупроводников" должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными стать€ми путем детального объ€снени€ электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. ¬ книге применен скорее физический...
«юганов ј.Ќ., —вечников —.¬. »нжекционно- онтактные явлени€ в ѕолупроводниках

«юганов ј.Ќ., —вечников —.¬. »нжекционно- онтактные явлени€ в ѕолупроводниках

  • разное
  • djvu
  • 4.28 ћЅ
  • добавлен 17.09.2011
 иев, Ќаукова ƒумка, 256 стр., 1981 г. »зложена физика инжекционно-контактные €влений в полупроводниках, а также физические основы работы контакта металл Ч полупроводник, рЧп перехода и гетероперехода. –ассматриваетс€ физическа€ модель гетероперехода, из которой получаютс€ модели рЧп перехода и контакта металл Ч полупроводник.
Grundmann M. The Physics of Semiconductors

Grundmann M. The Physics of Semiconductors

  • разное
  • pdf
  • 36.61 ћЅ
  • добавлен 18.03.2011
Springer, 2010. 900 p. ISBN: 3642138837

The Physics of Semiconductors provides material for a comprehensive upper-level-undergraduate and graduate course on the subject, guiding readers to the point where they can choose a special topic and begin supervised research. The textbook provides a balance between essential as...
Iniewski Krzysztof Radiation Effects in Semiconductors (–адиационные эффекты в полупроводниках)

Iniewski Krzysztof Radiation Effects in Semiconductors (–адиационные эффекты в полупроводниках)

  • разное
  • pdf
  • 10.79 ћЅ
  • добавлен 29.04.2011
CRC : 2010, ISBN: 1439826943, 431 pages
Space applications, nuclear physics, military operations, medical imaging, and especially electronics (modern silicon processing) are obvious fields in which radiation damage can have serious consequences, i.e. , degradation of MOS devices and circuits. Zeroing in on vital aspects of t...
Mukherjee M. (ed.) Silicon Carbide - Materials, Processing and Applications in Electronic Devices

Mukherjee M. (ed.) Silicon Carbide - Materials, Processing and Applications in Electronic Devices

  • разное
  • pdf
  • 53.14 ћЅ
  • добавлен 28.10.2011
InTech. 2011. 558 p.

Silicon Carbide (SiC) and its polytypes, used primarily for grinding and high temperature ceramics, have been a part of human civilization for a long time. The inherent ability of SiC devices to operate with higher efficiency and lower environmental footprint than silicon-based devices at high tempe...
Popov O.A. High Density Plasma Sources

Popov O.A. High Density Plasma Sources

  • разное
  • pdf
  • 22.47 ћЅ
  • добавлен 21.01.2011
High Density Plasma Sources - Design, Physics and Performance. (Materials Science and Process Technology Series). Popov O.A. , Editor. Park Ridge, NJ: Noyes Publications, 1997. - 465 pp. (Ќа англ. €з. )

¬ книге описываютс€ конструкции, физические основы функционировани€ и характеристики источников плазмы высокой плотнос...
Sapoval B., Hermann C. Physics of Semiconductors

Sapoval B., Hermann C. Physics of Semiconductors

  • разное
  • pdf
  • 64.16 ћЅ
  • добавлен 29.10.2011
Springer, 1995, 318 pages

Based on courses given at the Ecole Polytechnique in France, this book covers not only the fundamental physics of semiconductors, but also discusses the operation of electronic and optical devices based on semiconductors. It is aimed at students with a good background in mathematics and physi...
Schroder D.K. Semiconductor Material and Device Characterization

Schroder D.K. Semiconductor Material and Device Characterization

  • разное
  • pdf
  • 12.05 ћЅ
  • добавлен 11.03.2011
3rd edition. Wiley-Interscience, 2006. - xv, 781 p.
Contents
Resistivity
Carrier and Doping Density
Contact Resistance and Surface Barriers
Series Resistance, Channel Length and Width, and Threshold Voltage
Defects
Oxide and Interface Trapped Charge, Oxide Thickness
Carrier Lifetime...
јбакумов Ѕ.Ќ., ѕерель ¬.»., яссиевич ».Ќ. Ѕезызлучательна€ рекомбинаци€ в полупроводниках

јбакумов Ѕ.Ќ., ѕерель ¬.»., яссиевич ».Ќ. Ѕезызлучательна€ рекомбинаци€ в полупроводниках

  • разное
  • djvu
  • 3.06 ћЅ
  • добавлен 16.01.2010
—анкт - ѕетербург, »здательство "ѕетербургский институт €дерной физики им. Ѕ. ѕ.  онтантинова –јЌ", 1997 год - 376 стр. ISBN 5-86763-111-7.

