Приборостроение, радиотехника, связь
  • формат djvu
  • размер 989.06 КБ
  • добавлен 31 августа 2011 г.
Семёнов Ю.Г. Контроль качества
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн.
10. - М.: Высшая школа, 1990. - 111 с.: ил.
В книге описаны методы и технические средства контроля и измерений параметров полупроводниковых приборов и ИМС, а также различные виды их испытаний. Приведены основы статистической обработки результатов измерений и испытаний. Рассмотрены типовые измерительные схемы и компоновка высокопроизводительных измерительных систем.
Смотрите также

Батавин В.В. и др. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур

  • формат djvu
  • размер 2.77 МБ
  • добавлен 28 марта 2011 г.
/ В. В. Батавин, Ю. А. Концевой, Ю. В. Федорович - М.: Радио и связь, 1985. - 264 с., ил. (Измерения в электронике). Рассмотрены физические основы методов измерений электрофизических и структурных параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев, а также освещены вопросы их практической реализации. Анализируются причины возникновения погрешностей, даются рекомендации по ограничению и устранению источников ошибок измерений. Приводят...

Васильев В. Радиолюбителю о транзисторах

  • формат djvu
  • размер 4.29 МБ
  • добавлен 25 ноября 2010 г.
М.: ДОСААФ. 1967. - 240с. В любительской практике обычно не требуется тех точных и громоздких расчетов, которые имеют место в лабораторных и промышленных условиях. В большинстве случаев можно вполне обойтись простыми приближенными формулами и соотношениями, запомнить и научиться обращаться с которыми под силу даже начинающему радиолюбителю. В данной книге наряду с такими формулами приводится значительное количество конечных результатов расчетов...

Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник

  • формат djvu
  • размер 9.34 МБ
  • добавлен 20 октября 2009 г.
М.: Радио и связь, 1991, 528 с. Рассмотрены механические, химические, ионные, плазменные, электронно-лучевые и другие методы обработки в технологии микроэлектронных устройств. Обобщены данные по выращиванию монокристаллов, диффузии, эпитаксии, ионной имплантации, технологии тонких пленок, литографии, сборке и герметизации. Значительное внимание уделено контролю, обеспечению качества и надежности при изготовлении микроэлектонных устройств. Для ин...

Каменская А.В. (сост.) Технология материалов и изделий электронной техники

  • формат pdf
  • размер 986.12 КБ
  • добавлен 07 августа 2011 г.
Учебное пособие, НГТУ,Новосибирск, 1999, 58 с. Учебное пособие для студентов заочной и дневной форм обучения. Специальность 200200 "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы". В учебном пособии изложены основы технологических схем получения и очистки важнейших полупроводниковых материалов, используемых в электронной технике. Содержание: Технологические методы выращивания монокристаллов полупроводников из расплавов. Тигельные методы. Бестигель...

Курсовой проект - Разработка конструкции триггера Шмитта

Курсовая работа
  • формат doc
  • размер 430.85 КБ
  • добавлен 22 сентября 2008 г.
Введение; Анализ задания на проектирование; Анализ схемы принципиальной электрической; Выбор структуры подложки; Расчет параметров элементов; Выбор навесных компонентов; Разработка коммутационной схемы; Разработка эскиза топологии; Оценка качества разработанной ИМС; Описание технологического процесса изготовления ГИС; Защита ИМС от внешних воздействий; Заключение; Литература; Нормативная документация МГПК, специальность Микроэлектроника.

Лекции - Системное проектирование производства БИС и СИС

Статья
  • формат doc
  • размер 1.3 МБ
  • добавлен 05 мая 2009 г.
Классификация интегральных микросхем, Подготовительные операции, Базовые элементы бис и сис, Особенности производства и применяемых расходных материалов. Основы проектирования маршрутной технологии кристаллов бис и сис. Анализ и синтез технологических маршрутов. Моделирование производства кристаллов бис и сис. Методы и алгоритмы моделирования базовых технологических операций. Методы и алгоритмы численного физико-Топологического моделирования полу...

Минайчев В.Е. Нанесение плёнок в вакууме

  • формат djvu
  • размер 1.06 МБ
  • добавлен 31 августа 2011 г.
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 6. - М.: Высшая школа, 1989. - 96 с.: ил. В книге описаны технологические процессы нанесения тонких пленок в вакууме в производстве полупроводниковых приборов и ИМС: термическое испарение и ионное распыление (в том числе диодное и магнетронное распыление, высокочастотный и реактивный методы ионного распыления). Рассмотрены основы построения ва...

Никифорова-Денисова С.Н. Механическая и химическая обработка

  • формат djvu
  • размер 914.91 КБ
  • добавлен 31 августа 2011 г.
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .4. - М.: Высшая школа, 1989. - 95 с.: ил. В книге описаны технологические процессы механической и химической обработки полупроводниковых пластин: резка,шлифовка, полировка, скрайбирование, разламывание, химическая очистка и травление. Приведены режимы обработки, характеристики используемого оборудования, последовательность и особенности выполн...

Никифорова-Денисова С.Н., Любушкин Е.Н. Термические процессы

  • формат djvu
  • размер 907.3 КБ
  • добавлен 31 августа 2011 г.
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 5. - М.: Высшая школа, 1989. - 96 с.: ил. В книге описаны технологические процессы формирования диэлектрических и поликристаллических кремниевых пленок на поверхности полупроводниковых пластин, а также эпитаксиального наращивания. Приведены режимы обработки, характеристики используемого оборудования, последовательность и особенности выполнения...

Фалькевич Э.С. и др. Технология полупроводникового кремния

  • формат djvu
  • размер 4.95 МБ
  • добавлен 02 декабря 2009 г.
М.: Металлургия, 1992, - 408 с. Изложены физико-химические основы технологии полупроводникового кремния, рассмотрены свойства технологических материалов, влияние структурных несовершенств и термической обработки на электрофизические и физико-химические свойства кремния. Описаны процессы получения кремния и оборудование, в том числе вакуумное и криогенное. Рассмотрены способы получения кремния с заранее заданными свойствами, приведены области его...