Обзорный реферат. Рассматриваются некоторые особенности технологии
изготовления резисторов (диффузионные резисторы, пинч-резисторы,
эпитаксиальные резисторы, эпитаксиальные пинч-резисторы,
ионно-легированные резисторы, пленочные резисторы) и конденсаторов
(МДП – конденсаторы и диффузионные конденсаторы)
Реферат - Пассивные элементы полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем
Реферат
- формат doc
- размер 191.58 КБ
- добавлен 27 января 2009 г.
Смотрите также
Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и Конструирование Интегральных Микросхем
- формат djvu
- размер 9.13 МБ
- добавлен 03 ноября 2010 г.
М., Радио и связь, 1992 г. (2-е изд. ), 320 стр. Последовательно рассмотрены вопросы технологии кремниевых полупроводниковых, пленочных и гибридных интегральных микросхем различной степени интеграции, методы проектирования их элементной базы. Описаны типовые технологические процессы производства. Изложены принципы конструирования этих микросхем. Указаны конструктивно-технологические особенности больших и сверхбольших интегральных микросхем, а т...
Горбунов Ю.И., Козырь И.Я. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы
- формат djvu
- размер 1.48 МБ
- добавлен 29 августа 2011 г.
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .3. - М.: Высшая школа, 1989. - 143 с.: ил. В книге приведены основы физики и принципы действия важнейших полупроводниковых приборов, используемых в качестве дискретных компонентов и элементов интегральных микросхем. Рассмотрены особенности и классификация интегральных микросхем. Описаны базовые элементы цифровых микросхем и принципы построения...
Курносов А.И., Юдин В.В. Технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
- формат djvu
- размер 3.83 МБ
- добавлен 01 июня 2009 г.
3-е издание, переработанное, дополненное. издательство "Высшая школа", 1986. - 368 с. В книге рассмотрены основы технологического процесса производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. В з-е издание вошли главы радиоционной обработке материалов и приборов, новейшие на то время конструкции корпусов интегральных микросхем, а также полупроводниковым материалам.
Лекции - Системное проектирование производства БИС и СИС
Статья- формат doc
- размер 1.3 МБ
- добавлен 05 мая 2009 г.
Классификация интегральных микросхем, Подготовительные операции, Базовые элементы бис и сис, Особенности производства и применяемых расходных материалов. Основы проектирования маршрутной технологии кристаллов бис и сис. Анализ и синтез технологических маршрутов. Моделирование производства кристаллов бис и сис. Методы и алгоритмы моделирования базовых технологических операций. Методы и алгоритмы численного физико-Топологического моделирования полу...
Парфенов О.Д. Технология микросхем
- формат djvu
- размер 3.36 МБ
- добавлен 21 июня 2011 г.
«Высш. школа», 1977г. , 256 с. с ил. В книге рассмотрены: технология полупроводниковых интегральных микросхем (диффузии. эпитаксия, пассивация, межсоединения, фотолитография); технология гибридных пленочных микросхем (физические основы и техника термического вакуумного напыления, активные и пассивные тонкопленочные элементы, методы контроля тонкопленочных элементов в процессе напыления, распыление ионной бомбардировкой, технологические особенност...
Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы
- формат djvu
- размер 2.81 МБ
- добавлен 14 сентября 2007 г.
Хороший и достаточно емкий материал по полупроводниковым приборам В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники. Книга предназначена для студентов, обучающихся по образовательным программам подготовки бакалавро...
Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем
- формат djvu
- размер 25.21 МБ
- добавлен 30 ноября 2010 г.
М.: Энергоатомиздат, 1988, 256 с. Проанализировано влияние поверхностных радиационных эффектов в структуре диэлектрик-полупроводник на свойства элементов интегральных микросхем со структурой металл-диэлектрик-полупроводник и элементов биполярных интегральных микросхем. Рассмотрены физические модели, которые можно использовать при проектировании и создании интегральных микросхем, предназначенных для работы в условиях воздействия ионизирующего излу...
Реферат - Структуры интегральных схем
Реферат- формат doc
- размер 287.85 КБ
- добавлен 15 ноября 2010 г.
Введение. Классификация интегральных микросхем. Структуры интегральных схем. Конструкции активных элементов полупроводниковых микросхем. Транзисторы типа n–p–n. Транзисторы типа p–n–p. Многоэмиттерные транзисторы (МЭТ). Многоколлекторные транзисторы (МКТ). Составные транзисторы. Интегральные диоды и стабилитроны. Диод Шотки и транзистор с диодом Шотки. Конструкции активных элементов полупроводниковых микросхем. МНОП–транзисторы. МОАП–транзисторы....
Электроника и микроэлектроника
- формат pdf
- размер 87.71 МБ
- добавлен 26 февраля 2011 г.
Учебное пособие для вузов. 2-е изд., исправленное. Чебоксары: Изд-во Чуваш, ун-та, 2001. 378 с. Рассматриваются структура, энергетические зоны и электропроводность полупроводников, технологические процессы выращивания монокристаллов кремния, теория p-n-перехода и методы его изготовления, основные типы полупроводниковых приборов, элементы полупроводниковых и гибридных интегральных схем, усилительные каскады, интегральные логические элементы. Огл...