Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии

  • формат djvu
  • размер 3.32 МБ
  • добавлен 18 марта 2012 г.
М.: Высшая школа, 1984. — 320 с. Уч. пособие для студентов вузов специальностей электронной техники. Содержание. Основные явления при взаимодействии ускоренных электронов и ионов с твердым телом. Движение ускоренных электронов в веществе. Образование радиационных дефектов при облучении ионами. Изменение электрических свойств твердых тел в результате ионной бомбардировки. Ионная имплантация в полупроводники. Модификация свойств твердых тел ионной...

Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И. Физические основы электронной и ионной технологии

  • формат pdf
  • размер 4.38 МБ
  • добавлен 10 февраля 2015 г.
М.: Высшая школа, 1984. — 320 с. Учебное пособие для студентов вузов специальностей электронной техники. Содержание. Основные явления при взаимодействии ускоренных электронов и ионов с твёрдым телом. Движение ускоренных электронов в веществе. Образование радиационных дефектов при облучении ионами. Изменение электрических свойств твердых тел в результате ионной бомбардировки. Ионная имплантация в полупроводники. Модификация свойств твёрдых тел и...

Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах

  • формат djvu
  • размер 3,15 МБ
  • добавлен 11 июля 2012 г.
Под ред. Т.М. Агаханяна. — М.: Энергоатомиздат, 1989. — 256 с. — ISBN 5-283-02963-8. Представлены основы теории взаимодействия ионизирующих излучений с материалами электронной техники. Приведены модели поведения элементов ИМС в полях ионизирующих излучений. Рассмотрены особенности вторичных ионизационных эффектов - радиационного "защелкивания", радиационно-индуцированного вторичного пробоя и т.д.; влияние остаточных и переходных ионизационных эфф...

Аксенов А.И. и др. Вакуумные и плазменные приборы и устройства

  • формат pdf
  • размер 1.97 МБ
  • добавлен 22 июня 2013 г.
Учебное пособие. Томск, ТГУСУР, 2007, 139 с. Авторы: А.И. Аксенов, А.Ф. Злобина,Н.Г. Панковец, Д.А. Носков Электронными приборами называют устройства, принцип действия которых основан на явлениях, связанных при движении электронов в вакууме, в газовой среде и в твердом теле. В зависимости от среды, в которой протекают основные процессы, электронные приборы подразделяются на вакуумные, плазменные (ионные) и полупроводниковые. В пособии рассматрива...

Андреев В.В. и др. Физическая электроника и ее современные приложения

  • формат pdf
  • размер 4.91 МБ
  • добавлен 01 апреля 2015 г.
Андреев В.В., Балмашнов А.А., Корольков В.И., Лоза О.Т., Милантьев В.П. Учеб. пособие. М.: РУДН, 2008. – 383 с. В пособии изложены основные разделы современной физической электроники. Книга носит междисциплинарный характер и находится на стыке различных областей современной физики. Содержание пособия направлено на приобретение студентами глубоких и современных знаний о закономерностях электронного строения вещества и рассмотрение на этой основе е...

Аристов А.В., Глазачев А.В., Глазырин А.С., Петрович В.П. Лабораторный практикум по курсу Физические основы электроники

Практикум
  • формат pdf
  • размер 714.82 КБ
  • добавлен 25 апреля 2014 г.
Лабораторный практикум : Изд-воТПУ, 2006. – 59 с. В лабораторном практикуме содержится краткое описание физических процессов в основных типах полупроводниковых приборов, применяемых в современных электронных системах, устройств автоматического управления и пр., описан порядок проведения экспериментов при исследовании конкретных схем, приведены требования к оформлению очетов по лабораторным работам. Для подготовки к защите отчетов по каждой работе...

