Реферат
  • формат doc
  • размер 81.5 КБ
  • добавлен 29 апреля 2011 г.
Реферат - Электрический взрыв проводников
Содержание.
Электрический взрыв проводников.
Моделирование ЭВП.
Процессы протекающие при ЭВП.
Основные направления работ по ЭВП.
Применение ЭВП.
Заключение.
Список использованной литературы.
Смотрите также

Реферат - Барьерная емкость. Варикапы

Реферат
  • формат docx
  • размер 381.12 КБ
  • добавлен 27 мая 2011 г.
Содержание. Введение. Принцип действия и области применения варикапа. Малосигнальная эквивалентная схема варикапа. Особенности конструирования варикапов. Параметры варикапов и методы их измерения. Функциональные зависимости параметров варикапов. Заключение. Список используемой литературы.

Реферат - Биполярные транзисторы

Реферат
  • формат rtf, doc, docx
  • размер 416.79 КБ
  • добавлен 30 марта 2009 г.
Содержание. Введение. Электронно-дырочный p- n- переход. Классификация биполярных транзисторов. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения биполярных транзисторов. Полевые транзисторы. Принцип действия и устройство полевого транзистора. Схемы включения полевых транзисторов. Усиление тока. Частотные свойства транзисторов. Шумовые характеристики транзисторов. Система обозначений биполярных и полевых транзисторов. Заключе...

Реферат - Логические элементы и их электронные аналоги

Реферат
  • формат doc
  • размер 724.09 КБ
  • добавлен 04 апреля 2009 г.
Введение. Логический элемент И. . Логический элемент ИЛИ. Логический элемент НЕ. Логический элемент И-НЕ . Логический элемент ИЛИ-НЕ. Литература.

Реферат - Напівпровідникові матеріали

Реферат
  • формат doc
  • размер 315 КБ
  • добавлен 13 июля 2011 г.
ЧГУ им. Петра Могилы. г. Николаев. Преподователь: Прыщепов О.Ф. 2011 г. 37 с. Особливості напівпровідникових матеріалів Власна електропровідність напівпровідників Домішкова електропровідність Дрейфовий та дифузійний струми Фотопровідність напівпровідників Формування контакту напівпровідник- напівпровідник Енергетична діаграма р-n переходу Фотоефект в р-n переході

Реферат - Пассивные элементы полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем

Реферат
  • формат doc
  • размер 191.58 КБ
  • добавлен 27 января 2009 г.
Обзорный реферат. Рассматриваются некоторые особенности технологии изготовления резисторов (диффузионные резисторы, пинч-резисторы, эпитаксиальные резисторы, эпитаксиальные пинч-резисторы, ионно-легированные резисторы, пленочные резисторы) и конденсаторов (МДП – конденсаторы и диффузионные конденсаторы)

Реферат - перестраиваемый лазер

Реферат
  • формат docx
  • размер 33.62 КБ
  • добавлен 01 июля 2010 г.
Многие типы лазеров проектируются так, чтобы дать возможность оператору перестраивать или изменять по требованию выходную длину волны в широком диапазоне спектра излучения: от ультрафиолетового (УФ) до инфракрасного (ИК). . содержание: введение. виды перестраиваемых лазеров. -Наносекундные импульсные лазеры на красителях. -Наносекундные оптические параметрические генераторы. -Перестраиваемые одночастотные лазеры с брэгговскими решетками. заключен...

Реферат - Полупроводниковые диоды

Реферат
  • формат doc
  • размер 88.8 КБ
  • добавлен 06 мая 2009 г.
Содержание, введение, плоскостной выпрямительный диод, кремниевый стабилитрон, туннельный диод, точечный диод, импульсный диод, варикапы, диоды Шоттки, список литературы,

Реферат - Производство фотошаблонов

Реферат
  • формат docx
  • размер 389.19 КБ
  • добавлен 14 января 2010 г.
Для проведения процессов контактной фотолитографии, вариантом которой является фотолитография с контролируемым зазором, в качестве основного инструмента для переноса изображения используют фотошаблоны. В реферате представлены методы изготовления фотошаблонов.

Реферат - СБИС

Реферат
  • формат doc
  • размер 188.48 КБ
  • добавлен 20 января 2008 г.
Технологии сверхбольших ИМС

Реферат - Фототиристоры

Реферат
  • формат doc
  • размер 87.64 КБ
  • добавлен 08 февраля 2008 г.
Реферат по фототиристорам, описание, принцип действия, обозначения, рисунки.rn