Дисертация
  • формат pdf
  • размер 1.1 МБ
  • добавлен 26 января 2011 г.
Башарин А.А. Искусственные магнитодиэлектрики и метаматериалы и их применение в целях улучшения распределения полей в рабочей зоне коллиматора
Автореферат кандидатской диссертации. Специальности 01.04.13 — Электрофизика, электрофизические установки, 05.12.07 — Антенны, СВЧ устройства и их технологии. Институт теоретической и прикладной электродинамики РАН. Москва 2010 г.
Смотрите также

Воробьев Л.Е. Горячие электроны в полупроводниках и наноструктурах

  • формат pdf
  • размер 5.7 МБ
  • добавлен 09 сентября 2010 г.
Санкт-Петербург, Издательство СПбГТУ, 1999г. Рассмотрены основные характеристики горячих носителей заряда в полупроводниках в сильных электрических полях, функция распределения по импульсам, средняя энергия, дрейфовая скорость, время релаксации импульса и энергии, скорость потери энергии электроном при взаимодействии с решеткой и др. Проведены расчеты этих характеристик. Приведено сопоставление с экспериментом. Пособие ориентировано на образова...

Котлярский А.И. Промышленная электроника

  • формат pdf
  • размер 22.73 МБ
  • добавлен 23 февраля 2011 г.
Москва "Недра" 1984 Учебник для вузов. Изложены теории непрерывных электронных и импульсных цепей, основы преобразовательной техники; описано использова-ние средств вычислительной техники в системах управления и применение электронных устройств в задачах автоматизации и электрификации горных работ. Во втором издании (1-е изд. — 1973) приведены сведения о микроэлектронике, импульсных устройствах, даны рекомендации по применению устройств и систем...

Лабораторная работа - Исследование резистивного усилителя низкой частоты с емкостной связью в схеме с ОЭ

Лабораторная
  • формат docx
  • размер 16.88 КБ
  • добавлен 07 января 2011 г.
Пгту, специальность АТ, преподаватель Андреев ГЯ Экспериментальное исследование усилительного каскада, задание режима покоя (рабочей точки) транзистора, исследование амплитудной и амплитудно-частотной характеристик усилителя, определение параметров усилителя. Работа без графиков.

Лабораторная работа №5

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 219.76 КБ
  • добавлен 17 января 2007 г.
Лабораторная работа "Моделирование электрических полей в электронных устройствах" по дисциплине ФОЭ. Пожалуй, самая тяжелая из всех на курсе. С отличным выводом.

Лекции по ФОЭ

Статья
  • формат doc
  • размер 383.66 КБ
  • добавлен 28 сентября 2008 г.
Темы: Электропроводность полупроводников. Р-п переходы.Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Обратная связь. Операционные усилители. Применение операционных усилителей. и пр.// Лекции в формате .doc иллюстрированные.

Лекция - Сложные полупроводники (Материалы и элементы электротехники)

Статья
  • формат doc
  • размер 117.04 КБ
  • добавлен 21 октября 2009 г.
Полупроводниковые соединения AIVBIV, Методы выращивания монокристаллов SiC, Применение SiC, Полупроводниковые соединения AIIIBV, Получение соединений AIIIBV, Применение полупроводников AIIIBV, Полупроводниковые соединения AIIBV, Стеклообразные и аморфные полупроводники, Получение гидрогенизированного кремния и его применение.

Мошников В.А., Спивак Ю.М. Атомно-силовая микроскопия для нанотехнологии и диагностики

  • формат pdf
  • размер 3.24 МБ
  • добавлен 21 мая 2011 г.
Учеб. пособие СПб.: Изд-во СПбГЭТУ ЛЭТИ, 2009, 80 с. ISBN 978-5-7629-0908-8 Рассматриваются различные методы сканирующей зондовой микроскопии и их применение в нанотехнологии и диагностике Предназначено для студентов. обучающихся по магистерским образовательным программам "Нанотехнология и диагностика", "Нано-и микросистемная техника". Гриф УМО вузов РФ по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации в к...

Ружников В.А. Электронно-дырочный переход

  • формат pdf
  • размер 400.4 КБ
  • добавлен 01 января 2012 г.
Самара: ПГУТИ, 2011. – 11 с. Однородные полупроводники и однородные полупроводниковые слои находят весьма узкое применение и используются только в виде различного рода резисторов. Основные элементы интегральных микросхем и большая часть дискретных полупроводниковых приборов представляют собой неоднородные структуры. Большая часть полупроводниковых приборов работает на основе явлений, происходящих в области контакта твердых тел. На практике испол...

Сорокин А.А. Измерения в радиоэлектронике

Практикум
  • формат doc
  • размер 9.45 МБ
  • добавлен 25 декабря 2010 г.
Методические указания к лабораторным работам. БГТУ "Военмех" СПБ, 2009г. 63 стр. Стандартная обработка результатов прямых измерений с многократными наблюдениями. Цифровой мультиметр. Применение цифрового осциллографического модуля для измерений. Измерение характеристик полосового фильтра. Измерение характеристик генератора импульсной последовательности. Измерение параметров сигнала на выходе усилителя.

Физические основы электроники. Конспект лекций ПГАТИ

  • формат ppt
  • размер 3.44 МБ
  • добавлен 10 августа 2008 г.
Элементы зонной теории твёрдого тела. Модель атома и св-ва электрона Квантовые числа. Понятие об энергетических уровнях и зонах. Кристаллическая решетка. Свойства полупроводников. Собственный полупроводник. Определение равновесной концентрации зарядов в собственном полупроводнике. Функция распределения Ферми-Дирака. Вероятность распределения электронов по энерг. уровням. Уровни Ферми. Эффективные массы электрона и дырки. Примесные полупроводники....