¬ книге излагаютс€ физические представлени€ и основы теории процессов безызлучательной рекомбинации и термической ионизации электронов и дырок в полупроводниках. ¬ частности рассмот...
јнсельм ј.». ¬ведение в теорию полупроводников

јнсельм ј.». ¬ведение в теорию полупроводников

  • разное
  • djvu
  • 6.32 ћЅ
  • добавлен 14.06.2010
 нига предназначена дл€ лиц, занимающихс€ экспериментальными исследовани€ми в области физики полупроводников. ќсновное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической решетки, законам движени€ электрона в идеальном и возмущенном периодических пол€х, кинетическому уравнению и €влени€м переноса (происхождени€ тока).
јнсельм ј.». ¬ведение в теорию полупроводников

јнсельм ј.». ¬ведение в теорию полупроводников

  • разное
  • pdf
  • 7.62 ћЅ
  • добавлен 06.02.2012
»здание 2-ое. ”чебник. ћосква, 1978, 616 стр. с иллюстраци€ми

»з предислови€ к первому изданию
 нига предназначена дл€ лиц, занимающихс€ экспериментальными исследовани€ми в области физики полупроводников. ќсновное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической решетки, законам движени€ электрона в идеал...
Ѕазир √.». ‘изические основы электроники

Ѕазир √.». ‘изические основы электроники

  • разное
  • pdf
  • 980.24  Ѕ
  • добавлен 15.03.2011
”ль€новск: ”л√“”, 2006. - 61 с.
”чебное пособие предназначено дл€ студентов, обучающихс€ по специальности 21040665 "—ети св€зи и системы коммутации", 21040465 "ћногоканальные телекоммуникационные системы". ¬ пособие включены такие разделы, как переходы в полупроводниках и полупроводниковых структурах, физика полупроводниковы...
Ѕару ¬.√., ¬олькенштейн ‘.‘. ¬ли€ние облучени€ на поверхностные свойства полупроводников

Ѕару ¬.√., ¬олькенштейн ‘.‘. ¬ли€ние облучени€ на поверхностные свойства полупроводников

  • разное
  • djv
  • 3.17 ћЅ
  • добавлен 16.01.2010
ћосква, »здательство "Ќаука", 1978 год - 285 стр.

¬ книге рассматриваетс€ вли€ние облучени€ (как электромагнитного, так и корпускул€рного) на адсорбционные и каталитические свойства проводников. ƒаетс€ сжата€ сводка экспериментального материала, затем развиваетс€ теори€ €влени€, приводитс€ сравнение теорий с эксперимент...
Ѕару ¬.√., ¬олькенштейн ‘.‘. ¬ли€ние облучени€ на поверхностные свойства полупроводников

Ѕару ¬.√., ¬олькенштейн ‘.‘. ¬ли€ние облучени€ на поверхностные свойства полупроводников

  • разное
  • pdf
  • 4.44 ћЅ
  • добавлен 17.12.2011
ћосква, »здательство Ќаука , 1978 год - 285 стр
¬ книге рассматриваетс€ вли€ние облучени€ (как электромагнитного, так и корпускул€рного) на адсорбционные и каталитические свойства проводников. ƒаетс€ сжата€ сводка экспериментального материала, затем развиваетс€ теори€ €влени€, приводитс€ сравнение теорий с экспериментов. ¬ к...
Ѕашарин ј.ј. »скусственные магнитодиэлектрики и метаматериалы и их применение в цел€х улучшени€ распределени€ полей в рабочей зоне коллиматора

Ѕашарин ј.ј. »скусственные магнитодиэлектрики и метаматериалы и их применение в цел€х улучшени€ распределени€ полей в рабочей зоне коллиматора