Артамонов А.С., Согоян А.В., Яненко А.В. Радиационные эффекты в БИС ОЗУ при воздействии импульсного ионизирующего излучения на моделирующей установке АРСА

  • формат pdf
  • размер 1,21 МБ
  • добавлен 29 февраля 2012 г.
Учебное пособие. М.: МИФИ, 2008. 48 с. Пособие содержит три самостоятельных раздела: «Эффекты в полупроводниковых ИС при воздействии импульсного ионизирующего излучения», «Описание моделирующей установки АРСА», а также «Лабораторная работа», целью которой является изучение радиационных эффектов при воздействии ИИИ на БИС ОЗУ К53РУ6, К132РУ5 и К541РУ 1. Лабораторная работа по разделу курса экстремальной электроники создана на базе ускорителя АРСА...

Аскеров Б.М. Электронные явления переноса в полупроводниках

  • формат pdf
  • размер 5.99 МБ
  • добавлен 09 февраля 2010 г.
Посвящена систематическому подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в полупроводниках. Излагаются как классическая, так и квантовая теории и термомагнитных эффектов. Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны. Учтено увлечение носителей тока фононами в произвольном неквантующем магнитном поле. Большое место занимает теория рассеяния носителей. Отдел...

Багницкий В.Е. Новая физика электронных приборов

  • формат fb2
  • размер 4,24 МБ
  • добавлен 28 января 2015 г.
Владивосток. Издательство: LAP. 2014. — 314 с. ISBN: 978-3-659-52152-2 Справочное пособие посвящено созданию математических моделей вольт-амперных характеристик полупроводниковых и вакуумных приборов. Приведены выводы уравнений вольт-амперных характеристик. СОДЕРЖАНИЕ Введение Исследование вакуумного диода. Решение задачи. Новая физика электронных приборов. Физика и математика. Заключение Список литературы. ПРИЛОЖЕНИЕ 1. ПРИЛОЖЕНИЕ 2. ПРИЛОЖЕН...

Багницкий В.Е. Новая физика электронных приборов

  • формат pdf
  • размер 3,37 МБ
  • добавлен 31 декабря 2014 г.
Владивосток. Издательство: LAP. 2014. — 314 с. ISBN: 978-3-659-52152-2 Справочное пособие посвящено созданию математических моделей вольт-амперных характеристик полупроводниковых и вакуумных приборов. Приведены выводы уравнений вольт-амперных характеристик. СОДЕРЖАНИЕ Введение Исследование вакуумного диода. Решение задачи. Новая физика электронных приборов. Физика и математика. Заключение Список литературы. ПРИЛОЖЕНИЕ 1. ПРИЛОЖЕНИЕ 2. ПРИЛОЖЕН...

Базир Г.И. Физические основы микроэлектроники: Учебное пособие. Часть 1

  • формат pdf
  • размер 1.02 МБ
  • добавлен 15 марта 2011 г.
Ульяновск: УлГТУ, 2006. - 115 с. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальности 21020165 "Проектирование и технология радиоэлектронных средств". В пособие включены такие разделы, как основы квантовой механики, основы физики твердого тела, основы квантовых статистик, основы физики полупроводников. Пособие представляет собой расширенный курс лекций, читаемых на радиотехническом факультете УлГТУ для студентов специальности...

Базир Г.И. Физические основы электроники

  • формат pdf
  • размер 980.24 КБ
  • добавлен 15 марта 2011 г.
Ульяновск: УлГТУ, 2006. - 61 с. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальности 21040665 "Сети связи и системы коммутации", 21040465 "Многоканальные телекоммуникационные системы". В пособие включены такие разделы, как переходы в полупроводниках и полупроводниковых структурах, физика полупроводниковых оптоэлектронных приборов, основы физики сверхпроводимости и криоэлектроники. Пособие представляет расширенный курс лекций,...

Барыбин А А Сидоров В Г Физико-технологические основы электроники

  • формат djvu
  • размер 8.76 МБ
  • добавлен 13 декабря 2009 г.
Изд.: СПб Лань, 2001 г. 272 страницы Современная электроника как научно-техническое направление имеет дело с исследованием и техническим применением физических явлений в материальны средах с заряженными частицами - в вакууме, плазме и твердом теле для создания разнообразных электронных приборов и устройств. Изучение физических закономерностей, положенных в основу принципа действия приборов составляет содержание учебных дисциплин, близких по наз...

