Новосибирск: СО РАН. — 128 c. — ISSN 0320-7102.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт
автоматики и электрометрии СО РАН.
Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике. Содержание номера
Обработка сигналов и изображений
Абрамов В.В., Киричук В.С., Косых В.П., Перетягин Г.И., Попов С.А. Реконструкция трехмерных поверхностей по двум проекциям при отслеживании камерой заданной точки сцены
Князев Б.А., Черкасский В.С. Восстановление распределения показателя преломления в градиентных слоях
Безуглов Д.А., Прыгунов А.Г., Трепачев В.В. Анализ дифракции света на эталонной голограмме при измерении перемещений объектов пространственно-спектральным методом
Задорин А.С., Немченко А.С. Аппаратная функция акустооптического фильтра при высоких скоростях перестройки
Задорин А.С. Модуляция света прерывистыми акустическими сигналами
Векшин М.М., Гладкий В.П., Никитин В.А., Яковенко Н.А. Интегрально-оптические поляризаторы на основе многослойных диэлектрических волноводов Технологии и элементы фотоники
Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Талипов Н.X. Исследование магнитоплазменных резонансов в эпитаксиальных пленках n-CdHgTe на СВЧ
Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Талипов Н.X. Применение метода отражательной спектроскопии для оценки структурного совершенства пленок CdTe/GaAs кристаллов CdхHg1-хTe
Новоселов А.Р., Клименко А.Г., Торлин М.А. Исследование зоны термического поражения в CdHgTe и Si вблизи лазерных кратеров при ультрафиолетовом облучении наносекундными импульсами
Новоселов А.Р., Клименко А.Г., Есаев Д.Г., Васильев В.В. Метод лазерного скрайбирования узкозонных полупроводниковых подложек CdHgTe Физико- и технические аспекты микроэлектроники
Машуков Ю.П. Низкочастотные диэлектрические характеристики низкотемпературного двойного диэлектрика SiO2 - Si3N4 на CdхHg1-хTe
Ромашко Л.Н., Овсюк В.Н., Васильев В.В., Воинов В.В., Захарьяш Т.И., Клименко А.Г., Сусликов А.С. Деградация диффузионных МЛЭ CdHgTe n-р-переходов при механическом воздействии Краткие сообщения
Белогорохов А.И., Лакеенков В.М., Белогорохова Л.И. Фотостимулированное образование двойных поляронов в CdTe
Амонов А.К., Мусаев П.X. О возможности создания новых оптоэлектронных приборов на основе пленок с тороидальным законом дисперсии
Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике. Содержание номера
Обработка сигналов и изображений
Абрамов В.В., Киричук В.С., Косых В.П., Перетягин Г.И., Попов С.А. Реконструкция трехмерных поверхностей по двум проекциям при отслеживании камерой заданной точки сцены
Князев Б.А., Черкасский В.С. Восстановление распределения показателя преломления в градиентных слоях
Безуглов Д.А., Прыгунов А.Г., Трепачев В.В. Анализ дифракции света на эталонной голограмме при измерении перемещений объектов пространственно-спектральным методом
Задорин А.С., Немченко А.С. Аппаратная функция акустооптического фильтра при высоких скоростях перестройки
Задорин А.С. Модуляция света прерывистыми акустическими сигналами
Векшин М.М., Гладкий В.П., Никитин В.А., Яковенко Н.А. Интегрально-оптические поляризаторы на основе многослойных диэлектрических волноводов Технологии и элементы фотоники
Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Талипов Н.X. Исследование магнитоплазменных резонансов в эпитаксиальных пленках n-CdHgTe на СВЧ
Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Талипов Н.X. Применение метода отражательной спектроскопии для оценки структурного совершенства пленок CdTe/GaAs кристаллов CdхHg1-хTe
Новоселов А.Р., Клименко А.Г., Торлин М.А. Исследование зоны термического поражения в CdHgTe и Si вблизи лазерных кратеров при ультрафиолетовом облучении наносекундными импульсами
Новоселов А.Р., Клименко А.Г., Есаев Д.Г., Васильев В.В. Метод лазерного скрайбирования узкозонных полупроводниковых подложек CdHgTe Физико- и технические аспекты микроэлектроники
Машуков Ю.П. Низкочастотные диэлектрические характеристики низкотемпературного двойного диэлектрика SiO2 - Si3N4 на CdхHg1-хTe
Ромашко Л.Н., Овсюк В.Н., Васильев В.В., Воинов В.В., Захарьяш Т.И., Клименко А.Г., Сусликов А.С. Деградация диффузионных МЛЭ CdHgTe n-р-переходов при механическом воздействии Краткие сообщения
Белогорохов А.И., Лакеенков В.М., Белогорохова Л.И. Фотостимулированное образование двойных поляронов в CdTe
Амонов А.К., Мусаев П.X. О возможности создания новых оптоэлектронных приборов на основе пленок с тороидальным законом дисперсии