Новосибирск: Новосибирский государственный технический университет,
2009. — 80 c.
В третьей части учебного пособия рассмотрены наиболее важные
процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Адресовано студентам,
специализирующимся в области создания полупроводниковых устройств.
Данилов В.С. Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 3
- формат pdf
- размер 52,81 МБ
- добавлен 02 октября 2016 г.
