Баранский П.И., Буда И.С., Даховский И.В., Коломоец В.В. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках

Под общей редакцией П.И. Баранского
Киев: Наукова думка, 1977. - 270 с.
Применение полупроводников в науке и технике в подавляющем большинстве случаев основано на использовании их электрических и гальваномагнитных свойств, которые связаны с направленным движением носителей заряда и процессами их рассеяния в решетке кристалла. В анизотропных полупроводниках рассеяние тока анизотропно. При таком рассеянии вероятность переходов зависит не только от угла между квазиимпульсами, но также от направления каждого из них. В монографии последовательно изложена теория электрических и гальваномагнитных явлений в анизотропных полупроводниках, а также экспериментальные данные по этим вопросам, базирующиеся в основном на работах отечественных и зарубежных ученых.
Книга представляет интерес для научных и инженерно-технических работников, занимающихся вопросами полупроводниковой электроники. Она будет полезна также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей технических вузов.