Барыбин А.А. Электроника и микроэлектроника. Физико-технологические основы

  • формат djvu
  • размер 3.07 МБ
  • добавлен 18 ноября 2009 г.
Издательство: М.: ФИЗМАТЛИТ Год: 2006 Страниц: 424 В книге изложены основные физические явления и закономерности, лежащие в основе технологических методов и процессов, используемых в производстве современных электронных приборов и интегральных микросхем. Изложение материала построено так, чтобы дать читателю возможность самостоятельно сформировать общие физико-технологические представления путем изучения основных физических, химических и электрох...

Березин В.М. Методы формирования тонкоплёночных структур

  • формат pdf
  • размер 1.27 МБ
  • добавлен 18 августа 2011 г.
Учебное пособие. - Челябинск, ЮУрГУ, 2010. – 96 с. Рассмотрены методы формирования тонких плёнок. Описаны особенности формирования тонких плёнок термовакуумным, ионным, молекулярно-лучевой эпитаксией, химическими и электрохимическими методами. Учебное пособие предназначено для студентов физического и приборостроительного факультетов, а также может быть полезно аспирантам и специалистам, занимающимся тонкоплёночными технологиями.

Билеты по Физическим основам электроники

Билеты и вопросы
  • формат pdf
  • размер 382,45 КБ
  • добавлен 11 июня 2014 г.
Экзамен. г. Томск. Томский политехнический университет. 2013-2014 год. 47 билетов. Старший преподаватель Глазырин А.С. Для студентов технических специальностей. Кафедра ЭПЭО. Учебная дисциплина: «Физические основы электроники». 3 курс, 5 семестр.

Билеты по ФОЭ

Билеты и вопросы
  • формат txt
  • размер 3.9 КБ
  • добавлен 03 января 2009 г.
2009. Идеальные кристаллы. Кристаллическая решетка Бравэ. Обозначение плоскостей и направлений кристалла. Индексы Миллера Реальные кристаллы. Структура реальных кристаллов. Дефекты кристаллической решеткиrn

Бобров И.И. Физические основы электроники

  • формат djvu
  • размер 3.16 МБ
  • добавлен 25 мая 2010 г.
Учеб. пособие / Пермский. гос. техн. ун-т. - Пермь, 2003. - 158 с. ISBN5-88151-173-5 Рассмотрены физические основы проводимости полупроводников, физика полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, основные свойства, характеристики и параметры распространенных полупроводниковых приборов. Кратко рассмотрены технологические вопросы получения полупроводниковых приборов и микросхем. Дано представление об уровне развития современной микроэлект...

Бондаренко Б.В. Эмиссия электронов и ионов из твердого тела в вакуум

  • формат djvu
  • размер 3.1 МБ
  • добавлен 08 ноября 2011 г.
Учебное пособие.- М.: Издательство МФТИ, 1982.- 83 с. Данное учебное пособие по курсу "Основы вакуумной электроники предназначено для студентов третьего курса факультета физической и квантовой электроники МФТИ в соответствии с учебным планом их подготовки по специальности 0631 - автоматика и электроника. Все виды электронной и ионной эмиссии изложены в едином методическом стиле на современном научно-техническом уровне с привлечением необходимого...

Бондаренко Г.Г. и др. Оксидные пленки на поверхности металла: современное состояние исследований и проблемы практического использованияы

Статья
  • формат pdf
  • размер 1.01 МБ
  • добавлен 22 мая 2011 г.
Статья. Опубликована в Материалы VI Международной научно-технической конференции, 21 – 23 октября 2008 г. М. МИРЭА с.170-176 Одно из важнейших требований, предъявляемых к катодам газоразрядных лазеров – способность сохранять рабочие параметры при контакте эмитируюших по- верхностей с заряженными и ускоренными частицами, а также с газовой средой. Это обеспечивают защитные свойства тонкой оксидной или нитридной пленки. Особенно широко используются...