  • разное
  • pdf
  • 1.1 ћЅ
  • добавлен 26.01.2011
јвтореферат кандидатской диссертации. —пециальности 01.04.13 Ч Ёлектрофизика, электрофизические установки, 05.12.07 Ч јнтенны, —¬„ устройства и их технологии. »нститут теоретической и прикладной электродинамики –јЌ. ћосква 2010 г.
Ѕерезин ¬.ћ. ћетоды формировани€ тонкоплЄночных структур

Ѕерезин ¬.ћ. ћетоды формировани€ тонкоплЄночных структур

  • разное
  • pdf
  • 1.27 ћЅ
  • добавлен 18.08.2011
”чебное пособие. - „ел€бинск, ё”р√”, 2010. Ц 96 с.

–ассмотрены методы формировани€ тонких плЄнок. ќписаны особенности формировани€ тонких плЄнок термовакуумным, ионным, молекул€рно-лучевой эпитаксией, химическими и электрохимическими методами.

”чебное пособие предназначено дл€ студентов физического и приборостр...
Ѕилалов Ѕ.ј. (сост.) “ехнологи€ материалов электронной техники: ионные процессы

Ѕилалов Ѕ.ј. (сост.) “ехнологи€ материалов электронной техники: ионные процессы

  • разное
  • pdf
  • 184.55  Ѕ
  • добавлен 02.05.2011
ћахачкала: ƒагест. гос. ун-т, 2008. - 25с. ( аф. эксперим. физики).
”чебно-методический комплекс. —оставлен в соответствии с требовани€ми √осударственного образовательного стандарта высшего профессионального образовани€ по специальности 200100 - ћикроэлектроника и твердотельна€ электроника, направлени€ подготовки - 654100 (...
Ѕобров ».». ‘изические основы электроники

Ѕобров ».». ‘изические основы электроники

  • разное
  • djvu
  • 3.16 ћЅ
  • добавлен 25.05.2010
”чеб. пособие / ѕермский. гос. техн. ун-т. - ѕермь, 2003. - 158 с.
ISBN5-88151-173-5

–ассмотрены физические основы проводимости полупроводников, физика полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, основные свойства, характеристики и параметры распространенных полупроводниковых приборов.  ратко рассмотрены те...
Ѕобыль ј.¬.,  арманенко —.‘. ‘изико-химические основы технологии полупроводников

Ѕобыль ј.¬.,  арманенко —.‘. ‘изико-химические основы технологии полупроводников

  • разное
  • pdf
  • 1.41 ћЅ
  • добавлен 28.03.2009
”чеб. пособие. —ѕб.: »зд-во ѕолитехн. ун-та,
2005. 113стр.

ѕособие соответствует государственому образовательному стандарту по дисциплине "‘изико-химические основы технологии полупроводников" дл€ студентов, обучающихс€ по программе бакалавров по направлению 550100 - "“ехническа€ физика"

ѕредназначено дл€ ст...
Ѕондаренко Ѕ.¬. Ёмисси€ электронов и ионов из твердого тела в вакуум

Ѕондаренко Ѕ.¬. Ёмисси€ электронов и ионов из твердого тела в вакуум

  • разное
  • djvu
  • 3.1 ћЅ
  • добавлен 08.11.2011
”чебное пособие.- ћ.: »здательство ћ‘“», 1982.- 83 с.

ƒанное учебное пособие по курсу "ќсновы вакуумной электроники предназначено дл€ студентов третьего курса факультета физической и квантовой электроники ћ‘“» в соответствии с учебным планом их подготовки по специальности 0631 - автоматика и электроника. ¬се виды электр...
Ѕондаренко √.√. и др. ќксидные пленки на поверхности металла: современное состо€ние исследований и проблемы практического использовани€ы

Ѕондаренко √.√. и др. ќксидные пленки на поверхности металла: современное состо€ние исследований и проблемы практического использовани€ы

  • разное
  • pdf
  • 1.01 ћЅ
  • добавлен 22.05.2011
—тать€. ќпубликована в ћатериалы VI ћеждународной научно-технической конференции,
21 Ц 23 окт€бр€ 2008 г. ћ. ћ»–Ёј с.170-176
ќдно из важнейших требований, предъ€вл€емых к катодам газоразр€дных
лазеров Ц способность сохран€ть рабочие параметры при контакте эмитируюших по-
верхностей с зар€женными и ускоренными час...
Ѕонч-Ѕруевич ¬.Ћ.,  алашников —.√. ‘изика полупроводников

