М.: Атомиздат, 1980, 280 с
Рассмотрены механизмы перемещения атомов, вопросы диффузионно-стимулированного дефектообразования, влияния взаимодействия примесей с дефектами, свободными носителями заряда, электрическими и упругими полями на диффузию. Обсуждены особенности миграции примесей в структурах металл—полупроводник, гетеро- и гомоструктурах при реакционной диффузии и электродиффузии. Обобщены результаты экспериментальных исследований процессов диффузии и электропереноса примесей в структурах на основе элементарных
полупроводников (Se, Те, S, Ge, Si), халькогенидных соединений A2B6, A3B6, A2B6, соединений A3B5 и их твердых растворов.
Для специалистов по физике твердого тела и полупроводниковой электронике.
Рассмотрены механизмы перемещения атомов, вопросы диффузионно-стимулированного дефектообразования, влияния взаимодействия примесей с дефектами, свободными носителями заряда, электрическими и упругими полями на диффузию. Обсуждены особенности миграции примесей в структурах металл—полупроводник, гетеро- и гомоструктурах при реакционной диффузии и электродиффузии. Обобщены результаты экспериментальных исследований процессов диффузии и электропереноса примесей в структурах на основе элементарных
полупроводников (Se, Те, S, Ge, Si), халькогенидных соединений A2B6, A3B6, A2B6, соединений A3B5 и их твердых растворов.
Для специалистов по физике твердого тела и полупроводниковой электронике.