Баку, Изд-во «Элм»; 2009 г., 325 стр., Монография. Книга посвящена
исследованию термомагнитных и термоэлектрических явлений в
полупроводниках. Исследование термомагнитных и термоэлектрических
явлений в полупроводниках начиная с 60-70 годов проводились,
качественно, на другом уровне. Это было вызвано использованием их в
качестве метода исследования многих физических явлений, связанных
выявлением непараболичности зоны проводимости, влиянием его на
кинетические коэффициен-
ты, исследованием зонной структуры и влиянием их особенностей, обусловленных с перекрытием зон, бесщелевым состоянием, положением уровня Ферми, акцепторных и донорных уровней в них. Термомагнитные явления сыграли решающую роль в изучении электронной составляющей теплопроводности. С их помощью впервые удалось
прямым экспериментальным способом разделить электронную и фононную составляющие теплопроводности. Оказалось, что КЭ в полупроводниках значительно меньше, чем это следует из соотношения Видемана-Франца, число Лоренца, соответственно, меньше его Зоммерфельдовского значения. Предполагалось, что эти особенности обусловлены неупругим характером рассеяния электронов проводимости. Теоретическое рассмотрение данного вопроса показала, что, действительно, при средних температурах создаются условия для неупругого межэлектродного и электрон-фононного взаимодействия. Была пересмотрена теория кинетических явлений, в том числе явлений, вызванных градиентом температуры, с учетом влияния неквадратичности закона дисперсии и неупругости характера рассеяния. Рассмотрено влияние магнитного поля на продольный и поперечный эффекты Н-Э в условиях увлечения электронов проводимости фононами, вводится параметр силы увеличения А(Т,Е), ответственный за эффект, который должен уменьшаться по мере возрастания магнитного поля. Теоретически выкладки были подтверждены экспериментами на примере кристаллов CdxHg1-xТе и получено несколько результатов, не имеющие место для диффузионной термоэдс.
Книга может быть использована научными сотрудниками, аспирантами и студентами физических факультетов, специализирующихся в области физики полупроводников и твердого тела.
ты, исследованием зонной структуры и влиянием их особенностей, обусловленных с перекрытием зон, бесщелевым состоянием, положением уровня Ферми, акцепторных и донорных уровней в них. Термомагнитные явления сыграли решающую роль в изучении электронной составляющей теплопроводности. С их помощью впервые удалось
прямым экспериментальным способом разделить электронную и фононную составляющие теплопроводности. Оказалось, что КЭ в полупроводниках значительно меньше, чем это следует из соотношения Видемана-Франца, число Лоренца, соответственно, меньше его Зоммерфельдовского значения. Предполагалось, что эти особенности обусловлены неупругим характером рассеяния электронов проводимости. Теоретическое рассмотрение данного вопроса показала, что, действительно, при средних температурах создаются условия для неупругого межэлектродного и электрон-фононного взаимодействия. Была пересмотрена теория кинетических явлений, в том числе явлений, вызванных градиентом температуры, с учетом влияния неквадратичности закона дисперсии и неупругости характера рассеяния. Рассмотрено влияние магнитного поля на продольный и поперечный эффекты Н-Э в условиях увлечения электронов проводимости фононами, вводится параметр силы увеличения А(Т,Е), ответственный за эффект, который должен уменьшаться по мере возрастания магнитного поля. Теоретически выкладки были подтверждены экспериментами на примере кристаллов CdxHg1-xТе и получено несколько результатов, не имеющие место для диффузионной термоэдс.
Книга может быть использована научными сотрудниками, аспирантами и студентами физических факультетов, специализирующихся в области физики полупроводников и твердого тела.