• формат pdf
  • размер 870.11 КБ
  • добавлен 07 августа 2011 г.
Шиляев П.А., Павлов Д.А. Полупроводниковые гетероструктуры: гетеропереход
Учебно-методическое пособие. – Нижний Новгород: ННГУ, 2009. – 18 с.

Данное учебно-методическое пособие является дополнением к курсу «Физика низкоразмерных систем», читаемом на физическом факультете ННГУ для студентов, обучающимся по направлению подготовки 210600 «Нанотехнология».

В пособии рассматривается метод построения энергетической диаграммы идеального гетероперехода по правилу электронного сродства и приводится методика расчета параметров резкого анизотипного гетероперехода. Дана классификация гетеропереходов и приведены справочные данные по основным полупроводниковым материалам, применяемым для создания гетеропереходов.
Смотрите также

Глазачев А.В., Петрович В.П. Физические основы электроники (конспект лекций)

  • формат pdf
  • размер 7.67 МБ
  • добавлен 30 ноября 2011 г.
Томск: Изд-во Томского политехнического университета, 2009. - 128 с. Конспект лекций включает в себя следующие основные разделы: Физические основы работы полупроводниковых приборов. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Классификация и обозначения полупроводниковых приборов.

Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе теллурида висмута (Bi2Te3)

  • формат djvu
  • размер 5.05 МБ
  • добавлен 09 февраля 2010 г.
Полупроводниковые термоэлектрические материалы на оенове Bi2Te3, Гольцман Б. М., Кудинов В. А., Смирнов И. А. Изд. -во «Наука», Главная редакция физико-математической литературы, 1972. В монографии подробно обсуждаются явления переноса, а также оптические и резонансные явления, которые в анизотропных материалах со сложной зонной структурой (каковыми являются Bi2Te3 и твердые растворы на его основе) имеют ряд существенных особенностей. Большое вн...

Лабораторные работы - Биполярные, Полевые, Диоды, Усилители каскадов, Выпрямители

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 7.78 МБ
  • добавлен 14 марта 2011 г.
ЧГУ им. И. Н. Ульянова 2 курс Биполярные-– исследование характеристик биполярных транзисторов, включенных с общей базой (ОБ), и с общим эмиттером (ОЭ), и усилительных каскадов с ОЭ и ОК. , полевые транзисторы-Схемы для исследований полевых транзисторов. ; Полупроводниковые диоды вольт амперные характеристики; Усилители каскадов-– исследование характеристик биполярных транзисторов, включенных с общей базой (ОБ), и с общим эмиттером (ОЭ), и усил...

Лабораторные работы по ФОЭ

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 338.91 КБ
  • добавлен 22 мая 2009 г.
Полупроводниковые диоды. стабилитроны. однополупериодные и двухполупериодные выпрямители. исследование биполярного транзистора.

Левитский С.М. Радиоэлектроника

  • формат doc, docx, tif
  • размер 6.81 МБ
  • добавлен 22 июня 2011 г.
Курс лекций С. М. Левитского(заслуженного профессора АН Украины и КНУ имени Тараса Шевченка ) по радиоэлектронике. Правда вот на украинском языке. Содержание: - полупроводниковые устройства. - генераторы электрических сигналов. - усилители. - принципы радиосвязи. - элементы и узлы радиоустройств.

Лекции - Полупроводники

Статья
  • формат pdf
  • размер 5.91 МБ
  • добавлен 02 ноября 2011 г.
Лекции. Полупроводники. Содержание: полупроводники, контактные явления в полупроводниках p-n переход, p-n переход при прямом смещении, вольт-амперная характеристика p-n перехода при прямом смещении, уравнение Шокли, p-n переход при обратном смещении, пробой p-n перехода, переходные процессы в p-n переходе, полупроводниковые диоды, выпрямительные диоды, импульсные диоды, диоды Шоттки, стабилитроны, варикапы, туннельные диоды.

Лекция - Сложные полупроводники (Материалы и элементы электротехники)

Статья
  • формат doc
  • размер 117.04 КБ
  • добавлен 21 октября 2009 г.
Полупроводниковые соединения AIVBIV, Методы выращивания монокристаллов SiC, Применение SiC, Полупроводниковые соединения AIIIBV, Получение соединений AIIIBV, Применение полупроводников AIIIBV, Полупроводниковые соединения AIIBV, Стеклообразные и аморфные полупроводники, Получение гидрогенизированного кремния и его применение.

Маругин А.П., Меженный Е.В. Физические основы электроники часть 2

Практикум
  • формат pdf
  • размер 919.74 КБ
  • добавлен 23 февраля 2011 г.
УГГУ Екатеринбург 2010 Методические указания по дисциплине «Физические основы электроники» составлены в соответствии с программой курса и включают справочные материалы к расчетным заданиям по разделам: «Полупроводниковые приборы», «Усилитель-ные устройства» и «Импульсная техника». Расчетные задания предназначены для развития у студентов специальности 140604 – «Электропривод и автоматика промышленных установок и технологиче-ских комплексов» (ЭГП)...

Ружников В.А. Электронно-дырочный переход

  • формат pdf
  • размер 400.4 КБ
  • добавлен 01 января 2012 г.
Самара: ПГУТИ, 2011. – 11 с. Однородные полупроводники и однородные полупроводниковые слои находят весьма узкое применение и используются только в виде различного рода резисторов. Основные элементы интегральных микросхем и большая часть дискретных полупроводниковых приборов представляют собой неоднородные структуры. Большая часть полупроводниковых приборов работает на основе явлений, происходящих в области контакта твердых тел. На практике испол...

Физические основы микроэлектроники (ФОМ)

  • формат pdf
  • размер 1.01 МБ
  • добавлен 19 января 2007 г.
Электроника и микроэлектроника, схемотехника. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые структуры. Электронные усилители и генераторы. Импульсная техника.