- Ярославль, - ЯГУ, - 2003, – 305 стр. Диссертация на соискание
ученой степени доктора физико-математических наук. Специальность:
01.04.10 - Физика полупроводников. (На правах рукописи).
Аннотация.
Цель диссертационной работы заключалась выявлении основных закономерностей транспорта носителей заряда в пористом кремнии и в структурах на его основе при вариации в широких пределах величины пористости (3-70%) и морфологии пор.
Содержание.
Формирование слоев пористого кремния и исследование их структурных характеристик.
Методы формирования слоев пористого кремния.
Структура пор и свойства поверхностной аморфизированной пленки.
Акустический метод определения пористости для мезопористых образцов.
Эффект формирования двухсторонней пористой структуры в процессе травления высоколегированных пластин кремния.
Явления переноса носителей заряда в слоях пористого кремния с различной морфологией.
Классификация электрических свойств пористого кремния и контактные явления на границе пористого кремния с металлами и кристаллическим кремнием.
Классификация электрических свойств пористого кремния.
Электрические свойства контакта пористого кремния с металлами.
Влияние термического отжига и электронного облучения на электропроводность пористого кремния с различной морфологией пор.
Изохронный термический отжиг пористого кремния в инертной среде.
Влияние облучения высокоэнергетичными электронами на проводимость слоев ПК.
Емкостные свойства и динамическая проводимость пористого кремния, содержащего аморфную фазу.
Зависимость диэлектрической проницаемости пористого кремния от величины пористости.
Анализ зависимости диэлектрической проницаемости пористого кремния от пористости в рамках трехфазной модели.
Частотные зависимости емкости тестовых структур с толстыми слоями пористого кремния в вакуумных условиях.
Динамическая проводимость структур с толстыми слоями пористого кремния в интервале частот 10-106 Гц в условиях вакуума.
Анализ электрических и фотоэлектрических свойств пористого кремния 3-й группы и квазиоднородных сильно компенсированных полупроводников АIVBVI в рамках модели флуктуирующего потенциального рельефа.
Квазиоднородные компенсированные твердые растворы на основе полупроводников AIVBVI.
Получение и свойства сильно компенсированных пленок сульфида свинца при помощи радиационных воздействий.
Электрические и фотоэлектрические явления в пористом кремнии группы.
Зависимость времени релаксации фотопроводимости для слоев PS3 от внешних воздействий.
Структурные и электрические параметры пленочных структур с буферными слоями пористого кремния с заданной электропроводностью.
Стоимость данного файла составляет 5 баллов
Аннотация.
Цель диссертационной работы заключалась выявлении основных закономерностей транспорта носителей заряда в пористом кремнии и в структурах на его основе при вариации в широких пределах величины пористости (3-70%) и морфологии пор.
Содержание.
Формирование слоев пористого кремния и исследование их структурных характеристик.
Методы формирования слоев пористого кремния.
Структура пор и свойства поверхностной аморфизированной пленки.
Акустический метод определения пористости для мезопористых образцов.
Эффект формирования двухсторонней пористой структуры в процессе травления высоколегированных пластин кремния.
Явления переноса носителей заряда в слоях пористого кремния с различной морфологией.
Классификация электрических свойств пористого кремния и контактные явления на границе пористого кремния с металлами и кристаллическим кремнием.
Классификация электрических свойств пористого кремния.
Электрические свойства контакта пористого кремния с металлами.
Влияние термического отжига и электронного облучения на электропроводность пористого кремния с различной морфологией пор.
Изохронный термический отжиг пористого кремния в инертной среде.
Влияние облучения высокоэнергетичными электронами на проводимость слоев ПК.
Емкостные свойства и динамическая проводимость пористого кремния, содержащего аморфную фазу.
Зависимость диэлектрической проницаемости пористого кремния от величины пористости.
Анализ зависимости диэлектрической проницаемости пористого кремния от пористости в рамках трехфазной модели.
Частотные зависимости емкости тестовых структур с толстыми слоями пористого кремния в вакуумных условиях.
Динамическая проводимость структур с толстыми слоями пористого кремния в интервале частот 10-106 Гц в условиях вакуума.
Анализ электрических и фотоэлектрических свойств пористого кремния 3-й группы и квазиоднородных сильно компенсированных полупроводников АIVBVI в рамках модели флуктуирующего потенциального рельефа.
Квазиоднородные компенсированные твердые растворы на основе полупроводников AIVBVI.
Получение и свойства сильно компенсированных пленок сульфида свинца при помощи радиационных воздействий.
Электрические и фотоэлектрические явления в пористом кремнии группы.
Зависимость времени релаксации фотопроводимости для слоев PS3 от внешних воздействий.
Структурные и электрические параметры пленочных структур с буферными слоями пористого кремния с заданной электропроводностью.
Стоимость данного файла составляет 5 баллов