Монография. М.: Энергоатомиздат, 1989. – 328 с.
Показана роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Анализируются основные факторы, определяющие процесс ионного распыления. Рассматривается осаждение пленок магнетронным, термоионным, ионно-кластерным и электронно-циклотронным методами, а также стимулированное плазмой осаждение пленок из газовой фазы при пониженном давлении. Показаны пути обеспечения вакуумно-технических параметров в установках для осаждения тонких пленок. Рассмотрены перспективы применения плазменных процессов в производстве интегральных схем.
Для научных и инженерно-технических работников, использующих в своей практической работе осаждение пленок с помощью низкотемпературной плазмы. Может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям вузов.
Показана роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Анализируются основные факторы, определяющие процесс ионного распыления. Рассматривается осаждение пленок магнетронным, термоионным, ионно-кластерным и электронно-циклотронным методами, а также стимулированное плазмой осаждение пленок из газовой фазы при пониженном давлении. Показаны пути обеспечения вакуумно-технических параметров в установках для осаждения тонких пленок. Рассмотрены перспективы применения плазменных процессов в производстве интегральных схем.
Для научных и инженерно-технических работников, использующих в своей практической работе осаждение пленок с помощью низкотемпературной плазмы. Может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям вузов.