Аскеров Б.М. Электронные явления переноса в полупроводниках

формат djv
размер 4.3 МБ
добавлен 16 января 2010 г.

Москва, Издательство "Наука", 1985 год - 320 стр.

Книга посвящена систематическому и подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в проводниках. Излагаются как классическая, так и квантовая теории гальвано - и термомагнитных эффектов. Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны, а также зона дырочного германия. Учтено увлечение носителей тока фононами в произвольном неквантующем магнитном поле. Большое место занимает теория рассеяния носителей. Отдельная глава посвящена размерным эффектам в пленках.
Книга предназначена для научных работников, инженеров и аспирантов занимающихся исследованием полупроводников, а также студентов старших курсов физических и инженерно - физических специальностей.

Смотрите также

Алешкин В.Я. Современная физика полупроводников: курс лекций

формат pdf
размер 1.21 МБ
добавлен 31 августа 2011 г.

Н. Новгород: ННГУ, 2011. - 88 с. Раздел 1. Зонная структура германия, кремния и арсенида галия Раздел 2. Движение электронов в кристалле в слабых полях Движение в однородном электрическом поле Понятие дырки Мелкие примеси в полупроводниках Движение в слабом магнитном поле Раздел 3. Статистика электронов и дырок в полупроводниках. Нахождение химического потенциала Концентрация электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне Концентр...

Алиев С.А. Размытие фазовых переходов в полупроводниках и высокотемпературных сверхпроводниках

формат pdf
размер 3.17 МБ
добавлен 17 августа 2011 г.

Монография. - Баку, Элм, 2007. - 286 с. Монография посвящена размытию ФП в полупроводниках и высокотемпературных сверхпроводниках. В ней охвачены основные аспекты физики размытых ФП и содержится большое количество экспериментальных данных, указывающих на сильное размытие ФП в халькогенидах серебра и меди, а также высокотемпературных СП. Большое внимание уделено определению распределения сосуществующих фаз в области ФП, температурной постоянной Ф...

Бордовский Г.А., Гороховатский Ю.А., Ханин С.Д. Элементы физики твердого тела

формат djvu
размер 6.44 МБ
добавлен 07 августа 2011 г.

Учебное пособие. - СПб.: изд. РГПУ, 1997. - 188 с. Лицензия № 064687 от 01.08.96 Введение Структура твердых тел Типы межатомных связей Кристаллическая решетка идеальных кристаллов Дефекты в кристаллах Некристаллические твердые тела Динамика кристаллической решетки. Атомные процессы в кристаллах Нормальные колебания решетки. Фононы Квантовая теория теплоемкости твердых тел Эйнштейна Теория теплоемкости твердых тел Дебая Тепловое расширение криста...

Власков В.А. Специальные разделы в физике

формат rtf
размер 222.96 КБ
добавлен 15 октября 2009 г.

Основы зонной теории твердых тел. Квантовая статистика. Квантовая теория теплоемкости. Проводимость металлов и полупроводников. Контактные и термоэлектрические явления. Диффузия и дрейф носителей заряда в полупроводниках.

Воробьев Л.Е. и др. Кинетические и оптические явления в сильных электрических полях в полупроводниках и наноструктурах

формат pdf
размер 3.02 МБ
добавлен 20 января 2011 г.

Учеб. пособие / Под ред. Л. Е. Воробьева. - СПб.: Наука, 2000. - 160 с., ил. 73 (Серия учебных пособий "Новые разделы физики полупроводников"). В пособии рассмотрены основные характеристики горячих носителей заряда в полупроводниках в сильных электрических полях: функция распределения по импульсам, средняя энергия, дрейфовая скорость, время релаксации импульса и энергии, скорость потери энергии электроном при взаимодействии с решеткой и другие. П...

Загрубский А.А., Чернова А.П. Структура и электронные свойства твердых тел

формат pdf
размер 1.6 МБ
добавлен 09 августа 2011 г.

С.-Петербург. 2007. 119 с. Изложены основные сведения, необходимые для начального ознакомления со строением и свойствами полупроводников, от структуры кристаллов до свойств электронного ансамбля. Брошюра не претендует на полное доказательное изложение затронутых вопросов, а предназначена для повторения и практического использования материала, ранее изучавшегося в лекционных курсах. Содержит теоретический материал для подготовки к изучению таких...

Звягин И.П. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках

формат djv
размер 1.85 МБ
добавлен 23 января 2011 г.

М.: Изд-во Моск. ун-та, 1984. — 192 с. Книга посвящена изложению новых идей и методов, возникших в последние годы при изучении электронных явлений переноса в неупорядоченных полупроводниках. В ней обсуждаются свойства носителей заряда с энергиями, близкими к порогу подвижности, стационарный прыжковый перенос, не стационарные процессы — проводимость на переменном токе и дисперсионный перенос; значительное внимание уделено вопросам, связанным с...

Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков

формат djvu
размер 4.55 МБ
добавлен 15 декабря 2011 г.

М.: Высшая школа, 1977. - 448 с. В книге изложены элементы зонной теории твердых тел; статистика электронов и дырок в полупроводниках; неравновесные носители заряда в полупроводниках и диэлектриках; кинетические явления в полупроводниках; контактные явления и физика p-n-переходов; поверхностные, оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках; некоторые вопросы в физике неоднородных и неупорядоченных структур; явления в си...

Тауц Я. Фото - и термоэлектрические явления в полупроводниках

формат djvu
размер 14.8 МБ
добавлен 02 февраля 2012 г.

Перевод с чешского. М Издательство иностранной литературы 1962г. 256 с. Книга крупнейшего чехословацкого специалиста по полупроводникам проф. Тауца посвящена фото- и термоэлектрическим явлениям в полупроводниках, на которых основана возможность прямого преобразования световой (солнечной) и тепловой энергии в электрическую. В книге дано краткое изложение физики полупроводников, в частности теории явлений переноса. Основная часть книги посвящена ф...

Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников

формат djvu
размер 1.86 МБ
добавлен 12 апреля 2010 г.

Изд. «Наука», Физ-мат лит., Москва, 1979 г. , 416 стр. В книге рассматриваются физические явления в легированных полупроводниках, для описания которых необходимо учитывать, что электроны находятся в хаотическом поле доноров и акцепторов. К этим явлениям относятся андерсеновская локализация электронов, прыжковая проводимость, переход от металлической проводимости к активациоииой при изменении степени легирования и компенсации, оптические явления,...