Вениаминов В.Н., Лебедев О.Н., Мирошниченко А.И. Микросхемы и их применение

Рассмотрены аналоговые интегральные микросхемы (ИМС) отечественного производства, применяемые в бытовой радиоаппаратуре. Приведены структурные и принципиальные схемы, схемы включения, электрические параметры, их зависимости от условий эксплуатации ИМС, чертежи корпусов, указаны назначения выводов и зарубежные аналоги.

Бессарабов Б.Ф., Федюк В.Д., Федюк Д.В. Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения. Справочник. Воронеж: ИПФ "Воронеж", 1994г. ISBN5-89981-030-0 В справочнике приведены электрические параметры, предельные эксплуатационные данные, габаритные размеры и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых диодов, тиристоров, транзисторов и микросхем, применяемых в бытовой радиоаппаратуре и радиолюбительской практике. Приведены...

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .3. - М.: Высшая школа, 1989. - 143 с.: ил. В книге приведены основы физики и принципы действия важнейших полупроводниковых приборов, используемых в качестве дискретных компонентов и элементов интегральных микросхем. Рассмотрены особенности и классификация интегральных микросхем. Описаны базовые элементы цифровых микросхем и принципы построения...

Минск, Амалфея, 2002, 272 с. Учебное пособие написано в соответствии с учебной программой курса «Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы». Рассматриваются основы физики полупроводников, принципы действия и особенности полупроводниковых приборов, общие вопросы терминологии ИМС. Дано описание материалов, из которых изготовлены элементы микросхем и конструкций транзисторов. Для учащихся ПТУ приборостроения, электротехники и электроники.

СПб: Наука и Техника, 2001. -688 стр. с ил. Справочник предназначен в первую очередь для инженерно технического-персонала, занимающегося сервисным обслуживанием зарубежного электронного оборудования и, надеемся, будет также полезен радиолюбителям. При составлении справочника использовалась техническая документация 1999-2000 г. г. некоторых фирм-производителей электронных полупроводниковых приборов, систематизирована информация, взятая из нескольк...

Методические указания к четырём лабораторным работам "Характеристики и параметры полупроводниковых диодов", "Характеристики и параметры биполярных транзисторов", "Характеристики и параметры полевых транзисторов с управляющин p-n-переходом", "Операционный усилитель" для специальностей 230101 , 230102.

Интегральные микросхемы и зарубежные аналоги К143-174 Cправочник. Том 2 "РадиоСофт" 640 с. В справочнике приводятся классификация, условные обозначения, типов, габаритные размеры корпусов, особенности применения и основные параметры более 300 типов аналоговых и цифровых микросхем, начиная с серии К143.

НУК, 2011 г. Силовые полупроводниковые приборы: диоды, транзисторы. Их разновидности, параметры, особенности, применения. Силовые полевые транзисторы (MOSFET). области их применения, преимущества перед биполярными транзисторами, характеристики. Силовые биполярные транзисторы (ВТ). Их параметры, характеристики; особенности работы в ключевом режиме, применение Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Особенности, параметры, применен...

Программа представляет собой электронный справочник в котором приведены описания отечественных микросхем, их зарубежных аналогов, названия производителей и соответствующие данным микросхемам стандарты.

Нижний Новгород, 2004, НГТУ. 62 стр. Содержание. Введение. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Интегральные микросхемы. Цифровые интегральные микросхемы. Элементы оптоэлектроники. Практические занятия.