Новосибирск: СО РАН. — 118 c. — ISSN 0320-7102.
Журнал Автометрия издается в Новосибирске с 1965 года.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике. Содержание номера
Среды для оптической памяти
К.К. Шварц. Процессы реверсивной оптической записи в халькогенидных полупроводниковых пленках
К. Танака. Фотоструктурные превращения в аморфных халькогенидных полупроводниках
В.М. Любин. Фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
В.И. Ерошкнн. Некоторые аспекты подхода к созданию бессеребряных фотографических материалов на основе органических светочувствительных соединений
В.И. Ерошкин, Н.В. Павлова. Позитивные люминесцентные фотографические материалы на основе солей диазония
И.Ф. Канаев, В.К. Малиновский, А.М. Пугачев. Фотодеформация и фотогальванический аффект в LiNbО3
В.А. Гусев, В.А. Детиненко, А.П. Седельников. Термическая устойчивость силлепитов германия к отжигу в вакууме
Г.Ж. Гринвалдс, В.И. Димза, С.С. Диндун, А.Э. Капениекс, А.Н. Рубулис, А.А. Спрогис, У.А. Улманис, Л.А. Шебанов, А.Р. Штернберг, Р. Штумпе. Влияние легирования и радиационной обработки на физические свойства прозрачной сегнетокерамики ЦТСЛ Элементы оптических устройств обработки и хранения информации
К.С. Александров, В.А. Середкин, Г.И. Фролов, В.Ю. Яковчук. Оптическая запись в аморфных ферримагнитных пленках
Ю. Хамакава. Современное состояние технологии аморфного кремния и его примение в оптоэлектронных устройствах
В.Д. Анцыгин, Р.С. Мадоян, А.А. Соколов, О.А. Хачатурян. Сегнетоэлектрические свойства эпитаксиальных тонкопленочных структур ниобата — танталата лития
М. Окаяма, Дж. Ониши, И. Тогами, Ю. Хамакава. Неохлаждаемый ПЗС-приемник ИК-изображения на основе пироэлектрического кристалла LіТаO3
И. Л. Багинский, Э.Г. Косцов. Эффект памяти в тонкопленочной структуре металл — BaО,5SrО,5Nb2O6—SiО2—Si
Ю.И. Балкарей, А.В. Григорьянц, М.И. Елинсон, Ю.А. Ржанов. Автоколебания, бегущие импульсы и статические расслоения в бистабильных интерферометрах с конкурирующими нелинейностями Краткие сообщения
П. Кэтолайнен, А.О. Озолс, В.Я. Пашкевич, М.Я. Рейнфелде, О. Салминен, П. Силфстеи, К.К. Шварц. Голографическое самоусиление в аморфных пленках As2S3
В.В. Лемешко, В.В. Обуховский. Тонкая структура колец четырехволнового кроссрассеяния света
В.А. Гусев, А.П. Елисеев, Б.Г. Ненашев, А.П. Седельников. Фотолюминесценция тиогаллата серебра AgGaS2
A.П. Елисеев, Л.И. Исаенко, Г.Л. Носков. Особенности люминесценции иодата лития
В.В. Атучин, К.К. Зилинг, Д.В. Петров, А.В. Царев. Акустооптическое взаимодействие в волноводах Ti : LіТаО3
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике. Содержание номера
Среды для оптической памяти
К.К. Шварц. Процессы реверсивной оптической записи в халькогенидных полупроводниковых пленках
К. Танака. Фотоструктурные превращения в аморфных халькогенидных полупроводниках
В.М. Любин. Фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
В.И. Ерошкнн. Некоторые аспекты подхода к созданию бессеребряных фотографических материалов на основе органических светочувствительных соединений
В.И. Ерошкин, Н.В. Павлова. Позитивные люминесцентные фотографические материалы на основе солей диазония
И.Ф. Канаев, В.К. Малиновский, А.М. Пугачев. Фотодеформация и фотогальванический аффект в LiNbО3
В.А. Гусев, В.А. Детиненко, А.П. Седельников. Термическая устойчивость силлепитов германия к отжигу в вакууме
Г.Ж. Гринвалдс, В.И. Димза, С.С. Диндун, А.Э. Капениекс, А.Н. Рубулис, А.А. Спрогис, У.А. Улманис, Л.А. Шебанов, А.Р. Штернберг, Р. Штумпе. Влияние легирования и радиационной обработки на физические свойства прозрачной сегнетокерамики ЦТСЛ Элементы оптических устройств обработки и хранения информации
К.С. Александров, В.А. Середкин, Г.И. Фролов, В.Ю. Яковчук. Оптическая запись в аморфных ферримагнитных пленках
Ю. Хамакава. Современное состояние технологии аморфного кремния и его примение в оптоэлектронных устройствах
В.Д. Анцыгин, Р.С. Мадоян, А.А. Соколов, О.А. Хачатурян. Сегнетоэлектрические свойства эпитаксиальных тонкопленочных структур ниобата — танталата лития
М. Окаяма, Дж. Ониши, И. Тогами, Ю. Хамакава. Неохлаждаемый ПЗС-приемник ИК-изображения на основе пироэлектрического кристалла LіТаO3
И. Л. Багинский, Э.Г. Косцов. Эффект памяти в тонкопленочной структуре металл — BaО,5SrО,5Nb2O6—SiО2—Si
Ю.И. Балкарей, А.В. Григорьянц, М.И. Елинсон, Ю.А. Ржанов. Автоколебания, бегущие импульсы и статические расслоения в бистабильных интерферометрах с конкурирующими нелинейностями Краткие сообщения
П. Кэтолайнен, А.О. Озолс, В.Я. Пашкевич, М.Я. Рейнфелде, О. Салминен, П. Силфстеи, К.К. Шварц. Голографическое самоусиление в аморфных пленках As2S3
В.В. Лемешко, В.В. Обуховский. Тонкая структура колец четырехволнового кроссрассеяния света
В.А. Гусев, А.П. Елисеев, Б.Г. Ненашев, А.П. Седельников. Фотолюминесценция тиогаллата серебра AgGaS2
A.П. Елисеев, Л.И. Исаенко, Г.Л. Носков. Особенности люминесценции иодата лития
В.В. Атучин, К.К. Зилинг, Д.В. Петров, А.В. Царев. Акустооптическое взаимодействие в волноводах Ti : LіТаО3