Аладышкин А.Ю. Туннельные явления в нанофизике

формат pdf
размер 618.95 КБ
добавлен 22 апреля 2011 г.

Учебное пособие. - Нижний Новгород, ННГУ. - 32 с.

Туннелирование есть преодоление микрочастицей потенциального барьера в случае, когда ее полная энергия оказывается меньше высоты этого барьера.

1 Введение
2 Одноэлектронные задачи туннелирования в одномерных и плоскослоистых системах
Задача рассеяния в стационарной квантовой механике
Метод матрицы распространения. Точные решения
Квазиклассическое описание туннелирования
3 Квазистационарные состояния в квантовой механике
Одномерные резонансные состояния
Резонансные состояния в центрально-симметричном потенциале

Похожие разделы

Смотрите также

Анищик В.М., Борисенко В.Е., Жданок С.А., Толочко Н.К., Федосюк В.М. Наноматериалы и Нанотехнологии

формат pdf
размер 14.57 МБ
добавлен 27 ноября 2010 г.

Минск, изд. БГУ, 375 стр. , 2008 г. В монографии обобщены и систематизированы многочисленные фундаментальные и прикладные знания по разнообразным наноматериалам и нанотехнологиям, дана общая характеристика наноматериалов и нанотехнологий, рассмотрены основные методы исследования наноматериалов, описаны структура и свойства различных видов наноматериалов, области их применения, особенности получения. Адресуется специалистам в области физики конден...

Воронов В.К. Подоплелов А.В. Современная физика. Конденсированное состояние

формат djvu
размер 3.1 МБ
добавлен 21 декабря 2009 г.

М. , 2008 г. 340 стр. Новый учебник по физике микро- и наносистем. Содержит подробную практическую информацию по различным методам формирования наноструктур (зондовые методы, эпитаксиальные, химические и т. д. ). Понятным языком описаны физические явления, лежащие в основе создания микро- и наносистем, а также приборов на их основе.

Галкин Н.Г. Физические основы наноэлектроники

формат doc
размер 9.14 МБ
добавлен 03 июля 2011 г.

Лекции. - Владивосток, ДВФУ, 2007. - 182 с. 1 Физика объемных полупроводников Кристаллическая структура и зонная энергетическая структура основных полупроводников Теория донорных (акцепторных) уровней и статистика равновесных носителей. Электрические, оптические и тепловые свойства Максимальная дрейфовая скорость в полупроводниках: стационарная дрейфовая скорость, всплеск дрейфовой скорости 2 Полупроводниковые P-N переходы и гетеропереходы...

Демиховский В.Я., Вугальтер Г.А. Физика Квантовых Низкоразмерных Структур

формат djvu
размер 2.36 МБ
добавлен 14 мая 2010 г.

Москва "Логос" 2000 г. (250 стр. ). В монографии теоретически рассмотрены электронные и магнитные явления в низкоразмерных полупроводниковых структурах (квантовых ямах, нитях, точках): расчёт энергетического спектра и волновых функций, оптические, электрические и магнитные свойства, процессы туннелирования и явления переноса, Кулоновская блокада, приведены примеры применения данных явлений в устройствах электроники и оптоэлектроники.

Касаткин С.И., Bacильeвa Н.П., Муравьев А.М. Спинтронные магниторезистивные элементы и приборы на их основе

формат djvu
размер 12.85 МБ
добавлен 22 октября 2011 г.

М.: Институт проблем управления РАН, 2005, 168 с.; илл. ISBN 5-85399-068-3. В книге рассмотрены физические основы и вопросы практической реализации тонкопленочных магниторезистивных элементов: запоминающих элементов, датчиков магнитного поля и тока, гальванических развязок и спиновых транзисторов и приборам на их основе. Большое внимание уделено принципам действия и конструкциям элементов, приведены их характеристики. Проанализировано состояние...

Касаткин С.И., Васильева Н.П., Муравьев А.М. Многослойные тонкопленочные магниторезистивные элементы

формат djvu
размер 10.17 МБ
добавлен 31 октября 2011 г.

Тула: Институт проблем управления РАН, 2001, 188 с.; илл. ISBN 5-8125-0098-3. В книге рассмотрены физические основы и вопросы практической реализации многослойных тонкопленочных магниторезистивных элементов: запоминающих элементов, датчиков магнитного поля, гальванических развязок и спиновых транзисторов. Большое внимание уделено принципам действия и конструкциям элементов, приведены их теоретические характеристики. Проанализировано состояние де...

Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Шалеев М.В. Рост Ge(Si) самоформирующихся наноотростков на подложках Si(001) методом молекулярно пучковой эпитаксии

формат pdf
размер 420.54 КБ
добавлен 07 августа 2011 г.

Электронное методическое пособие. - Нижний Новгород, ННГУ, 2010. - 17 с. В настоящее время на основе полупроводниковых гетероструктур создаются разного рода низкоразмерные системы (квантовые ямы, нити и точки), в которых наряду с изменением физических свойств объектов возникают новые физические эффекты, связанные с пространственным ограничением движения носителей заряда. На основе гетероструктур были созданы и теперь уже являются коммерчески дос...

Русанов А.И. Удивительный мир наноструктур

формат pdf
размер 4.39 МБ
добавлен 09 декабря 2011 г.

Журнал общей химии 2002, т.72, вып. 4, 18 страниц. Характеризуются два класса наноструктур, получаемых путем диспергирования макроскопических тел и путем агрегации свободных молекул или ионов. Описываются поверхностные явления в нанаструктурах. Дается определение поверхностного натяжения как избыточного поверхностного напряжения и формулируется условие механического равновесия на произвольно искривленной межфазной поверхности. Обсуждается влияние...

Щелкачёв Н.М., Фоминов Я.В. (сост.) Электрический ток в наноструктурах: кулоновская блокада и квантовые точечные контакты

формат pdf
размер 664.21 КБ
добавлен 02 августа 2011 г.

Учебно-методическое пособие. — Москва, МФТИ, 2010. — 39 с. Теоретически рассмотрено два физических явления, связанных с протеканием электрического тока через проводники малых размеров. Первый рассматриваемый эффект — кулоновская блокада туннелирования электронов через островок малых размеров (одно- электронный транзистор), второй эффект — особенности протекания тока через сужение малого поперечного сечения (квантовый точечный контакт), в частнос...

Novotny L. Principles of Nano-optics

формат pdf
размер 5.42 МБ
добавлен 07 ноября 2010 г.

Cambridge University Press, 2006, 519 pp. В книге приведена современная концепция теоретической и экспериментальной оптики, необходимая для понимания нанооптики. В книге описываются оптические явления, применительные для наноструктур (на англ. яз. ).