Новосибирск: Новосибирский государственный технический университет,
2009. — 80 c.
В третьей части учебного пособия рассмотрены наиболее важные
процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Адресовано студентам,
специализирующимся в области создания полупроводниковых устройств.