Ѕонч-Ѕруевич ¬.Ћ.,  алашников —.√. ‘изика полупроводников

  • разное
  • djvu
  • 7.29 ћЅ
  • добавлен 01.03.2010
1977, 678 с.
Ёта книга написана на основе лекций, в течении р€да лет читавшихс€ авторами дл€ студентов физического факультета ћосковского университета и факультета физической и квантовой электроники ћосковского физико-технического института.  нига рассчитана на лиц, владеющих материалом общефизических и математических курсов...
Ѕроудай »., ћерей ƒж. ‘изические основы микротехнологии

Ѕроудай »., ћерей ƒж. ‘изические основы микротехнологии

  • разное
  • pdf
  • 20.97 ћЅ
  • добавлен 02.10.2009
ѕер. с англ. - ћ. ћир,
1985. - 496 с. 22,0 ћб.
¬ книге американских специалистов изложены физические принципы основных технологических процессов современной (на 1985 год) микроэлектроники, включа€ субмикронную литографию, сухое травление, лазерный и электронно-лучевой отжиг. рассмотрены перспективы совершенствовани€ тех...
Ўалимова  .¬. ‘изика полупроводников

Ўалимова  .¬. ‘изика полупроводников

  • разное
  • djv
  • 5.32 ћЅ
  • добавлен 19.01.2010
ћосква, »здательство "Ёнергоатомиздат", 1985 год - 392 стр.

¬ книге рассмотрены модельные представлени€ о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеивани€ носителей зар€дов, генераци€ и рекомбинац...
ё ѕитер,  ардона ћануэль. ќсновы физики полупроводников

ё ѕитер,  ардона ћануэль. ќсновы физики полупроводников

  • разное
  • djvu
  • 11.48 ћЅ
  • добавлен 06.07.2010
ѕер. с англ. ». ». –ешиной. ѕод ред. Ѕ. ѕ. «ахарчени. Ч 3-е изд. Ч ћ.: ‘»«ћј“Ћ»“, 2002. Ч 560 с. Ќасто€щее, уже третье издание "ќснов физики полупроводников" содержит детальное объ€снение электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников и полупроводниковых наносистем. ¬ книге применен скорее физическ...
√орбачев ¬.¬. —пицына Ћ.√. ‘изика полупроводников и металлов

√орбачев ¬.¬. —пицына Ћ.√. ‘изика полупроводников и металлов

  • разное
  • djvu
  • 4.58 ћЅ
  • добавлен 15.10.2010
ћосква, "ћеталлурги€", ÷алкина ‘. Ѕ. √офштейн ј. ». —перанска€ Ќ. ј. , 1982, 336 с.

”чебник дл€ студентов металлургических вузов по специальности "“ехнологи€ материалов электронной техники"(первое издание 1976г). ћожет быть использовано научными работниками и инженерами, работающими в области металлургии, физики и химии...
Ћебедев ј.». ‘изика полупроводниковых приборов

Ћебедев ј.». ‘изика полупроводниковых приборов

  • разное
  • pdf
  • 39.39 ћЅ
  • добавлен 26.03.2011
‘»«ћј“Ћ»“, 2008 г. - 488 стр.
–ассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, бипол€рных и полевых транзисторов, тиристоров, —¬„ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов √анна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с ...
¬асиленко ≤.≤., Ўироков ¬.¬. ¬асиленко ё.≤.  онструкц≥йн≥ та електротехн≥чн≥ матер≥али

¬асиленко ≤.≤., Ўироков ¬.¬. ¬асиленко ё.≤.  онструкц≥йн≥ та електротехн≥чн≥ матер≥али

  • разное
  • djvu
  • 2.85 ћЅ
  • добавлен 21.04.2009
Ћьв≥в: "ћагнол≥€ 2006",
2008. - 242 с.
¬икладенно ф≥зичн≥ основи елетроматер≥алознавства та загальн≥ в≥домост≥ про основн≥ класи електротехн≥чних матер≥ал≥в - д≥алектрик≥в, пров≥дник≥в, нап≥впров≥дник≥в, магн≥тних матер≥ал≥в та њх властивост≥.
Ѕонч-Ѕруевич ¬.Ћ.,  алашников —.√. ‘изика полупроводников

