Учебное пособие. - М.: МИЭТ, 2010. - 113 с.
Пособие написано на основе курса «Наногетероструктурные монолитные
интегральные схемы СВЧ диапазона и дискретные полупроводниковые
приборы», читаемого магистрам МИЭТ кафедры «Квантовая физика и
наноэлектроника».
В нем излагаются более углубленные сведения о СВЧ наногетероструктурных монолитных микросхемах. Подробно рассматриваются вопросы построения СВЧ схем, начиная от технологии получения гетероструктур на основе арсенида галлия, включая топологическое проектирование, схемотехническое проектирование и моделирование микросхем на основе одного из самых быстродействующих элементов современной электроники - тунельно-резонансного диода(ТРД). Большое внимание уделено физике работы ТРД, монолитноинтегрированном с элементами полевого транзистора с затвором Шоттки (ПТШ), внимательно разбираются особенности технологии получения таких монолитноинтегрированных схем (МИС). Рассмотрены основные схемотехнические решения элементной базы, проектируемой на основе МИС ТРД и ПТШ – это триггер, компаратор, генератор и др.
В нем излагаются более углубленные сведения о СВЧ наногетероструктурных монолитных микросхемах. Подробно рассматриваются вопросы построения СВЧ схем, начиная от технологии получения гетероструктур на основе арсенида галлия, включая топологическое проектирование, схемотехническое проектирование и моделирование микросхем на основе одного из самых быстродействующих элементов современной электроники - тунельно-резонансного диода(ТРД). Большое внимание уделено физике работы ТРД, монолитноинтегрированном с элементами полевого транзистора с затвором Шоттки (ПТШ), внимательно разбираются особенности технологии получения таких монолитноинтегрированных схем (МИС). Рассмотрены основные схемотехнические решения элементной базы, проектируемой на основе МИС ТРД и ПТШ – это триггер, компаратор, генератор и др.