Автореферат диссертации канд. физ.-мат. наук (05 . 13 . 05 -
Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления);
рук. работы А.Ю. Никифоров. - Москва : НИЯУ МИФИ, 2009 . 20 с.
Библ. – 16 . Илл. - 9, табл. нет. Не распознано. В работе 5
глав.
Сама диссертация состоит из введения, 5 глав, заключения, библиографического списка, включающего 119 наименований. Работа изложена на 152 листах машинописного текста, содержит 102 рисунка и 14 таблиц.
Введение. Диссертация направлена на разрешение противоречия, состоящего в том, что одновременно необходимо и невозможно обеспечить достоверное прогнозирование дозовых эффектов в цифровых КМОП микросхемах при ИИВ, оставаясь в рамках имеющихся методов и средств теоретического и экспериментального моделирования без их научно-технического развития.
Цель работы – развитие методов разработка методических и технических средств прогнозирования дозовых эффектов в цифровых КМОП КНС БИС при импульсном ионизирующем воздействии с учетом характеристик ИИВ, а также режимов и условий работы микросхем в аппаратуре.
Сокращения: КМОП - комплементарные металл-окисел-полупроводник, КНС - кремний на сапфире, БИС - большие интегральные схемы, ИИВ - импульсное ионизирующее воздействие, КНИ - кремний на изоляторе, КМОП – комплементарные металл-окисел-полупроводник.
Сама диссертация состоит из введения, 5 глав, заключения, библиографического списка, включающего 119 наименований. Работа изложена на 152 листах машинописного текста, содержит 102 рисунка и 14 таблиц.
Введение. Диссертация направлена на разрешение противоречия, состоящего в том, что одновременно необходимо и невозможно обеспечить достоверное прогнозирование дозовых эффектов в цифровых КМОП микросхемах при ИИВ, оставаясь в рамках имеющихся методов и средств теоретического и экспериментального моделирования без их научно-технического развития.
Цель работы – развитие методов разработка методических и технических средств прогнозирования дозовых эффектов в цифровых КМОП КНС БИС при импульсном ионизирующем воздействии с учетом характеристик ИИВ, а также режимов и условий работы микросхем в аппаратуре.
Сокращения: КМОП - комплементарные металл-окисел-полупроводник, КНС - кремний на сапфире, БИС - большие интегральные схемы, ИИВ - импульсное ионизирующее воздействие, КНИ - кремний на изоляторе, КМОП – комплементарные металл-окисел-полупроводник.