Коллективная монография. — М.: Мир, 1973. — 422 с.
В основу книги положены лекции по туннельным явлениям в твердых телах, прочитанные крупными зарубежными учеными Кейном, Эсаки, Живером, Шриффером и др., известными своими работами в различных областях физики твердого тела.
В книге описан широкий круг явлений, связанных с протеканием тока в туннельных структурах (р — ^-переход, полупроводник — металл и металл — изолятор — металл). В равной мере освещаются теоретические и экспериментальные аспекты исследований. Рассматривается туннелирование в контактах, содержащих металл в сверхпроводящем состоянии. Большое внимание уделяется взаимодействию туннелирующих электронов с различного рода возбуждениями — фононами, фотонами, колебаниям молекул, а также с парамагнитными примесями в барьере. Приводятся результаты исследований спектра возбуждений в кристаллах с помощью туннельного эффекта.
Книга охватывает важные в научном и практическом отношении проблемы твердотельной электроники и окажется полезной физикам и инженерам-исследователям, работающим в области контактных явлений в твердых телах. Содержание:
Е. О. Кейн. Основные представления о туннелировании
В. Франц. Метод Вентцеля — Крамерса — Бриллюэна (ВКБ)
И. Живер. Туннельный переход в системе металл — изолятор — металл
К. Б. Дюк. Теория туннельного перехода в системе металл — барьер — металл
Л. Эсаки. Туннелирование
Е. О. Кейн, Е. И. Блаунт. Межзонное туннелирование
Р. Т. Шуе. Теория межзонного туннелирования
Р. Стрэттон. Туннелирование в выпрямителях с барьером Шоттки
К. А. Мид. Некоторые свойства экспоненциально затухающих волновых функций
Дж. Г. Симмонс. Силы изображения в туннельных переходах металл — окисел — металл
Р. А. Логан. Туннелирование в полупроводниках с участием фононов
X. Фрицще. Влияние деформации на межзонное туннелирование в полупроводниках
Л. Клейнман. Туннелирование в полупроводниках с участием фононов
К. Т. Са. Избыточный ток при туннелировании в полупроводниках
В. Франц. Туннелирование, сопровождающееся поглощением фотонов (эффект Франца — Келдыша)
В. Завадски. Туннелирование в полупроводниках в магнитном поле
Дж. Лэмб, Р. К. Джеклевик. Молекулярные возбуждения в барьерах. I
Р. К. Джеклевик, Дж. Лэмб. Молекулярные возбуждения в барьерах. II
И. Живер. Туннелирование между сверхпроводниками
Д. М. Роуэлл. Туннельная плотность состояний. Эксперимент
Д. Р. Шриффер. Одночастичное туннелирование в сверхпроводниках
Г. Д. Махан. Многочастичная теория туннелирования. Поляроны в переходах Шоттки
В. Дж. Томаш. Проявление геометрических резонансов в туннельных характеристиках толстых сверхпроводящих пленок
В основу книги положены лекции по туннельным явлениям в твердых телах, прочитанные крупными зарубежными учеными Кейном, Эсаки, Живером, Шриффером и др., известными своими работами в различных областях физики твердого тела.
В книге описан широкий круг явлений, связанных с протеканием тока в туннельных структурах (р — ^-переход, полупроводник — металл и металл — изолятор — металл). В равной мере освещаются теоретические и экспериментальные аспекты исследований. Рассматривается туннелирование в контактах, содержащих металл в сверхпроводящем состоянии. Большое внимание уделяется взаимодействию туннелирующих электронов с различного рода возбуждениями — фононами, фотонами, колебаниям молекул, а также с парамагнитными примесями в барьере. Приводятся результаты исследований спектра возбуждений в кристаллах с помощью туннельного эффекта.
Книга охватывает важные в научном и практическом отношении проблемы твердотельной электроники и окажется полезной физикам и инженерам-исследователям, работающим в области контактных явлений в твердых телах. Содержание:
Е. О. Кейн. Основные представления о туннелировании
В. Франц. Метод Вентцеля — Крамерса — Бриллюэна (ВКБ)
И. Живер. Туннельный переход в системе металл — изолятор — металл
К. Б. Дюк. Теория туннельного перехода в системе металл — барьер — металл
Л. Эсаки. Туннелирование
Е. О. Кейн, Е. И. Блаунт. Межзонное туннелирование
Р. Т. Шуе. Теория межзонного туннелирования
Р. Стрэттон. Туннелирование в выпрямителях с барьером Шоттки
К. А. Мид. Некоторые свойства экспоненциально затухающих волновых функций
Дж. Г. Симмонс. Силы изображения в туннельных переходах металл — окисел — металл
Р. А. Логан. Туннелирование в полупроводниках с участием фононов
X. Фрицще. Влияние деформации на межзонное туннелирование в полупроводниках
Л. Клейнман. Туннелирование в полупроводниках с участием фононов
К. Т. Са. Избыточный ток при туннелировании в полупроводниках
В. Франц. Туннелирование, сопровождающееся поглощением фотонов (эффект Франца — Келдыша)
В. Завадски. Туннелирование в полупроводниках в магнитном поле
Дж. Лэмб, Р. К. Джеклевик. Молекулярные возбуждения в барьерах. I
Р. К. Джеклевик, Дж. Лэмб. Молекулярные возбуждения в барьерах. II
И. Живер. Туннелирование между сверхпроводниками
Д. М. Роуэлл. Туннельная плотность состояний. Эксперимент
Д. Р. Шриффер. Одночастичное туннелирование в сверхпроводниках
Г. Д. Махан. Многочастичная теория туннелирования. Поляроны в переходах Шоттки
В. Дж. Томаш. Проявление геометрических резонансов в туннельных характеристиках толстых сверхпроводящих пленок