Ѕонч-Ѕруевич ¬.Ћ.,  алашников —.√. ‘изика полупроводников

  • разное
  • djvu
  • 7.29 ћЅ
  • добавлен 01.03.2010
1977, 678 с.
Ёта книга написана на основе лекций, в течении р€да лет читавшихс€ авторами дл€ студентов физического факультета ћосковского университета и факультета физической и квантовой электроники ћосковского физико-технического института.  нига рассчитана на лиц, владеющих материалом общефизических и математических курсов...
–осадо Ћ. (Rosado L.) ‘изическа€ электроника и микроэлектроника

–осадо Ћ. (Rosado L.) ‘изическа€ электроника и микроэлектроника

  • разное
  • djvu
  • 4.8 ћЅ
  • добавлен 05.12.2009
ѕеревод с испанского —. ». Ѕаскакова.
ѕод редакцией проф. ¬. ј. “ерехва.
»здательство "¬ысша€ школа" 1991.
352 страницы.


¬ книге детально, на высоком физико-математическом уровне рассматриваютс€ вопросы функционировани€ основных полупроводниковых приборов - дискретных и в интегральном исполнении (диодов...
‘изические основы электроники.  онспект лекций ѕ√ј“»

‘изические основы электроники.  онспект лекций ѕ√ј“»

  • разное
  • ppt
  • 3.44 ћЅ
  • добавлен 10.08.2008
Ёлементы зонной теории твЄрдого тела.
ћодель атома и св-ва электрона  вантовые числа.
ѕон€тие об энергетических уровн€х и зонах.
 ристаллическа€ решетка.
—войства полупроводников.
—обственный полупроводник.
ќпределение равновесной концентрации зар€дов в собственном полупроводнике.
‘ункци€ распределени...
—авиных ¬.Ћ. ‘изические основы электроники

—авиных ¬.Ћ. ‘изические основы электроники

  • разное
  • doc
  • 18.77 ћЅ
  • добавлен 26.08.2009
”чебное пособие. Ќовосибирск: —√”“и», 2003г. -76с

–ассматриваютс€ устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применени€ полупроводниковых электронных приборов

—одержание.
¬ведение.
ќсновы теории электропроводности полупроводников.
ќбщие сведени€ о полупроводниках.
јнсельм ј.». ¬ведение в теорию полупроводников

јнсельм ј.». ¬ведение в теорию полупроводников

  • разное
  • djvu
  • 6.32 ћЅ
  • добавлен 14.06.2010
 нига предназначена дл€ лиц, занимающихс€ экспериментальными исследовани€ми в области физики полупроводников. ќсновное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической решетки, законам движени€ электрона в идеальном и возмущенном периодических пол€х, кинетическому уравнению и €влени€м переноса (происхождени€ тока).
Ѕобров ».». ‘изические основы электроники

Ѕобров ».». ‘изические основы электроники

  • разное
  • djvu
  • 3.16 ћЅ
  • добавлен 25.05.2010
”чеб. пособие / ѕермский. гос. техн. ун-т. - ѕермь, 2003. - 158 с.
ISBN5-88151-173-5

–ассмотрены физические основы проводимости полупроводников, физика полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, основные свойства, характеристики и параметры распространенных полупроводниковых приборов.  ратко рассмотрены те...
Ѕонч-Ѕруевич ¬.Ћ.,  алашников —.√. ‘изика полупроводников (в 2-х томах)

Ѕонч-Ѕруевич ¬.Ћ.,  алашников —.√. ‘изика полупроводников (в 2-х томах)

  • разное
  • pdf
  • 47.53 ћЅ
  • добавлен 12.09.2010
Ёта книга написана на основе лекций, в течении р€да лет читавшихс€ авторами дл€ студентов физического факультета ћосковского университета и факультета физической и квантовой электроники ћосковского физико-технического института.  нига рассчитана на лиц, владеющих материалом общефизических и математических курсов в объеме програм...
√аман ¬.». ‘изика ѕолупроводниковых ѕриборов (2-е изд)

