• формат pdf
  • размер 1.02 МБ
  • добавлен 15 марта 2011 г.
Вологдин Э.Н., Лысенко А.П. Интегральное радиационное изменение параметров полупроводниковых материалов
М.: Научно-образовательный центр Московского региона в области фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения. Московский государственный институт электроники и математики, 1998. - 94 с.
Основным содержанием учебного пособия является рассмотрение вопросов взаимодействия основных видов радиации с твердым телом. Рассматриваются структуры конкретных точечных и групповых радиационных дефектов в кремнии, германии и арсениде галлия; рассматриваются теоретические предпосылки для расчетов изменения основных электро-физических параметров полупроводников; дается сводка имеющихся эмпирических зависимостей основных параметров полупроводников от интегрального потока облучения различными видами радиационного воздействия. Изложенный в настоящем пособии материал является базовым для дальнейшего изучения радиационных эффектов в различных изделиях электронной техники и оценки реакции радиоэлектронной аппаратуры на воздействие проникающей радиации.
Смотрите также

Батавин В.В. и др. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур

  • формат djvu
  • размер 2.77 МБ
  • добавлен 28 марта 2011 г.
/ В. В. Батавин, Ю. А. Концевой, Ю. В. Федорович - М.: Радио и связь, 1985. - 264 с., ил. (Измерения в электронике). Рассмотрены физические основы методов измерений электрофизических и структурных параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев, а также освещены вопросы их практической реализации. Анализируются причины возникновения погрешностей, даются рекомендации по ограничению и устранению источников ошибок измерений. Приводят...

Вологдин Э.Н., Лысенко А.П. Радиационные эффекты в некоторых классах полупроводниковых приборов

  • формат pdf
  • размер 949.27 КБ
  • добавлен 15 марта 2011 г.
М.: Научно-образовательный центр Московского региона в области фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения. Московский государственный институт электроники и математики, 2001. - 70 с. В настоящем учебном пособии рассмотрены радиационные эффекты, происходящие в полевых транзисторах, выпрямительных диодах, солнечных батареях. Основным содержанием учебного пособия является рассмотрение вопросов влияния...

Воробьев Ю.В. и др. Методы исследования полупроводников

  • формат djvu
  • размер 2.5 МБ
  • добавлен 28 марта 2011 г.
/ Ю. В. Воробьев, В. Н. Добровольский, В. И. Стриха. К.: Выща шк. Головное изд-во, 1988. - 232 с. , 125 ил. - Библиогр. : 35 назв. ISBN 5-11-000230-4 В учебном пособии рассмотрены методы определения основных параметров полупроводниковых материалов (удельного сопротивления, концентрации и подвижности носителей заряда, термических, термоэлектрических и рекомбинационных параметров, а также параметров, характеризующих поверхность полупроводника). И...

Воробьев Ю.В., Добровольский В.Н. и др. Методы исследования полупроводников

  • формат djvu
  • размер 3.12 МБ
  • добавлен 20 июня 2010 г.
Киев, "Выща школа", 1988 - 232 стр. , 125 илл. В учебном пособии рассмотрены методы определения основных параметров полупроводниковых материалов (удельного сопротивления, концентрации и подвижности носителей заряда, термических, термоэлектрических и рекомбинационных параметров, а также параметров, характеризующих поверхность полупроводника).

Курносов А.И. Материалы

  • формат djvu
  • размер 859.78 КБ
  • добавлен 29 августа 2011 г.
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .2. - М.: Высшая школа, 1989. -96 с.: ил. В книге описаны электрофизические свойства и строение материалов, используемых при производстве полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Рассмотрены полупроводниковые материалы, материалы, применяемые при их механической и химической обработке, фотолитографии, диффузии, защите и герметизац...

Курсовая работа - Расчет полупроводниковых диодов

Курсовая работа
  • формат doc
  • размер 425.63 КБ
  • добавлен 27 июня 2010 г.
Расчет полупроводниковых диодов. Введение. Полупроводниковые диоды. Анализ конструкций и технологии Изготовления. Полупроводниковые диодыи. Анализ конструкций. Технология изготовления. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Расчет электрофизических параметров полупроводникового диода. Исходные данные. Расчет. Заключение. Список литературы.

Минайчев В.Е. Нанесение плёнок в вакууме

  • формат djvu
  • размер 1.06 МБ
  • добавлен 31 августа 2011 г.
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 6. - М.: Высшая школа, 1989. - 96 с.: ил. В книге описаны технологические процессы нанесения тонких пленок в вакууме в производстве полупроводниковых приборов и ИМС: термическое испарение и ионное распыление (в том числе диодное и магнетронное распыление, высокочастотный и реактивный методы ионного распыления). Рассмотрены основы построения ва...

Никифорова-Денисова С.Н., Любушкин Е.Н. Термические процессы

  • формат djvu
  • размер 907.3 КБ
  • добавлен 31 августа 2011 г.
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 5. - М.: Высшая школа, 1989. - 96 с.: ил. В книге описаны технологические процессы формирования диэлектрических и поликристаллических кремниевых пленок на поверхности полупроводниковых пластин, а также эпитаксиального наращивания. Приведены режимы обработки, характеристики используемого оборудования, последовательность и особенности выполнения...

Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов

  • формат djvu
  • размер 3.46 МБ
  • добавлен 24 октября 2010 г.
Учебник для вузов по специальности "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы". - 2-е издание, переработанное и дополненное - Москва: - Высшая школа, 1987. - 239 с. В книге изложены основы методов измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов, рассматриваются вопросы их практической реализации; даны условия и границы применения методов измерения; проведён анализ причин возникновения погрешностей

Семёнов Ю.Г. Контроль качества

  • формат djvu
  • размер 989.06 КБ
  • добавлен 31 августа 2011 г.
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 10. - М.: Высшая школа, 1990. - 111 с.: ил. В книге описаны методы и технические средства контроля и измерений параметров полупроводниковых приборов и ИМС, а также различные виды их испытаний. Приведены основы статистической обработки результатов измерений и испытаний. Рассмотрены типовые измерительные схемы и компоновка высокопроизводительных...