Учебное пособие для вузов. — М.: Металлургия, 1978. — 272 с.
Учебное пособие для студентов вузов, специализирующихся по
материаловедению и технологии полупроводниковых и диэлектрических
материалов и приборов, а также физике металлов. Может быть полезно
инженерно-техническим и научным работникам и аспирантам, занятым в
области получения, исследования и применения материалов электронной
техники.
В пособии изложена теория основных методов исследования (оптические, рентгенодифракционные, электронографические) структуры магнитных и немагнитных полупроводниковых и диэлектрических кристаллов и эпитаксиальных пленок и устройств на их основе, а также металлических материалов. Рассмотрены области применения указанных методов исследования. Предисловие.
Исследование структуры с помощью световых микроскопов
[b]Физические основы световой микроскопии[/b]
Взаимодействие света с веществом. Основы геометрической и волновой оптики.
Основы теории образования изображения в микроскопе. Основные характеристики микроскопов.
Амплитудный и фазовый контраст.
Применение методов световой микроскопии
Приготовление объектов для исследования структуры с помощью отражательного микроскопа.
Изучение поверхности массивных и тонкопленочных объектов для оценки качества поверхности, морфологии структурообразования, выявления характера дефектов структуры и их распределения.
Микроскопия прозрачных объектов. Инфракрасная микроскопия химически неоднородных полупроводников. Метод декорирования дислокаций.
Поляризационно-оптический метод исследования напряжений в кристаллах.
Рентгеновские дифракционные методы анализа структуры вещества
Элементы теории дифракции
Атомное строение вещества и его дифракционная картина.
Рассеяние коротковолнового излучения кристаллами.
Основы физики рентгеновских лучей.
Основы кинематической теории рассеяния рентгеновских лучей кристаллом.
Основы динамической теории рассеяния.
Методы рентгеноструктурного анализа
Методы исследования монокристаллов.
Исследование поликристаллов методом Дебая—Шерера.
Применение рентгеновских лучей для исследования структуры кристаллов
Определение структуры кристаллов с помощью дифракции рентгеновских лучей.
Интенсивность дифракционных максимумов на рентгенограммах поликристаллов.
Прецизионное определение периодов решетки.
Уширение дифракционных максимумов и использование анализа уширения для оценки реальной структуры кристаллов.
Текстуры и их анализ.
Рентгеновская дифракционная микроскопия.
Основные принципы рентгеноспектрального анализа.
Дифракция электронов и нейтронов
Применение электронов для исследования структуры кристаллов
Особенности рассеяния быстрых электронов и специфика электронографии. Расчет электронограмм.
Типы электронограмм.
Применение медленных электронов для исследования атомной структуры поверхности кристаллов.
Основы нейтронографии
Особенности рассеяния тепловых нейтронов.
Структурная нейтронография.
Магнитная нейтронография.
Электронная микроскопия
Электронная микроскопия тонких кристаллов.
Исследование реальной структуры кристаллов.
Изображение периодических структур (картины Муара).
Наблюдение доменных структур.
Специальные виды электронной микроскопии.
В пособии изложена теория основных методов исследования (оптические, рентгенодифракционные, электронографические) структуры магнитных и немагнитных полупроводниковых и диэлектрических кристаллов и эпитаксиальных пленок и устройств на их основе, а также металлических материалов. Рассмотрены области применения указанных методов исследования. Предисловие.
Исследование структуры с помощью световых микроскопов
[b]Физические основы световой микроскопии[/b]
Взаимодействие света с веществом. Основы геометрической и волновой оптики.
Основы теории образования изображения в микроскопе. Основные характеристики микроскопов.
Амплитудный и фазовый контраст.
Применение методов световой микроскопии
Приготовление объектов для исследования структуры с помощью отражательного микроскопа.
Изучение поверхности массивных и тонкопленочных объектов для оценки качества поверхности, морфологии структурообразования, выявления характера дефектов структуры и их распределения.
Микроскопия прозрачных объектов. Инфракрасная микроскопия химически неоднородных полупроводников. Метод декорирования дислокаций.
Поляризационно-оптический метод исследования напряжений в кристаллах.
Рентгеновские дифракционные методы анализа структуры вещества
Элементы теории дифракции
Атомное строение вещества и его дифракционная картина.
Рассеяние коротковолнового излучения кристаллами.
Основы физики рентгеновских лучей.
Основы кинематической теории рассеяния рентгеновских лучей кристаллом.
Основы динамической теории рассеяния.
Методы рентгеноструктурного анализа
Методы исследования монокристаллов.
Исследование поликристаллов методом Дебая—Шерера.
Применение рентгеновских лучей для исследования структуры кристаллов
Определение структуры кристаллов с помощью дифракции рентгеновских лучей.
Интенсивность дифракционных максимумов на рентгенограммах поликристаллов.
Прецизионное определение периодов решетки.
Уширение дифракционных максимумов и использование анализа уширения для оценки реальной структуры кристаллов.
Текстуры и их анализ.
Рентгеновская дифракционная микроскопия.
Основные принципы рентгеноспектрального анализа.
Дифракция электронов и нейтронов
Применение электронов для исследования структуры кристаллов
Особенности рассеяния быстрых электронов и специфика электронографии. Расчет электронограмм.
Типы электронограмм.
Применение медленных электронов для исследования атомной структуры поверхности кристаллов.
Основы нейтронографии
Особенности рассеяния тепловых нейтронов.
Структурная нейтронография.
Магнитная нейтронография.
Электронная микроскопия
Электронная микроскопия тонких кристаллов.
Исследование реальной структуры кристаллов.
Изображение периодических структур (картины Муара).
Наблюдение доменных структур.
Специальные виды электронной микроскопии.