√аман ¬.». ‘изика ѕолупроводниковых ѕриборов (2-е изд)

  • разное
  • djvu
  • 5.74 ћЅ
  • добавлен 19.03.2010
2-е пер. испр. и доп. изд. - “омск, 2000. - 456 с.
ќчень хороший учебник по физике полупроводниковых приборов. –ассматриваютс€ след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перхода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; электронные процессы в ћƒѕ-структурах; ѕ«— системы; тунне...
√рибковский ¬.ѕ. “еори€ поглощени€ и испускани€ света в полупроводниках

√рибковский ¬.ѕ. “еори€ поглощени€ и испускани€ света в полупроводниках

  • разное
  • djvu
  • 5.36 ћЅ
  • добавлен 19.11.2009
ћинск, Ќаука и техника, 1975 г. 464 стр.
¬ книге с единой точки зрени€ излагаетс€ теори€ поглощени€ и усилени€ света, спонтанной и стимулированной рекомбинации в полупроводниках. ќсобое внимание уделено взаимодействию вещества с мощными потоками излучени€, которые привод€т к по€влению эффектов насыщени€. ¬первые в монографич...
‘изические основы микроэлектроники (‘ќћ)

‘изические основы микроэлектроники (‘ќћ)

  • разное
  • pdf
  • 1.01 ћЅ
  • добавлен 19.01.2007
Ёлектроника и микроэлектроника, схемотехника. ѕолупроводниковые приборы. ѕолупроводниковые структуры. Ёлектронные усилители и генераторы. »мпульсна€ техника.
—триха ¬.».  онтактные €влени€ в полупроводниках

—триха ¬.».  онтактные €влени€ в полупроводниках

  • разное
  • pdf
  • 10.85 ћЅ
  • добавлен 31.05.2010
Kиев: ¬ыща школа. √оловное издательство, 1982. Ч 224 с.
»зложены физические основы работы контакта металл Ч полупроводник, pЧn перехода и гетероперехода. –ассматриваетс€ физическа€ модель гетероперехода, из которой получаютс€ модели рЧn перехода и контакта металл Ч полупроводник. ѕодробно анализируютс€ вольт-амперные характе...
ѕоплавко ё.ћ. ‘изика диэлектриков

ѕоплавко ё.ћ. ‘изика диэлектриков

  • разное
  • djvu
  • 21.6 ћЅ
  • добавлен 27.05.2010
”чеб. пособие дл€ вузов. Ч  иев: ¬ища школа. √оловное изд-во, 1980. -400 с.
–ассматриваютс€ современные представлени€ о пол€ризации, электропроводности, диэлектрических потер€х, электрической прочности и фазовых переходах в диэлектриках. ќсобое внимание удел€етс€ нелинейным свойствам диэлектриков, а также новым физическим €в...
—тильбанс Ћ.—. ‘изика полупроводников

—тильбанс Ћ.—. ‘изика полупроводников

  • разное
  • djv
  • 3.71 ћЅ
  • добавлен 19.01.2010
ƒанна€ книга представл€ет собой систематической рассмотрение основных разделов физики полупроводников: качественного и количественного описани€ строени€ полупроводниковых кристаллов, энергетического спектра и статистики электронов и фононов, теории €влений переноса, оптических и фотоэлектрических свойств и контактных €влений.
ћошников ¬.ј., —пивак ё.ћ. јтомно-силова€ микроскопи€ дл€ нанотехнологии и диагностики

ћошников ¬.ј., —пивак ё.ћ. јтомно-силова€ микроскопи€ дл€ нанотехнологии и диагностики

  • разное
  • pdf
  • 3.24 ћЅ
  • добавлен 21.05.2011
”чеб. пособие —ѕб.: »зд-во —ѕб√Ё“” ЋЁ“», 2009, 80 с. ISBN 978-5-7629-0908-8 –ассматриваютс€ различные методы сканирующей зондовой микроскопии и их применение в нанотехнологии и диагностике
ѕредназначено дл€ студентов. обучающихс€ по магистерским образовательным программам "Ќанотехнологи€ и диагностика", "Ќано-и микросистемна...