• формат djvu
  • размер 4.96 МБ
  • добавлен 02 октября 2009 г.
Бургер Р., Донован Р., ред. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия
М.: Мир, 1969. - 451 с.: ил. (пер. с англ. под ред. В. Н. Мордковича и Ф. П. Пресса).

Книга посвящена процессам окисления, диффузии и эпитаксии кремния. По существу изложенный материал охватывает основные процессы планарной технологии - наиболее универсальной современной технологии, позволяющей производить любые полупроводниковые приборы от простейшего диода до сложнейших интегральных субсистем. Использованы малоизвестные или не публиковавшиеся ранее данные и сведения из отчетов фирм и докладов на конференциях. Приведено большое количество графиков и поясняющих схем.

Книга полезна разработчикам и технологам полупроводниковых приборов, физикам, физикам-химикам и химикам, изучающим явления в полупроводниковых устройствах, а также специалистам, применяющим интегральные схемы.
Ее можно рекомендовать в качестве учебного пособия студентам вузов, изучающим физику и технологию полупроводников.
Смотрите также

Анохин В.З., Гончаров Е.В. и др. Практикум по химии и технологии полупроводников: Учебное пособие для студентов ВУЗов

  • формат djvu
  • размер 2.97 МБ
  • добавлен 02 февраля 2011 г.
(Под общей редакцией Угая Я. А. ) М.: Высш. школа, 1978. - 191 с., ил. В книге дано описание лабораторных работ по химии и технологии полупроводников. Пособие предназначено для изучения основных методов физико-химических исследования конденсированных систем (ДТА, тензиметрические методы, построение P-T-x диаграмм, методы микроструктурного анализа и микротвердости), различных методов синтеза, кристаллизационной очистки и выращивания монокристалло...

Антонетти П. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов

  • формат djvu
  • размер 6.34 МБ
  • добавлен 28 марта 2010 г.
МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов / Под. ред. П. Антонетти, Д. Антониадиса, Р. Даттона, У. Оулдхема: Пер. с англ. - М.: Радио и связь, 1988. - 496 с: ил. Книга представляет собой сборник лекций, прочитанных известными специалистами из многих стран на симпозиуме по математическому моделированию технологических процессов изготовления кремниевых интегральных схем (ИС) и электрических характеристик их основных элементов -...

Басин А.С., Шишкин А.В. Получение кремниевых пластин для солнечной энергетики: Методы и технологии

  • формат djvu
  • размер 1.92 МБ
  • добавлен 09 августа 2010 г.
Новосибирск: ИТ СО РАН, 2000. -196 с. В монографии представлены данные отечественных и зарубежных исследователей о достижениях солнечной фотоэлектроэнергетики массового наземного применения, имеющей большие перспективы развития в связи с высокой степенью экологичности получаемой энергии. Проанализированы проблемы технологии получения кремниевых пластин для высокоресурсных солнечных элементов. Указаны основные требования к кремниевым пластинам, ис...

Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и Конструирование Интегральных Микросхем

  • формат djvu
  • размер 9.13 МБ
  • добавлен 03 ноября 2010 г.
М., Радио и связь, 1992 г. (2-е изд. ), 320 стр. Последовательно рассмотрены вопросы технологии кремниевых полупроводниковых, пленочных и гибридных интегральных микросхем различной степени интеграции, методы проектирования их элементной базы. Описаны типовые технологические процессы производства. Изложены принципы конструирования этих микросхем. Указаны конструктивно-технологические особенности больших и сверхбольших интегральных микросхем, а т...

Гаврилов Р.А., Скворцов М.А. Технология производства полупроводниковых приборов

  • формат djvu
  • размер 3.81 МБ
  • добавлен 01 июля 2011 г.
Л.: «Энергия», 1968. - 240 с. В книге рассматриваются основные технологические процессы, используемые в производстве полупроводниковых приборов и полупроводниковых интегральных схем. Наибольшее внимание уделено процессам вплавления-рекристаллизации и диффузии, в результате проведения которых образуется электронно-дырочный переход. Планарной технологии, которая в последнее время стала широко применяться как для изготовления различных типов кремние...

Курносов А.И., Юдин В.В. Технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

  • формат djvu
  • размер 3.83 МБ
  • добавлен 01 июня 2009 г.
3-е издание, переработанное, дополненное. издательство "Высшая школа", 1986. - 368 с. В книге рассмотрены основы технологического процесса производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. В з-е издание вошли главы радиоционной обработке материалов и приборов, новейшие на то время конструкции корпусов интегральных микросхем, а также полупроводниковым материалам.

Маллер Р., Кейминс Т. Элементы Интегральных Схем

  • формат djvu
  • размер 9.27 МБ
  • добавлен 16 июня 2010 г.
М., Мир, 1989 г. , 630 стр. Монография известных американских специалистов, которые в популярной форме излагают азы физики, рассматривают технологии формирования кремниевых ИС. В книге рассмотрены также принципы их действия, поднимаются проблемы расчета, создания конструкции, приведены прочие математические модели, которые применяют в целях проектирования самих элементов и цифровых (аналоговых) ИС на их базисе. В книге сделан акцент на математиче...

Могэб К., Фрейзер д., Фичтнер У., Паррильо Л., Маркус Р., Стейдел К., Бертрем У. Технология СБИС (книга 2)

  • формат djvu
  • размер 5.5 МБ
  • добавлен 02 октября 2009 г.
В 2-х кн. Кн. 2. Пер. с англ. / Под ред. С. Зи - М.: Мир, 1986 г. , 453 стр. В книге ведущих американских специалистов освещены вопросы технологии изготовления кремниевых ИС. В книге 2 рассмотрены вопросы ионно-плазменной технологии применительно к процессам удаления вещества, металлизации ИС, моделирования основных технологических процессов формирования ИС. Описаны основные технологические схемы изготовления элементов СБИС (биполярная технология...

Парфенов О.Д. Технология микросхем

  • формат djvu
  • размер 3.36 МБ
  • добавлен 21 июня 2011 г.
«Высш. школа», 1977г. , 256 с. с ил. В книге рассмотрены: технология полупроводниковых интегральных микросхем (диффузии. эпитаксия, пассивация, межсоединения, фотолитография); технология гибридных пленочных микросхем (физические основы и техника термического вакуумного напыления, активные и пассивные тонкопленочные элементы, методы контроля тонкопленочных элементов в процессе напыления, распыление ионной бомбардировкой, технологические особенност...

Реферат - Структуры интегральных схем

Реферат
  • формат doc
  • размер 287.85 КБ
  • добавлен 15 ноября 2010 г.
Введение. Классификация интегральных микросхем. Структуры интегральных схем. Конструкции активных элементов полупроводниковых микросхем. Транзисторы типа n–p–n. Транзисторы типа p–n–p. Многоэмиттерные транзисторы (МЭТ). Многоколлекторные транзисторы (МКТ). Составные транзисторы. Интегральные диоды и стабилитроны. Диод Шотки и транзистор с диодом Шотки. Конструкции активных элементов полупроводниковых микросхем. МНОП–транзисторы. МОАП–транзисторы....